Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2003
• Main Authors: Москалюк, В.А., Тимофеев, В.И., Иващук, А.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Subjects: Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70643
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях / В.А. Москалюк, В.И. Тимофеев, А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 61-64. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса. The method of analytical calculation of the relaxation times of concentration, pulse...