Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса. The method of analytical calculation of the relaxation times of concentration, pulse...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | Москалюк, В.А., Тимофеев, В.И., Иващук, А.В. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70643 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях / В.А. Москалюк, В.И. Тимофеев, А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 61-64. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Смесительно-детекторные и умножительные диоды для смесителей приемных устройств СВЧ
за авторством: Бобженко, С.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Бобженко, С.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
за авторством: Шварц, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Шварц, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2003)
Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
за авторством: Колежук, К.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Колежук, К.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
за авторством: Грищенко, С.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Грищенко, С.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Монолитные трансформаторы в многослойной технологии GaAs
за авторством: Бондарь, Д.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Бондарь, Д.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
за авторством: Попович, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Попович, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001)
Влияние режимных параметров на теплопередающие характеристики миниатюрных тепловых труб
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
Средние силы, действующие на вещество в сильных лазерных полях
за авторством: Андреев, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Андреев, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
О намагниченности низкоразмерного электронного газа в сильных магнитных полях
за авторством: Гохфельд, В.М.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Гохфельд, В.М.
Опубліковано: (2004)
Кинетические явления в органических проводниках в сильных магнитных полях
за авторством: Песчанский, В.Г., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Песчанский, В.Г., та інші
Опубліковано: (2016)
Особенности магнитоэлектрических свойств BiFeO₃ в сильных магнитных полях
за авторством: Попов, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Попов, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Определение технологических параметров изготовления керамических опор замедляющей системы ЛБВ
за авторством: Предмирский, В.С., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Предмирский, В.С., та інші
Опубліковано: (2017)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Охлаждение перспективных накопителей на жестких магнитных дисках с применением тепловых труб
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Тепловая эффективность оребренных поверхностей при низкоскоростном обдуве
за авторством: Письменный, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Письменный, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2004)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Влияние внутренних параметров стабилизированных СВЧ-генераторов на формирование автодинного отклика при сильном отраженном сигнале
за авторством: Носков, В.Я., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Носков, В.Я., та інші
Опубліковано: (2011)
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014)
Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
за авторством: Сивоконь, В.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Сивоконь, В.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
Применение самовосстанавливающихся элементов для электрической защиты солнечных батарей
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2018)
Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
за авторством: Осадчук, В.С., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Осадчук, В.С., та інші
Опубліковано: (2004)
Анизотропный термоэлектрический компаратор
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Устройство для охлаждения элементов микроэлектронной аппаратуры
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Мощный инвертор напряжения со специальной силовой микросхемой
за авторством: Гаврилюк, Г.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Гаврилюк, Г.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Исследование теплопередающих характеристик радиаторов с оребрением на основе миниатюрных тепловых труб
за авторством: Кравец, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Кравец, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2004)
Схожі ресурси
-
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2003) -
Смесительно-детекторные и умножительные диоды для смесителей приемных устройств СВЧ
за авторством: Бобженко, С.В., та інші
Опубліковано: (2003) -
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
за авторством: Шварц, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2003) -
Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
за авторством: Колежук, К.В., та інші
Опубліковано: (2003) -
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)