Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса. The method of analytical calculation of the relaxation times of concentration, pulse...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70643 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях / В.А. Москалюк, В.И. Тимофеев, А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 61-64. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
за авторством: Moskalyuk, V. A., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Moskalyuk, V. A., та інші
Опубліковано: (2003)
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Смесительно-детекторные и умножительные диоды для смесителей приемных устройств СВЧ
за авторством: Бобженко, С.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Бобженко, С.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
за авторством: Шварц, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Шварц, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2003)
Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
за авторством: Колежук, К.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Колежук, К.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
за авторством: Грищенко, С.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Грищенко, С.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Монолитные трансформаторы в многослойной технологии GaAs
за авторством: Бондарь, Д.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Бондарь, Д.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Иващук, А.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Иващук, А.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2013)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
за авторством: Попович, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Попович, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001)
Влияние режимных параметров на теплопередающие характеристики миниатюрных тепловых труб
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2004)
Диэлектрические ван-флековские парамагнетики в сильных магнитных полях
за авторством: Тагиров, М.С., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Тагиров, М.С., та інші
Опубліковано: (2002)
Средние силы, действующие на вещество в сильных лазерных полях
за авторством: Андреев, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Андреев, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование сверхпроводящей микроволновой линии передачи в сильных электромагнитных полях
за авторством: Лавринович, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Лавринович, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
О намагниченности низкоразмерного электронного газа в сильных магнитных полях
за авторством: Гохфельд, В.М.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Гохфельд, В.М.
Опубліковано: (2004)
Кинетические явления в органических проводниках в сильных магнитных полях
за авторством: Песчанский, В.Г., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Песчанский, В.Г., та інші
Опубліковано: (2016)
Варизонный AlGaInAs-диод Ганна
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Особенности магнитоэлектрических свойств BiFeO₃ в сильных магнитных полях
за авторством: Попов, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Попов, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
Тепловая эффективность оребренных поверхностей при низкоскоростном обдуве
за авторством: Письменный, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Письменный, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2004)
Охлаждение перспективных накопителей на жестких магнитных дисках с применением тепловых труб
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Когерентность конденсата Бозе–Эйнштейна диполярных экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктуре
за авторством: Горбунов, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Горбунов, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
за авторством: Ющук, С.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ющук, С.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014)
Определение технологических параметров изготовления керамических опор замедляющей системы ЛБВ
за авторством: Предмирский, В.С., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Предмирский, В.С., та інші
Опубліковано: (2017)
Анализ и расчет распределения высокочастотного поля неоднородной резонаторной системы магнетрона
за авторством: Чистяков, К.И.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Чистяков, К.И.
Опубліковано: (2012)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)