Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зон...
Gespeichert in:
| Datum: | 2003 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70708 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70708 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| fulltext |
|
| spelling |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-707082025-02-09T10:58:02Z Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений Дослідження властивостей напівпровідникових матеріалів для детекторів іонізуючих випромінювань Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. Материалы для микроэлектроники Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зоны Eg0 (при Т=0) от 1,6 эВ (CСdTe=1) до 1,8 эВ (CСdTe"0,8) приводит к увеличению ρ примерно на два порядка. При сохранении исходного состава фоновых примесей дальнейшее увеличение Eg0 вплоть до 2,1 эВ (соответствующее CСdTe"0,5) существенно не влияет на величину Eg0. 2003 Article Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70708 621.315.592:546.28 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники |
| spellingShingle |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зоны Eg0 (при Т=0) от 1,6 эВ (CСdTe=1) до 1,8 эВ (CСdTe"0,8) приводит к увеличению ρ примерно на два порядка. При сохранении исходного состава фоновых примесей дальнейшее увеличение Eg0 вплоть до 2,1 эВ (соответствующее CСdTe"0,5) существенно не влияет на величину Eg0. |
| format |
Article |
| author |
Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. |
| author_facet |
Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. |
| author_sort |
Кондрик, А.И. |
| title |
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title_short |
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title_full |
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title_fullStr |
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title_full_unstemmed |
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title_sort |
исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2003 |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70708 |
| citation_txt |
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT kondrikai issledovaniesvojstvpoluprovodnikovyhmaterialovdlâdetektorovioniziruûŝihizlučenij AT kovtungp issledovaniesvojstvpoluprovodnikovyhmaterialovdlâdetektorovioniziruûŝihizlučenij AT kondrikai doslídžennâvlastivostejnapívprovídnikovihmateríalívdlâdetektorívíonízuûčihvipromínûvanʹ AT kovtungp doslídžennâvlastivostejnapívprovídnikovihmateríalívdlâdetektorívíonízuûčihvipromínûvanʹ |
| first_indexed |
2025-11-25T20:53:13Z |
| last_indexed |
2025-11-25T20:53:13Z |
| _version_ |
1849797108907900928 |