СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
Приведены результаты оптимизации конструкции и технологии изготовления СВЧ полевых транзисторов средней мощности с рабочей частотой в диапазоне 18-36 ГГц на эпитаксиальных структурах GaAs. Выходная мощность транзисторов около 100 мВт на 1 дБ компрессии, коэффициент шума не более 3,0 дБ, коэффициент...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70714 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн / А.В. Иващук, В.И. Босый, В.Н. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 27-31. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |