СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
Приведены результаты оптимизации конструкции и технологии изготовления СВЧ полевых транзисторов средней мощности с рабочей частотой в диапазоне 18-36 ГГц на эпитаксиальных структурах GaAs. Выходная мощность транзисторов около 100 мВт на 1 дБ компрессии, коэффициент шума не более 3,0 дБ, коэффициент...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70714 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн / А.В. Иващук, В.И. Босый, В.Н. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 27-31. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |