СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн

Приведены результаты оптимизации конструкции и технологии изготовления СВЧ полевых транзисторов средней мощности с рабочей частотой в диапазоне 18-36 ГГц на эпитаксиальных структурах GaAs. Выходная мощность транзисторов около 100 мВт на 1 дБ компрессии, коэффициент шума не более 3,0 дБ, коэффициент...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:	2003
Main Authors:	Иващук, А.В., Босый, В.И., Ковальчук, В.Н.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Subjects:	Функциональная микроэлектроника
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70714
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн / А.В. Иващук, В.И. Босый, В.Н. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 27-31. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70714
record_format	dspace
spelling	Иващук, А.В. Босый, В.И. Ковальчук, В.Н. 2014-11-11T15:02:10Z 2014-11-11T15:02:10Z 2003 СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн / А.В. Иващук, В.И. Босый, В.Н. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 27-31. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70714 621.382.323 Приведены результаты оптимизации конструкции и технологии изготовления СВЧ полевых транзисторов средней мощности с рабочей частотой в диапазоне 18-36 ГГц на эпитаксиальных структурах GaAs. Выходная мощность транзисторов около 100 мВт на 1 дБ компрессии, коэффициент шума не более 3,0 дБ, коэффициент усиления по мощности при этом не менее 4 и 7 дБ на частотах 36 и 18 ГГц, соответственно. Описана конструкция измерительных устройств и методика исследования этих параметров в короткой части сантиметрового и в миллиметровом диапазоне длин волн. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микроэлектроника СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн НВЧ польові транзистори середньої потужності міліметрового діапазону довжини хвиль Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
spellingShingle	СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн Иващук, А.В. Босый, В.И. Ковальчук, В.Н. Функциональная микроэлектроника
title_short	СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
title_full	СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
title_fullStr	СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
title_full_unstemmed	СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
title_sort	свч полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
author	Иващук, А.В. Босый, В.И. Ковальчук, В.Н.
author_facet	Иващук, А.В. Босый, В.И. Ковальчук, В.Н.
topic	Функциональная микроэлектроника
topic_facet	Функциональная микроэлектроника
publishDate	2003
language	Russian
container_title	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format	Article
title_alt	НВЧ польові транзистори середньої потужності міліметрового діапазону довжини хвиль
description	Приведены результаты оптимизации конструкции и технологии изготовления СВЧ полевых транзисторов средней мощности с рабочей частотой в диапазоне 18-36 ГГц на эпитаксиальных структурах GaAs. Выходная мощность транзисторов около 100 мВт на 1 дБ компрессии, коэффициент шума не более 3,0 дБ, коэффициент усиления по мощности при этом не менее 4 и 7 дБ на частотах 36 и 18 ГГц, соответственно. Описана конструкция измерительных устройств и методика исследования этих параметров в короткой части сантиметрового и в миллиметровом диапазоне длин волн.
issn	2225-5818
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70714
citation_txt	СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн / А.В. Иващук, В.И. Босый, В.Н. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 27-31. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT ivaŝukav svčpolevyetranzistorysredneimoŝnostimillimetrovogodiapazonadlinvoln AT bosyivi svčpolevyetranzistorysredneimoŝnostimillimetrovogodiapazonadlinvoln AT kovalʹčukvn svčpolevyetranzistorysredneimoŝnostimillimetrovogodiapazonadlinvoln AT ivaŝukav nvčpolʹovítranzistoriserednʹoípotužnostímílímetrovogodíapazonudovžinihvilʹ AT bosyivi nvčpolʹovítranzistoriserednʹoípotužnostímílímetrovogodíapazonudovžinihvilʹ AT kovalʹčukvn nvčpolʹovítranzistoriserednʹoípotužnostímílímetrovogodíapazonudovžinihvilʹ
first_indexed	2025-12-07T20:49:05Z
last_indexed	2025-12-07T20:49:05Z
_version_	1850884012483018752

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн

Institution

Similar Items