СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2003
• Автори: Иващук, А.В., Босый, В.И., Ковальчук, В.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Теми: Функциональная микроэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70714
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн / А.В. Иващук, В.И. Босый, В.Н. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 27-31. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Приведены результаты оптимизации конструкции и технологии изготовления СВЧ полевых транзисторов средней мощности с рабочей частотой в диапазоне 18-36 ГГц на эпитаксиальных структурах GaAs. Выходная мощность транзисторов около 100 мВт на 1 дБ компрессии, коэффициент шума не более 3,0 дБ, коэффициент...