Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2002
• Hauptverfasser: Николаенко, Ю.Е., Круковский, С.И., Завербный, И.Р., Рыбак, О.В., Мрыхин, И.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Schlagworte: Энергетическая микроэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70770
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии / Ю.Е. Николаенко, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, О.В. Рыбак, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 27-29. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs—InGaAs—AlGaAs c тремя р—n-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей солнечной энергии космического базирования. Особенностью гетероструктур...