Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии

Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs—InGaAs—AlGaAs c тремя р—n-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей солнечной энергии космического базирования. Особенностью гетероструктур...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2002
Hauptverfasser: Николаенко, Ю.Е., Круковский, С.И., Завербный, И.Р., Рыбак, О.В., Мрыхин, И.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Schlagworte:
Энергетическая микроэлектроника
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70770
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии / Ю.Е. Николаенко, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, О.В. Рыбак, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 27-29. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70770
record_format dspace
spelling Николаенко, Ю.Е.
Круковский, С.И.
Завербный, И.Р.
Рыбак, О.В.
Мрыхин, И.А.
2014-11-12T07:52:19Z
2014-11-12T07:52:19Z
2002
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии / Ю.Е. Николаенко, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, О.В. Рыбак, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 27-29. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70770
621.383
Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs—InGaAs—AlGaAs c тремя р—n-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей солнечной энергии космического базирования. Особенностью гетероструктур является наличие в их составе лавинного диода, соединяющего узкозонный и широкозонный р—n-переходы. Исследуются электрофизические характеристики слоев AlGaAs, легированных Mg и Bi. При-ведены результаты исследований тандемной гетероструктуры с использованием растровой электронной микроскопии.
The technological features of reception multi-layers heterostructures in systems GaAs-InGaAs-AlGaAs with three р—n by transitions, method LPE are considered. Heterostructures are intended for manufacturing highly effective photoconverters of a solar energy of space basing. Feature heterostructures are the presence in their structure avalanche of the diode connecting narrow-gap and wide-gap р—n by transitions. The electrophysical characteristics of layers AlGaAs alloyed Mg and Bi were investigated. The results of researches tandem heterostructure with use scanning electron microscopy are given.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Энергетическая микроэлектроника
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
Reception tandem heterostructures for photoconverters of a solar energy
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
spellingShingle Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
Николаенко, Ю.Е.
Круковский, С.И.
Завербный, И.Р.
Рыбак, О.В.
Мрыхин, И.А.
Энергетическая микроэлектроника
title_short Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
title_full Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
title_fullStr Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
title_full_unstemmed Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
title_sort получение тандемных гетероструктур gaas—ingaas—algaas для фотопреобразователей солнечной энергии
author Николаенко, Ю.Е.
Круковский, С.И.
Завербный, И.Р.
Рыбак, О.В.
Мрыхин, И.А.
author_facet Николаенко, Ю.Е.
Круковский, С.И.
Завербный, И.Р.
Рыбак, О.В.
Мрыхин, И.А.
topic Энергетическая микроэлектроника
topic_facet Энергетическая микроэлектроника
publishDate 2002
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Reception tandem heterostructures for photoconverters of a solar energy
description Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs—InGaAs—AlGaAs c тремя р—n-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей солнечной энергии космического базирования. Особенностью гетероструктур является наличие в их составе лавинного диода, соединяющего узкозонный и широкозонный р—n-переходы. Исследуются электрофизические характеристики слоев AlGaAs, легированных Mg и Bi. При-ведены результаты исследований тандемной гетероструктуры с использованием растровой электронной микроскопии. The technological features of reception multi-layers heterostructures in systems GaAs-InGaAs-AlGaAs with three р—n by transitions, method LPE are considered. Heterostructures are intended for manufacturing highly effective photoconverters of a solar energy of space basing. Feature heterostructures are the presence in their structure avalanche of the diode connecting narrow-gap and wide-gap р—n by transitions. The electrophysical characteristics of layers AlGaAs alloyed Mg and Bi were investigated. The results of researches tandem heterostructure with use scanning electron microscopy are given.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70770
citation_txt Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии / Ю.Е. Николаенко, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, О.В. Рыбак, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 27-29. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT nikolaenkoûe polučenietandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaasdlâfotopreobrazovateleisolnečnoiénergii
AT krukovskiisi polučenietandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaasdlâfotopreobrazovateleisolnečnoiénergii
AT zaverbnyiir polučenietandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaasdlâfotopreobrazovateleisolnečnoiénergii
AT rybakov polučenietandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaasdlâfotopreobrazovateleisolnečnoiénergii
AT mryhinia polučenietandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaasdlâfotopreobrazovateleisolnečnoiénergii
AT nikolaenkoûe receptiontandemheterostructuresforphotoconvertersofasolarenergy
AT krukovskiisi receptiontandemheterostructuresforphotoconvertersofasolarenergy
AT zaverbnyiir receptiontandemheterostructuresforphotoconvertersofasolarenergy
AT rybakov receptiontandemheterostructuresforphotoconvertersofasolarenergy
AT mryhinia receptiontandemheterostructuresforphotoconvertersofasolarenergy
first_indexed 2025-12-07T18:11:20Z
last_indexed 2025-12-07T18:11:20Z
_version_ 1850874087388217344

Ähnliche Einträge