Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии

Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs—InGaAs—AlGaAs c тремя р—n-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей солнечной энергии космического базирования. Особенностью гетероструктур...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2002
Автори: Николаенко, Ю.Е., Круковский, С.И., Завербный, И.Р., Рыбак, О.В., Мрыхин, И.А.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70770
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии / Ю.Е. Николаенко, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, О.В. Рыбак, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 27-29. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1860204152500518912
author Николаенко, Ю.Е.
Круковский, С.И.
Завербный, И.Р.
Рыбак, О.В.
Мрыхин, И.А.
author_facet Николаенко, Ю.Е.
Круковский, С.И.
Завербный, И.Р.
Рыбак, О.В.
Мрыхин, И.А.
citation_txt Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии / Ю.Е. Николаенко, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, О.В. Рыбак, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 27-29. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs—InGaAs—AlGaAs c тремя р—n-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей солнечной энергии космического базирования. Особенностью гетероструктур является наличие в их составе лавинного диода, соединяющего узкозонный и широкозонный р—n-переходы. Исследуются электрофизические характеристики слоев AlGaAs, легированных Mg и Bi. При-ведены результаты исследований тандемной гетероструктуры с использованием растровой электронной микроскопии. The technological features of reception multi-layers heterostructures in systems GaAs-InGaAs-AlGaAs with three р—n by transitions, method LPE are considered. Heterostructures are intended for manufacturing highly effective photoconverters of a solar energy of space basing. Feature heterostructures are the presence in their structure avalanche of the diode connecting narrow-gap and wide-gap р—n by transitions. The electrophysical characteristics of layers AlGaAs alloyed Mg and Bi were investigated. The results of researches tandem heterostructure with use scanning electron microscopy are given.
first_indexed 2025-12-07T18:11:20Z
format Article
fulltext Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 3 27 ÝÍÅÐÃÅÒÈ×ÅÑÊÀß ÌÈÊÐÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ ÏÎËÓ×ÅÍÈÅ ÒÀÍÄÅÌÍÛÕ ÃÅÒÅÐÎÑÒÐÓÊÒÓÐ GaAs�InGaAs�AlGaAs ÄËß ÔÎÒÎÏÐÅÎÁÐÀÇÎÂÀÒÅËÅÉ ÑÎËÍÅ×ÍÎÉ ÝÍÅÐÃÈÈ Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ 18.03 2002 ã. Îïïîíåíò ê. ò. í. Ë. Ì. ÑÎËÄÀÒÅÍÊÎ (ÍÈÈ "Êâàíò", ã. Êèåâ) Ê. ò. í. Þ. Å. ÍÈÊÎËÀÅÍÊÎ, ê. ò. í. Ñ. È. ÊÐÓÊÎÂÑÊÈÉ, È. Ð. ÇÀÂÅÐÁÍÛÉ, Î. Â. ÐÛÁÀÊ, È. À. ÌÐÛÕÈÍ Óêðàèíà, ã. Ëüâîâ, ÍÏÏ �Êàðàò� E-mail: krukovsky@polynet.lviv.ua Ñ èñïîëüçîâàíèåì íèçêîòåìïåðàòóðíîé ÆÔÝ ïîëó÷åíû ìíîãîñëîéíûå òàíäåì- íûå ãåòåðîñòðóêòóðû, ïðèãîäíûå äëÿ èçãîòîâëåíèÿ íà èõ îñíîâå ôîòîïðåîá- ðàçîâàòåëåé ñîëíå÷íîé ýíåðãèè. Óñïåõè ðàçâèòèÿ êîñìè÷åñêîé ôîòîýíåðãåòèêè â ïîñëåäíèå ãîäû ñâÿçàíû ñ äîñòàòî÷íî õîðîøî ðàçðà- áîòàííîé òåõíîëîãèåé ïîëó÷åíèÿ ãåòåðîñòðóêòóð GaAs�AlGaAs ñ îäíèì p�n-ïåðåõîäîì [1, 2]. Ïàðà- ìåòðû ôîòîýëåìåíòîâ íà îñíîâå ýòèõ ãåòåðîñòðóêòóð áëèçêè ê äîñòèæåíèþ ñâîåãî òåîðåòè÷åñêîãî ïðåäå- ëà ïðè èñïîëüçîâàíèè ïëàíàðíîãî p�n-ïåðåõîäà è íåêîíöåíòðèðîâàííîãî ñîëíå÷íîãî èçëó÷åíèÿ [3, 4]. Îäíèì èç ïóòåé ïîâûøåíèÿ ýôôåêòèâíîñòè ðàáî- òû òàêèõ ôîòîïðåîáðàçîâàòåëåé ÿâëÿåòñÿ èñïîëüçî- âàíèå êîíöåíòðèðîâàííîãî ñîëíå÷íîãî èçëó÷åíèÿ.  íàñòîÿùåå âðåìÿ ìàêñèìàëüíûå çíà÷åíèÿ ýôôåêòèâ- íîñòè êîíöåíòðàòîðíûõ ñîëíå÷íûõ ýëåìåíòîâ ñîñòàâ- ëÿþò 24,6% äëÿ êîñìè÷åñêîãî ñîëíå÷íîãî èçëó÷åíèÿ (ÀÌ0, 100 ñîëíö) [4] è 27,6% [5] äëÿ ñîëíå÷íîãî èçëó÷åíèÿ âáëèçè çåìíîé ïîâåðõíîñòè (ÀÌ1,5, 255 ñîëíö). Îäíàêî äàëüíåéøåå ïîâûøåíèå ýôôåêòèâíî- ñòè ïðåîáðàçîâàíèÿ ñîëíå÷íîé ýíåðãèè ñòàëêèâàåòñÿ ñî çíà÷èòåëüíûìè òðóäíîñòÿìè, îáóñëîâëåííûìè áîëüøèìè îìè÷åñêèìè ïîòåðÿìè ïðè ïîïûòêàõ ñó- ùåñòâåííî óâåëè÷èòü ñòåïåíü êîíöåíòðàöèè ñîëíå÷- íîãî èçëó÷åíèÿ. Ïîâûøåíèå ýôôåêòèâíîñòè è êîýôôèöèåíòà ïîëåç- íîãî äåéñòâèÿ ôîòîïðåîáðàçîâàòåëåé ìîæåò áûòü äî- ñòèãíóòî çà ñ÷åò èñïîëüçîâàíèÿ p�n-ïåðåõîäà ñ ñèëü- íî ðàçâèòîé ïîâåðõíîñòüþ. Ýòîò ñïîñîá ñåé÷àñ óñè- ëåííî ðàçðàáàòûâàåòñÿ íà êðåìíèåâûõ ôîòîïðåîáðà- çîâàòåëÿõ. Äëÿ ãåòåðîñòðóêòóð íà îñíîâå À3Â5 îí ïîêà ïðèìåíÿåòñÿ ìàëî, ÷òî îáóñëîâëåíî ñëîæíîñòüþ ñîõðàíåíèÿ èçíà÷àëüíî ñòðóêòóðèðîâàííîé ïîâåðõ- íîñòè ïîäëîæêè ïðè íàðàùèâàíèè p�n-ïåðåõîäà ìåòîäîì æèäêîôàçíîé ýïèòàêñèè (ÆÔÝ), êîòîðûé äî íåäàâíîãî âðåìåíè ÿâëÿëñÿ áàçîâûì ïðè ïîëó÷åíèè ýïèòàêñèàëüíûõ ñòðóêòóð äëÿ ôîòîïðåîáðàçîâàòåëåé. ( ïîñëåäíèå ãîäû çíà÷èòåëüíî ðàñøèðèëîñü ïðèìå- íåíèå ìåòîäà ÌÎÑ-ãèäðèäíîé ýïèòàêñèè äëÿ èçãî- òîâëåíèÿ ãåòåðîñòðóêòóð äëÿ ôîòîïðåîáðàçîâàòåëåé [5]. Îäíàêî ÆÔÝ ñîõðàíÿåò íåïëîõèå ïåðñïåêòèâû, ó÷èòûâàÿ âîçìîæíîñòü ïîëó÷åíèÿ ñëîåâ ñ âûñîêîé äèôôóçèîííîé äëèíîé íåîñíîâíûõ íîñèòåëåé ïðè ëå- ãèðîâàíèè ðàñïëàâîâ ðåäêîçåìåëüíûìè ýëåìåíòàìè.)  íàñòîÿùåé ðàáîòå ðàññìîòðåíû íåêîòîðûå òåõ- íîëîãè÷åñêèå îñîáåííîñòè ïîëó÷åíèÿ ìíîãîñëîéíûõ òàíäåìíûõ òðåõïåðåõîäíûõ ãåòåðîñòðóêòóð GaAs� InGaAs�AlGaAs, ïðåäíàçíà÷åííûõ äëÿ èçãîòîâëåíèÿ ïðåîáðàçîâàòåëåé ñîëíå÷íîãî èçëó÷åíèÿ. Òàíäåìíûå ãåòåðîñòðóêòóðû â ñèñòåìå GaAs� InGaAs�AlGaAs âûðàùèâàëèñü ìåòîäîì íèçêîòåìïå- ðàòóðíîé ÆÔÝ â àòìîñôåðå ïðîòî÷íîãî âîäîðîäà ñ òî÷êîé ðîñû íå âûøå �70°Ñ â ãðàôèòîâîé ïîðøíå- âîé êàññåòå íà ïîäëîæêàõ GaAs n-òèïà ïðîâîäèìîñ- òè, îðèåíòèðîâàííûõ ïî ïëîñêîñòè (100). Íàðàùèâà- íèå ãåòåðîñòðóêòóð ïðîâîäèëîñü â èíòåðâàëå òåìïå- ðàòóð 650�500°Ñ. Ñòðóêòóðà ñîëíå÷íûõ ôîòîýëåìåí- òîâ íà îñíîâå ãåòåðîñòðóêòóð GaAs�InGaAs�AlGaAs ïîêàçàíà íà ðèñ. 1. Íà ïîäëîæêå èç n-GaAs, ëåãèðîâàííîé îëîâîì, âû- ðàùèâàëñÿ ïåðâûé p�n-ïåðåõîä, îáðàçîâàííûé óñ- êîçîííûìè ñëîÿìè n-In0,4Ga0,6As è p-In0,4Ga0,6As ñ êîíöåíòðàöèåé îñíîâíûõ íîñèòåëåé (1�3)·1017 ñì�3. Äàëåå íàðàùèâàëñÿ ëàâèííûé äèîä, ñîñòîÿùèé èç äâóõ òîíêèõ ñèëüíîëåãèðîâàííûõ ñëîåâ n-A0,14Ga0,86As è p-A0,14Ga0,86As ñ êîíöåíòðàöèåé îñíîâíûõ íîñèòåëåé (1�2)·1019 ñì�3 è (7�10)·1018 ñì�3, ñîîòâåòñòâåííî. Íà ïîâåðõíîñòè ñëîÿ p-A0,14Ga0,86As êðèñòàëëèçîâàë- ñÿ âòîðîé p�n-ïåðåõîä, ñîñòîÿùèé èç áîëåå øèðî- êîçîííûõ ìàòåðèàëîâ p-A0,14Ga0,86As è n-A0,14Ga0,86As ñ óðîâíåì ëåãèðîâàíèÿ (1�3)·1017 è (1�5)·1017 ñì�3. Ëàâèííûé äèîä, ñîåäèíÿþùèé óçêîçîííûé è øèðîêî- çîííûé p�n-ïåðåõîäû, ïðåäíàçíà÷åí äëÿ óìåíüøåíèÿ îìè÷åñêèõ ïîòåðü â ôîòîýëåìåíòå. Äëÿ óìåíüøåíèÿ ðåêîìáèíàöèîííûõ ïîòåðü íà ïîâåðõíîñòè ñòðóêòóðû Au—Ge Au—Ge p-Al0,8Ga0,2As 0,2 ìêì p-A0,14Ga0,86As 0,8 ìêì n-A0,14Ga0,86As 0,9 ìêì p-A0,14Ga0,86As 0,1 ìêì n-A0,14Ga0,86As 0,1 ìêì p-In0,4Ga0,6As 2,0 ìêì n-In0,4Ga0,6As 2,5 ìêì Ïîäëîæêà n+-GaAs 400 ìêì Au–Ni Ðèñ. 1. Ñõåìà ïîïåðå÷íîãî ðàçðåçà ñîëíå÷íîãî ôîòîýëå- ìåíòà íà îñíîâå ãåòåðîñòðóêòóðû GaAs�InGaAs�AlGaAs Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 3 28 ÝÍÅÐÃÅÒÈ×ÅÑÊÀß ÌÈÊÐÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ íàðàùèâàëîñü øèðîêîçîííîå îêíî èç p-Al0,8Ga0,2As ñ êîíöåíòðàöèåé íîñèòåëåé (8�10)·1017 ñì�3. Êîí- òàêòû ê ôðîíòàëüíîé ïîâåðõíîñòè ãåòåðîñòðóêòóðû èçãîòàâëèâàëèñü èç ñïëàâà Au�Ge, à ê òûëüíîé � íà îñíîâå Au�Ni. Äëÿ ñîõðàíåíèÿ îïòèìàëüíûõ óñëîâèé ïðåîáðà- çîâàíèÿ ñîëíå÷íîé ýíåðãèè â òàíäåìíîé ãåòåðîñòðóê- òóðå òîëùèíà ñëîÿ p-A0,14Ga0,86As íå äîëæíà ïðåâû- øàòü 1,2�1,0 ìêì (îïòèìàëüíî 0,8�1,2 ìêì ), à óðî- âåíü ëåãèðîâàíèÿ � (1�5)·1017 ñì�3. Îñîáåííîñòüþ òàíäåìíûõ ãåòåðîñòðóêòóð ÿâëÿåòñÿ íàëè÷èå â åå ñî- ñòàâå äâóõ ñèëüíîëåãèðîâàííûõ ñëîåâ A0,14Ga0,86As p- è n-òèïà ïðîâîäèìîñòè, îáðàçóþùèõ òóííåëüíûé äèîä. Ìàëûå òîëùèíû ñëîåâ îïðåäåëÿþò âûáîð íèç- êîòåìïåðàòóðíîãî âàðèàíòà ÆÔÝ äëÿ âîñïðîèçâîäè- ìîãî ïîëó÷åíèÿ òàíäåìíûõ ãåòåðîñòðóêòóð. Îäíàêî ïðè íèçêèõ òåìïåðàòóðàõ çíà÷èòåëüíî óñëîæíÿåòñÿ ïî- ëó÷åíèå ñèëüíîëåãèðîâàííûõ ñëîåâ, îñîáåííî p-òèïà ïðîâîäèìîñòè. Ýòî îáóñëîâëåíî òåì, ÷òî íåëåãèðî- âàííûå ñëîè GaAs èìåþò n-òèï ïðîâîäèìîñòè. Êîí- öåíòðàöèÿ ýëåêòðîíîâ, îáóñëîâëåííàÿ ôîíîâûìè ïðè- ìåñÿìè, ó íèõ, êàê ïðàâèëî, ñíèæàåòñÿ ïîñëå äîïîë- íèòåëüíîé î÷èñòêè øèõòû ïóòåì îòæèãà èëè äîáàâîê ðåäêîçåìåëüíûõ ýëåìåíòîâ. Ôîíîâàÿ êîíöåíòðàöèÿ ýëåêòðîíîâ â íåëåãèðîâàííûõ ñëîÿõ, ïîëó÷åííûõ ñ èñïîëüçîâàíèåì âûøåóêàçàííûõ ñïîñîáîâ î÷èñòêè, ìîæåò ñîñòàâëÿòü 2·1016�5·1016 ñì�3. ×òîáû ïîëó÷èòü ñëîè p-òèïà ïðîâîäèìîñòè ñ óðîâíåì ëåãèðîâàíèÿ ~5·1017 ñì�3, íåîáõîäèìî ââåñòè â ñëîé àêöåïòîðíóþ ïðèìåñü â êîëè÷åñòâå íå íèæå (2�5)·1017 ñì�3 ñ ó÷å- òîì êîýôôèöèåíòà èîíèçàöèè ïðèìåñè. Äëÿ ïîëó÷åíèÿ ñëîåâ AlGaAs p-òèïà íàèáîëåå ïîä- õîäÿùèìè ïðèìåñÿìè ÿâëÿþòñÿ Zn, Mg, Si, Ge. Îä- íàêî Si è Ge ïðè íèçêèõ òåìïåðàòóðàõ ýïèòàêñèè (500�600°Ñ) ïðîÿâëÿþò ïðåèìóùåñòâåííî äîíîðíûå ñâîéñòâà â GaAs è AlGaAs [7, ñ. 147]. Öèíê, ïî ñðàâ- íåíèþ ñ ìàãíèåì, èìååò çíà÷èòåëüíî áîëüøåå ïàðöè- àëüíîå äàâëåíèå ïàðîâ � 4·10�15 ìì ðò. ñò. ïðîòèâ 3,7·10�24 ìì ðò. ñò. Ïîýòîìó èñïîëüçîâàíèå Zn ïðè ïîëó÷åíèè ìíîãîñëîéíûõ ãåòåðîñòðóêòóð íåæåëàòåëü- íî èç-çà îïàñíîñòè çàãðÿçíåíèÿ öèíêîì ÷åðåç ãàçîâóþ ôàçó ðàñòâîðîâ-ðàñïëàâîâ, ñîäåðæàùèõ äîíîðíóþ ïðèìåñü. Òàêèì îáðàçîì, äëÿ ïîëó÷åíèÿ ñëîåâ p-òèïà ïðîâîäèìîñòè â ñîñòàâå ìíîãîñëîéíûõ ñòðóêòóð ïðè íèçêèõ òåìïåðàòóðàõ ÆÔÝ íàèáîëåå ïðèåìëåìîé ïðè- ìåñüþ ÿâëÿåòñÿ ìàãíèé. Îäíàêî, êàê ïîêàçàëè èññëå- äîâàíèÿ àâòîðîâ [8], ìàêñèìàëüíàÿ êîíöåíòðàöèÿ äûðîê â ëåãèðîâàííîì ìàãíèåì A0,65Ga0,25As íå ïðå- âûøàåò 1018 ñì�3. Ïðèáëèçèòåëüíî ýòî æå ïðåäåëüíîå çíà÷åíèå êîíöåíòðàöèè äûðîê áûëî ïîëó÷åíî è íàìè (ðèñ. 2, êðèâàÿ 1) ïðè èññëåäîâàíèè ëåãèðîâàíèÿ ìàãíèåì ñëîåâ A0,14Ga0,86As, âûðàùåííûõ ìåòîäîì ÆÔÝ â èíòåðâàëå òåìïåðàòóð 500�600°Ñ èç ãàëëèåâûõ ðàñïëàâîâ. Òàêèì îáðàçîì, ïåðåä íàìè âîçíèêëà çà- äà÷à ïîëó÷åíèÿ ïðè íèçêèõ òåìïåðàòóðàõ ýïè- òàêñèè ñèëüíîëåãèðîâàííûõ ñëîåâ òâåðäûõ ðàñòâîðîâ A0,14Ga0,86As p-òèïà ïðîâîäèìî- ñòè â ñîñòàâå òàíäåìíûõ ãåòåðîñòðóêòóð. Îä- íèì èç ïóòåé ðåøåíèÿ ýòîé çàäà÷è ÿâëÿåòñÿ êîìïëåêñíîå ëåãèðîâàíèå ïîëóïðîâîäíèêîâ õèìè- ÷åñêèìè ýëåìåíòàìè, îêàçûâàþùèìè ñóùåñòâåííîå âëèÿíèå íà ïåðåðàñïðåäåëåíèå ôîíîâûõ ïðèìåñåé ïî ïîäðåøåòêàì ãàëëèÿ è ìûøüÿêà. Ê òàêèì ïðèìå- ñÿì, êàê èçâåñòíî [9], îòíîñÿòñÿ èçîâàëåíòíûå ýëå- ìåíòû � âèñìóò, èíäèé, ñóðüìà. Íàìè áûë îòðàáîòàí ðåæèì íàðàùèâàíèÿ ñëîåâ p-A0,14Ga0,86As, ëåãèðîâàííûõ ìàãíèåì è âèñìóòîì. Çàâèñèìîñòü êîíöåíòðàöèè äûðîê â ýòèõ ñëîÿõ îò êîí- öåíòðàöèè âèñìóòà è ìàãíèÿ â ðàñïëàâå ãàëëèÿ ïðè- âåäåíà íà ðèñ. 2. Êàê âèäíî èç ðèñóíêà, âîçðàñòàíèå êîëè÷åñòâà âèñìóòà îò 1,0 äî 3,2 àò.% â ðàñòâîðå- ðàñïëàâå ãàëëèÿ ïðèâîäèò ê óâåëè÷åíèþ êîíöåíòðà- öèè äûðîê íà ïîðÿäîê, äîñòèãàÿ çíà÷åíèÿ áîëåå 1·1019 ñì�3. Äëÿ âñåõ ñëîåâ p-A0,14Ga0,86As, ïîëó- ÷åííûõ èç ðàñòâîðîâ-ðàñïëàâîâ ãàëëèÿ ñ ðàçíûì êî- ëè÷åñòâîì âèñìóòà (ðèñ. 2, êðèâûå 2, 3, 4), íàáëþäà- åòñÿ òåíäåíöèÿ ê íàñûùåíèþ óðîâíÿ ëåãèðîâàíèÿ ïðè êîíöåíòðàöèÿõ ìàãíèÿ â ðàñïëàâå áîëüøå 0,08 àò.%. Îäíàêî, êàê ïîêàçàëè íàøè ýêñïåðèìåíòû, ïðè èñ- ïîëüçîâàíèè ìíîãîêîìïîíåíòíûõ ðàñòâîðîâ-ðàñïëà- âîâ íà îñíîâå Ga�Al�Bi â ïîðøíåâûõ êàññåòàõ êîí- öåíòðàöèÿ âèñìóòà íå äîëæíà ïðåâûøàòü 1�1,5 àò.%. Ýòî îáóñëîâëåíî ñèëüíûì âëèÿíèåì äîáàâîê âèñìó- òà íà ðàñòâîðèìîñòü GaAs [10]. Ïðè ñìåøèâàíèè ãàë- ëèé- è âèñìóòñîäåðæàùèõ ðàñïëàâîâ ïðîèñõîäèò îá- ðàçîâàíèå íåæåëàòåëüíûõ ïåðåõîäíûõ ýïèòàêñèàëü- íûõ ñëîåâ. Ðèñ. 2. Çàâèñèìîñòü êîíöåíòðàöèè äûðîê (ð) â ñëîÿõ p-A0,14Ga0,86As îò êîíöåíòðàöèè ìàãíèÿ (ÕMg L) è âèñìó- òà â ðàñòâîðå-ðàñïëàâå ãàëëèÿ: 1 � 0 àò.% Bi; 2 � 1 àò.% Bi; 3 � 2 àò.% Bi; 4 � 3,2 àò.% Bi 0 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 XMg L , àò.% 1019 1018 1017 ð, ñ ì �3 4 3 2 1 Ðèñ. 3. Ôîòîãðàôèÿ ïîâåðõíîñòè ñêîëà ìíîãîñëîéíîé òàíäåìíîé ãåòåðîñòðóêòóðû GaAs�InGaAs�AlGaAs ð-Al0,8Ga0,2As p-A0,14Ga0,86As n-A0,14Ga0,86As ð-A0,14Ga0,86As n-A0,14Ga0,86As ð-In0,4Ga0,6As n-In0,4Ga0,6As ïîäëîæêà ï+-GaAs Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 3 29 ÝÍÅÐÃÅÒÈ×ÅÑÊÀß ÌÈÊÐÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ Ïîëó÷åííûå ðåçóëüòàòû ïî ëåãèðîâàíèþ ñëîåâ p-A0,14Ga0,86As ìàãíèåì ïðè íèçêèõ òåìïåðàòóðàõ áûëè èñïîëüçîâàíû ïðè ïîëó÷åíèè ìíîãîñëîéíîé ãå- òåðîñòðóêòóðû äëÿ ôîòîïðåîáðàçîâàòåëåé ñîëíå÷íîé ýíåðãèè. Íà ðèñ. 3 ïîêàçàíà ôîòîãðàôèÿ ïîâåðõíîñòè ñêî- ëà ìíîãîñëîéíîé òàíäåìíîé ãåòåðîñòðóêòóðû GaAs� InGaAs�AlGaAs, ïîëó÷åííàÿ ñ ïîìîùüþ ðàñòðîâîãî ýëåêòðîííîãî ìèêðîñêîïà. Èñïîëüçîâàíèå íèçêèõ òåì- ïåðàòóð ðîñòà ïîçâîëèëî âîñïðîèçâîäèìî ïîëó÷èòü òîí- êèå (~0,1 ìêì) ñëîè n-A0,14Ga0,86As è p-A0,14Ga0,86As, îáðàçóþùèå òóííåëüíûé äèîä, à èñïîëüçîâàíèå êîì- ïëåêñíîãî ëåãèðîâàíèÿ âèñìóòîì è ìàãíèåì � äîñ- òè÷ü óðîâíÿ ëåãèðîâàíèÿ â p-ñëîå âûøå 1·1019 ñì�3. Òàêèì îáðàçîì, ïðîâåäåííàÿ ðàáîòà ñ èñïîëüçî- âàíèåì íèçêîòåìïåðàòóðíîé ÆÔÝ ïîçâîëèëà ïîëó- ÷èòü ìíîãîñëîéíûå òàíäåìíûå ãåòåðîñòðóêòóðû, ïðè- ãîäíûå äëÿ èçãîòîâëåíèÿ íà èõ îñíîâå ôîòîïðåîáðà- çîâàòåëåé ñîëíå÷íîé ýíåðãèè. ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ 1. Íèêîëàåíêî Þ. Å., Âàêèâ Í. Ì., Êðóêîâñêèé Ñ. È. è äð. Ñîñòîÿíèå è òåíäåíöèè ðàçâèòèÿ òâåðäîòåëüíûõ ôî- òîïðåîáðàçîâàòåëåé ñîëíå÷íîé ýíåðãèè // Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå.� 2001.� ¹ 3.� Ñ. 21�30. 2. Aíäðååâ Â. Ì., Õâîñòèêîâ Â. Ï., Ëàðèîíîâ Â. Ð. è äð. Âûñîêîýôôåêòèâíûå êîíöåíòðàòîðíûå (2500 ñîëíö) AlGaAs/GaAs-ñîëíå÷íûå ýëåìåíòû // ÔÒÏ.� 1999.� Ò. 33, âûï. 9.� Ñ. 1070�1072. 3. Àíäðååâ Â. Ì. Ãåòåðîñòðóêòóðíûå ñîëíå÷íûå ýëå- ìåíòû // Òàì æå.� Ñ. 1035�1038. 4. Yamaguchi Masafumi. Physics and technologies of super�high-efficiency tandem solar cells // Òàì æå.� Ñ. 1054�1058. 5. Martin A. Green, Keith Emery, Klaus Bucher et al. Solar cell efficiency tables (Version 9) // Progress in Photo- voltaics: Research and Appliñations.� 1997.� Vol. 5.� P. 51�54. 6. Lawrence L. Kazmerski. Photovoltaics: a review of cell and module technologies // Renewable and Sustainable Energy Reviews.� March/ June 1997.� Vol. 1, N 1/2.� P. 71�170. 7. Øèøèÿíó Ô. Ñ. Äèôôóçèÿ è äåãðàäàöèÿ â ïîëó- ïðîâîäíèêîâûõ ìàòåðèàëàõ è ïðèáîðàõ.� Êèøèíåâ: Øòè- èíöà, 1978. 8. Ëàðèîíîâ Â. Ð., Ìèíòàèðîâ À. Ì., Ñìåêàëèí Ê. Å. è äð. Êðèñòàëëèçàöèÿ è ëåãèðîâàíèå êâàíòîâî-ðàçìåðíûõ ñëîåâ AlGaAs / Òåç. äîêë. V Âñåñîþç. êîíô. ïî ôèçè÷åñ- êèì ïðîöåññàì â ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ãåòåðîñòðóêòó- ðàõ.� Êàëóãà, 1990. 9. Êóíèöûí À. Å., Íîâèêîâ Ñ. Â., ×àëäûøåâ Â. Â. è äð. Àíàëèç ñïåêòðîâ ôîòîëþìèíåñöåíöèè ñëîåâ GaAs, âû- ðàùåííûõ èç Ga�Bi ðàñòâîðîâ-ðàñïëàâîâ // ÔÒÏ.� 1995. � Ò. 29, âûï. 11.� Ñ. 2088�2091. 10. ßêóøåâà Í. À., ×èêè÷åâ Ñ. È. Ðàñòâîðèìîñòü àð- ñåíèäà ãàëëèÿ â âèñìóò-ãàëëèåâûõ ðàñïëàâàõ // Èçâ. ÀÍ ÑÑÑÐ. Íåîðãàí. ìàòåðèàëû.� 1987.� Ò. 23, ¹ 10.� Ñ. 1607�1609. Òðóäû òðåòüåé ìåæäóíàðîäíîé íàó÷íî-ïðàêòè÷åñ- êîé êîíôåðåíöèè «Ñîâðåìåííûå èíôîðìàöèîííûå è ýëåêòðîííûå òåõíîëîãèè».� Îäåññà: «Íåïòóí- Òåõíîëîãèÿ», 2002.� 248 ñ.  Òðóäàõ 3-é ÌÍÏÊ «ÑÈÝÒ-2002» îïóáëèêîâàíû ðåôå- ðàòû äîêëàäîâ, ïîäãîòîâëåííûõ ó÷¸íûìè è ñïåöèàëèñòàìè Àçåðáàéäæàíà, Áåëàðóñè, Ãðóçèè, Ëèòâû, Ìîëäîâû, Ïîëüøè, Ðîññèè, Òóðöèè, Óçáåêèñòàíà, Óêðàèíû, Þãîñëàâèè. «Òðóäû» ñîäåðæàò ìàòåðèàëû ïëåíàðíîãî çàñåäàíèÿ è ñåêöèé «Ñèãíàëîïðåîáðàçóþùèå òåëåêîììóíèêàöèîííûå òåõíîëîãèè», «Ïðîãðåññèâíûå èíôîðìàöèîííûå òåõíîëî- ãèè», «Êîìïüþòåðíûå òåõíîëîãèè ñîçäàíèÿ ýëåêòðîííîé àï- ïàðàòóðû», «Ïðîãðåññèâíûå òåõíîëîãèè ñîçäàíèÿ ìàòåðè- àëîâ è èçäåëèé ýëåêòðîííîé òåõíèêè». «Òðóäû» ìîæíî çàêàçàòü ïî àäðåñó: Óêðàèíà, 65028, Îäåññà, óë. Á. Õìåëüíèöêîãî, 59, ÄÏ «Íåïòóí-Òåõíîëîãèÿ». Öåíà îäíîãî ýêçåìïëÿðà ýêâèâàëåíòíà 5 äîë. ÑØÀ.  ñîîòâåòñòâèè ñ ðåøåíèåì 3-é ÌÍÏÊ "ÑÈÝÒ-2002" ïðîâåäåíèå î÷åðåäíîé êîíôåðåíöèè ïëàíèðóåòñÿ â 2003 ã. Ïðåäëîæåíèÿ ïî åå îðãàíèçàöèè ìîæíî íàïðàâëÿòü â àäðåñ ðåäàêöèè æóðíàëà "ÒÊÝÀ". Ò Ð Ó Ä Û ÒÐÅÒÜÅÉ ÌÅÆÄÓÍÀÐÎÄÍÎÉ ÍÀÓ×ÍÎ-ÏÐÀÊÒÈ×ÅÑÊÎÉ ÊÎÍÔÅÐÅÍÖÈÈ ÑÎÂÐÅÌÅÍÍÛÅ ÈÍÔÎÐÌÀÖÈÎÍÍÛÅ È ÝËÅÊÒÐÎÍÍÛÅ ÒÅÕÍÎËÎÃÈÈ 21�24 ìàÿ 2002 ã. Îäåññà, Óêðàèíà 20 2 20 3 ÂÛÑÒÀÂÊÈ. ÊÎÍÔÅÐÅÍÖÈÈ. ÑÈÌÏÎÇÈÓÌÛ
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70770
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-07T18:11:20Z
publishDate 2002
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Николаенко, Ю.Е.
Круковский, С.И.
Завербный, И.Р.
Рыбак, О.В.
Мрыхин, И.А.
2014-11-12T07:52:19Z
2014-11-12T07:52:19Z
2002
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии / Ю.Е. Николаенко, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, О.В. Рыбак, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 27-29. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70770
621.383
Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs—InGaAs—AlGaAs c тремя р—n-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей солнечной энергии космического базирования. Особенностью гетероструктур является наличие в их составе лавинного диода, соединяющего узкозонный и широкозонный р—n-переходы. Исследуются электрофизические характеристики слоев AlGaAs, легированных Mg и Bi. При-ведены результаты исследований тандемной гетероструктуры с использованием растровой электронной микроскопии.
The technological features of reception multi-layers heterostructures in systems GaAs-InGaAs-AlGaAs with three р—n by transitions, method LPE are considered. Heterostructures are intended for manufacturing highly effective photoconverters of a solar energy of space basing. Feature heterostructures are the presence in their structure avalanche of the diode connecting narrow-gap and wide-gap р—n by transitions. The electrophysical characteristics of layers AlGaAs alloyed Mg and Bi were investigated. The results of researches tandem heterostructure with use scanning electron microscopy are given.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Энергетическая микроэлектроника
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
Reception tandem heterostructures for photoconverters of a solar energy
Article
published earlier
spellingShingle Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
Николаенко, Ю.Е.
Круковский, С.И.
Завербный, И.Р.
Рыбак, О.В.
Мрыхин, И.А.
Энергетическая микроэлектроника
title Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
title_alt Reception tandem heterostructures for photoconverters of a solar energy
title_full Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
title_fullStr Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
title_full_unstemmed Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
title_short Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
title_sort получение тандемных гетероструктур gaas—ingaas—algaas для фотопреобразователей солнечной энергии
topic Энергетическая микроэлектроника
topic_facet Энергетическая микроэлектроника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70770
work_keys_str_mv AT nikolaenkoûe polučenietandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaasdlâfotopreobrazovateleisolnečnoiénergii
AT krukovskiisi polučenietandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaasdlâfotopreobrazovateleisolnečnoiénergii
AT zaverbnyiir polučenietandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaasdlâfotopreobrazovateleisolnečnoiénergii
AT rybakov polučenietandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaasdlâfotopreobrazovateleisolnečnoiénergii
AT mryhinia polučenietandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaasdlâfotopreobrazovateleisolnečnoiénergii
AT nikolaenkoûe receptiontandemheterostructuresforphotoconvertersofasolarenergy
AT krukovskiisi receptiontandemheterostructuresforphotoconvertersofasolarenergy
AT zaverbnyiir receptiontandemheterostructuresforphotoconvertersofasolarenergy
AT rybakov receptiontandemheterostructuresforphotoconvertersofasolarenergy
AT mryhinia receptiontandemheterostructuresforphotoconvertersofasolarenergy