Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs—InGaAs—AlGaAs c тремя р—n-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей солнечной энергии космического базирования. Особенностью гетероструктур...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| Hauptverfasser: | Николаенко, Ю.Е., Круковский, С.И., Завербный, И.Р., Рыбак, О.В., Мрыхин, И.А. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70770 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии / Ю.Е. Николаенко, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, О.В. Рыбак, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 27-29. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)
Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
von: Москалюк, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Москалюк, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Исследование теплопередающих характеристик радиаторов с оребрением на основе миниатюрных тепловых труб
von: Кравец, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Кравец, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Исследование проволочного радиатора с тепловыми трубами для средств вычислительной техники
von: Булавин, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Булавин, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
von: A. V. Gorbunov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: A. V. Gorbunov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Моделирование нагрузочных характеристик оптимального каскадного термоэлектрического охладителя
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Влияние режимных параметров на теплопередающие характеристики миниатюрных тепловых труб
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
von: Грищенко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Грищенко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Исследование температурного поля накопителя на жестких магнитных дисках
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
von: N. M. Vakiv, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: N. M. Vakiv, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vinoslavskii, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Vinoslavskii, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Охлаждение перспективных накопителей на жестких магнитных дисках с применением тепловых труб
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Magnetooptics of heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and a ferromagnetic Mn deltalayer
von: S. V. Zajtsev
Veröffentlicht: (2012)
von: S. V. Zajtsev
Veröffentlicht: (2012)
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
von: P. V. Petrov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: P. V. Petrov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Мощный инвертор напряжения со специальной силовой микросхемой
von: Гаврилюк, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Гаврилюк, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
von: A. P. Savelyev, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: A. P. Savelyev, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Устройство для охлаждения элементов микроэлектронной аппаратуры
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Исследование термоупругих свойств ветвей термоэлектрических модулей Пельтье
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Влияние циклического режима работы охлаждающего термоэлектрического устройства на его надежность
von: Зайков, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Зайков, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Применение самовосстанавливающихся элементов для электрической защиты солнечных батарей
von: Тонкошкур, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Тонкошкур, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
von: Курак, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Курак, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Исследование характеристик миниатюрных тепловых труб для охлаждения микроэлектронной аппаратуры
von: Кравец, В.Ю.
Veröffentlicht: (2001)
von: Кравец, В.Ю.
Veröffentlicht: (2001)
Ähnliche Einträge
-
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002) -
Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)