Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением

Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных энергетических уровней в инжекционное усиление. Наибольшее усиление приходится дл...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2002
Main Authors:	Курмашев, Ш.Д., Викулин, И.М., Ленков, С.В., Сидорец, Р.Г.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Series:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:	Функциональная микроэлектроника
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70800
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков, Р.Г. Сидорец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70800
record_format	dspace
fulltext
spelling	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-708002025-02-23T18:36:02Z Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением Spectral photosensitive Ni—Si: Au-surface-barrier structures with injection amplification Курмашев, Ш.Д. Викулин, И.М. Ленков, С.В. Сидорец, Р.Г. Функциональная микроэлектроника Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных энергетических уровней в инжекционное усиление. Наибольшее усиление приходится для длин волн λ=1,25…1,75 мкм и может достигать 10 и более. Инжекционное усиление в данном случае связано с ростом биполярной дрейфовой подвижности носителей тока при освещении. Surface-barrier structures were used as the photodetectors with injection amplification. The spectrum of photosensitivity of the diodes on the base of compensated by gold silicon were investgated. The contribution of different energy levels at the injection amplification is discussed. The most amplification had on the region of waves lengths λ=1,25…1,75 mm and may reach 10 and more time. Injection amplification in this case is connected with increase of the bipolarity drift mobility of the current charges under the illumination. 2002 Article Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков, Р.Г. Сидорец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70800 621.383 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Функциональная микроэлектроника Функциональная микроэлектроника
spellingShingle	Функциональная микроэлектроника Функциональная микроэлектроника Курмашев, Ш.Д. Викулин, И.М. Ленков, С.В. Сидорец, Р.Г. Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description	Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных энергетических уровней в инжекционное усиление. Наибольшее усиление приходится для длин волн λ=1,25…1,75 мкм и может достигать 10 и более. Инжекционное усиление в данном случае связано с ростом биполярной дрейфовой подвижности носителей тока при освещении.
format	Article
author	Курмашев, Ш.Д. Викулин, И.М. Ленков, С.В. Сидорец, Р.Г.
author_facet	Курмашев, Ш.Д. Викулин, И.М. Ленков, С.В. Сидорец, Р.Г.
author_sort	Курмашев, Ш.Д.
title	Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
title_short	Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
title_full	Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
title_fullStr	Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
title_full_unstemmed	Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
title_sort	спектральная фоточувствительность ni—si:au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	2002
topic_facet	Функциональная микроэлектроника
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70800
citation_txt	Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков, Р.Г. Сидорец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv	AT kurmaševšd spektralʹnaâfotočuvstvitelʹnostʹnisiaupoverhnostnobarʹernyhstruktursinžekcionnymusileniem AT vikulinim spektralʹnaâfotočuvstvitelʹnostʹnisiaupoverhnostnobarʹernyhstruktursinžekcionnymusileniem AT lenkovsv spektralʹnaâfotočuvstvitelʹnostʹnisiaupoverhnostnobarʹernyhstruktursinžekcionnymusileniem AT sidorecrg spektralʹnaâfotočuvstvitelʹnostʹnisiaupoverhnostnobarʹernyhstruktursinžekcionnymusileniem AT kurmaševšd spectralphotosensitivenisiausurfacebarrierstructureswithinjectionamplification AT vikulinim spectralphotosensitivenisiausurfacebarrierstructureswithinjectionamplification AT lenkovsv spectralphotosensitivenisiausurfacebarrierstructureswithinjectionamplification AT sidorecrg spectralphotosensitivenisiausurfacebarrierstructureswithinjectionamplification
first_indexed	2025-11-24T11:37:26Z
last_indexed	2025-11-24T11:37:26Z
_version_	1849671545309364224

Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением

Institution

Similar Items