Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением

Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением

Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных энергетических уровней в инжекционное усиление. Наибольшее усиление приходится дл...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2002
Hauptverfasser: Курмашев, Ш.Д., Викулин, И.М., Ленков, С.В., Сидорец, Р.Г.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Schriftenreihe:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Schlagworte:
Функциональная микроэлектроника
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70800
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков, Р.Г. Сидорец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70800
record_format dspace
fulltext
spelling nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-708002025-02-23T18:36:02Z Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением Spectral photosensitive Ni—Si: Au-surface-barrier structures with injection amplification Курмашев, Ш.Д. Викулин, И.М. Ленков, С.В. Сидорец, Р.Г. Функциональная микроэлектроника Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных энергетических уровней в инжекционное усиление. Наибольшее усиление приходится для длин волн λ=1,25…1,75 мкм и может достигать 10 и более. Инжекционное усиление в данном случае связано с ростом биполярной дрейфовой подвижности носителей тока при освещении. Surface-barrier structures were used as the photodetectors with injection amplification. The spectrum of photosensitivity of the diodes on the base of compensated by gold silicon were investgated. The contribution of different energy levels at the injection amplification is discussed. The most amplification had on the region of waves lengths λ=1,25…1,75 mm and may reach 10 and more time. Injection amplification in this case is connected with increase of the bipolarity drift mobility of the current charges under the illumination. 2002 Article Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков, Р.Г. Сидорец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70800 621.383 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Функциональная микроэлектроника
Функциональная микроэлектроника
spellingShingle Функциональная микроэлектроника
Функциональная микроэлектроника
Курмашев, Ш.Д.
Викулин, И.М.
Ленков, С.В.
Сидорец, Р.Г.
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных энергетических уровней в инжекционное усиление. Наибольшее усиление приходится для длин волн λ=1,25…1,75 мкм и может достигать 10 и более. Инжекционное усиление в данном случае связано с ростом биполярной дрейфовой подвижности носителей тока при освещении.
format Article
author Курмашев, Ш.Д.
Викулин, И.М.
Ленков, С.В.
Сидорец, Р.Г.
author_facet Курмашев, Ш.Д.
Викулин, И.М.
Ленков, С.В.
Сидорец, Р.Г.
author_sort Курмашев, Ш.Д.
title Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
title_short Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
title_full Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
title_fullStr Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
title_full_unstemmed Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
title_sort спектральная фоточувствительность ni—si:au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2002
topic_facet Функциональная микроэлектроника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70800
citation_txt Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков, Р.Г. Сидорец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT kurmaševšd spektralʹnaâfotočuvstvitelʹnostʹnisiaupoverhnostnobarʹernyhstruktursinžekcionnymusileniem
AT vikulinim spektralʹnaâfotočuvstvitelʹnostʹnisiaupoverhnostnobarʹernyhstruktursinžekcionnymusileniem
AT lenkovsv spektralʹnaâfotočuvstvitelʹnostʹnisiaupoverhnostnobarʹernyhstruktursinžekcionnymusileniem
AT sidorecrg spektralʹnaâfotočuvstvitelʹnostʹnisiaupoverhnostnobarʹernyhstruktursinžekcionnymusileniem
AT kurmaševšd spectralphotosensitivenisiausurfacebarrierstructureswithinjectionamplification
AT vikulinim spectralphotosensitivenisiausurfacebarrierstructureswithinjectionamplification
AT lenkovsv spectralphotosensitivenisiausurfacebarrierstructureswithinjectionamplification
AT sidorecrg spectralphotosensitivenisiausurfacebarrierstructureswithinjectionamplification
first_indexed 2025-11-24T11:37:26Z
last_indexed 2025-11-24T11:37:26Z
_version_ 1849671545309364224

Ähnliche Einträge