Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных энергетических уровней в инжекционное усиление. Наибольшее усиление приходится дл...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2002 |
| Main Authors: | Курмашев, Ш.Д., Викулин, И.М., Ленков, С.В., Сидорец, Р.Г. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70800 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков, Р.Г. Сидорец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
by: Викулин, И.М., et al.
Published: (2004)
by: Викулин, И.М., et al.
Published: (2004)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)
Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
by: Ющук, С.И., et al.
Published: (2005)
by: Ющук, С.И., et al.
Published: (2005)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
by: Кондрат, А.Б., et al.
Published: (2001)
by: Кондрат, А.Б., et al.
Published: (2001)
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2012)
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2012)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2005)
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2005)
Устройства на основе фотонных кристаллов
by: Нелин, Е.А.
Published: (2004)
by: Нелин, Е.А.
Published: (2004)
Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений
by: Ницович, Б.М., et al.
Published: (2004)
by: Ницович, Б.М., et al.
Published: (2004)
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
by: Болгов, С.С.
Published: (2001)
by: Болгов, С.С.
Published: (2001)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2001)
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2001)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
by: Кутний, В.Е., et al.
Published: (2005)
by: Кутний, В.Е., et al.
Published: (2005)
Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников
by: Докторович, И.В., et al.
Published: (2002)
by: Докторович, И.В., et al.
Published: (2002)
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
by: Попович, Н.И., et al.
Published: (2001)
by: Попович, Н.И., et al.
Published: (2001)
Двухспектральный фотоприемник
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2005)
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2005)
Анизотропный термоэлектрический компаратор
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2002)
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2002)
Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
by: Брайко, Г.И., et al.
Published: (2003)
by: Брайко, Г.И., et al.
Published: (2003)
Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
by: Осадчук, В.С., et al.
Published: (2004)
by: Осадчук, В.С., et al.
Published: (2004)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2001)
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2001)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
by: Боднарук, О.А., et al.
Published: (2004)
by: Боднарук, О.А., et al.
Published: (2004)
Микрочиповые лазеры
by: Матковский, А.О., et al.
Published: (2002)
by: Матковский, А.О., et al.
Published: (2002)
Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
by: Кондрик, А.И.
Published: (2004)
by: Кондрик, А.И.
Published: (2004)
СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
by: Иващук, А.В., et al.
Published: (2003)
by: Иващук, А.В., et al.
Published: (2003)
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
by: Емцев, П.А.
Published: (2003)
by: Емцев, П.А.
Published: (2003)
Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА
by: Николаенко, Ю.Е., et al.
Published: (2002)
by: Николаенко, Ю.Е., et al.
Published: (2002)
Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
by: Демёхин, В.В., et al.
Published: (2004)
by: Демёхин, В.В., et al.
Published: (2004)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
by: Melebayew, D., et al.
Published: (2008)
by: Melebayew, D., et al.
Published: (2008)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
by: Ткачук, А.И., et al.
Published: (2007)
by: Ткачук, А.И., et al.
Published: (2007)
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
by: Tkachuk, A. I., et al.
Published: (2007)
by: Tkachuk, A. I., et al.
Published: (2007)
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
by: Джафарова, Э.А.
Published: (2006)
by: Джафарова, Э.А.
Published: (2006)
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2001)
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2001)
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2000)
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2000)
Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
by: Викулин, И.М., et al.
Published: (2003)
by: Викулин, И.М., et al.
Published: (2003)
Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
by: Исмайлов, К.А., et al.
Published: (2001)
by: Исмайлов, К.А., et al.
Published: (2001)
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2007)
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2007)
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
by: Bobrenko, Yu. N., et al.
Published: (2012)
by: Bobrenko, Yu. N., et al.
Published: (2012)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
by: Басанец, В.В., et al.
Published: (2015)
by: Басанец, В.В., et al.
Published: (2015)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
Similar Items
-
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
by: Викулин, И.М., et al.
Published: (2004) -
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008) -
Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
by: Ющук, С.И., et al.
Published: (2005) -
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
by: Кондрат, А.Б., et al.
Published: (2001) -
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2012)