Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных энергетических уровней в инжекционное усиление. Наибольшее усиление приходится дл...
Gespeichert in:
| Datum: | 2002 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Курмашев, Ш.Д., Викулин, И.М., Ленков, С.В., Сидорец, Р.Г. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70800 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков, Р.Г. Сидорец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002) -
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Двухспектральный фотоприемник
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001) -
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)