Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей

Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей

Предложена новая технология создания кремниевых торцевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) методом ЗПГТ, в котором градиент температуры создается световым нагревом на установке "Уран". КПД ФЭП, изготовленных данным методом, составляет около 11% без использования просветляющих и анти...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2002
Hauptverfasser: Курак, В.В., Цыбуленко, В.В., Агбомассу, В.Л.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Schriftenreihe:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Schlagworte:
Энергетическая микроэлектроника
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70803
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей / В.В. Курак, В.В. Цыбуленко, В.Л. Агбомассу // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 26-29. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70803
record_format dspace
fulltext
spelling nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-708032025-02-09T12:03:10Z Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей Technological perspective of efficiency increasing of semiconductor photoelectric converters Курак, В.В. Цыбуленко, В.В. Агбомассу, В.Л. Энергетическая микроэлектроника Предложена новая технология создания кремниевых торцевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) методом ЗПГТ, в котором градиент температуры создается световым нагревом на установке "Уран". КПД ФЭП, изготовленных данным методом, составляет около 11% без использования просветляющих и антиотражающих покрытий. Показана целесообразность изучения антиотражающих покрытий для планарных ФЭП на основе гетероструктур AlGaAs—GaAs. В качестве основного направления повышения эффективности таких ФЭП предложено использовать квантовые точки узкозонных материалов, размещенные в матрице широкозонного материала вблизи границы p—n-перехода. In paper the new technique for creation of buttend silicon solar cells by ZRGT method is proposed. In this technique the temperature gradient is created by light heating using "Uran" installation. The efficiency of solar cells produced by such method is about 11 % without usage of illuminating and antireflection covers. The expediency of study of antireflection covers for planar solar cells based on AlGaAs-GaAs heterostructure is shown. As basic direction for AlGaAs-GaAs solar cells efficiency increase the usage of narrow-bandgap quantum dots placed in a matrix of wide-bandgap material close to p—n-junction is proposed. 2002 Article Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей / В.В. Курак, В.В. Цыбуленко, В.Л. Агбомассу // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 26-29. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70803 621.383 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Энергетическая микроэлектроника
Энергетическая микроэлектроника
spellingShingle Энергетическая микроэлектроника
Энергетическая микроэлектроника
Курак, В.В.
Цыбуленко, В.В.
Агбомассу, В.Л.
Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Предложена новая технология создания кремниевых торцевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) методом ЗПГТ, в котором градиент температуры создается световым нагревом на установке "Уран". КПД ФЭП, изготовленных данным методом, составляет около 11% без использования просветляющих и антиотражающих покрытий. Показана целесообразность изучения антиотражающих покрытий для планарных ФЭП на основе гетероструктур AlGaAs—GaAs. В качестве основного направления повышения эффективности таких ФЭП предложено использовать квантовые точки узкозонных материалов, размещенные в матрице широкозонного материала вблизи границы p—n-перехода.
format Article
author Курак, В.В.
Цыбуленко, В.В.
Агбомассу, В.Л.
author_facet Курак, В.В.
Цыбуленко, В.В.
Агбомассу, В.Л.
author_sort Курак, В.В.
title Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
title_short Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
title_full Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
title_fullStr Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
title_full_unstemmed Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
title_sort технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2002
topic_facet Энергетическая микроэлектроника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70803
citation_txt Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей / В.В. Курак, В.В. Цыбуленко, В.Л. Агбомассу // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 26-29. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT kurakvv tehnologičeskijaspektpovyšeniâéffektivnostipoluprovodnikovyhfotoélektričeskihpreobrazovatelej
AT cybulenkovv tehnologičeskijaspektpovyšeniâéffektivnostipoluprovodnikovyhfotoélektričeskihpreobrazovatelej
AT agbomassuvl tehnologičeskijaspektpovyšeniâéffektivnostipoluprovodnikovyhfotoélektričeskihpreobrazovatelej
AT kurakvv technologicalperspectiveofefficiencyincreasingofsemiconductorphotoelectricconverters
AT cybulenkovv technologicalperspectiveofefficiencyincreasingofsemiconductorphotoelectricconverters
AT agbomassuvl technologicalperspectiveofefficiencyincreasingofsemiconductorphotoelectricconverters
first_indexed 2025-11-25T22:51:38Z
last_indexed 2025-11-25T22:51:38Z
_version_ 1849804559085469696

Ähnliche Einträge