Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей

• Datum: 2002
• Hauptverfasser: Курак, В.В., Цыбуленко, В.В., Агбомассу, В.Л.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Schriftenreihe: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Schlagworte: Энергетическая микроэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70803
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей / В.В. Курак, В.В. Цыбуленко, В.Л. Агбомассу // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 26-29. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Предложена новая технология создания кремниевых торцевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) методом ЗПГТ, в котором градиент температуры создается световым нагревом на установке "Уран". КПД ФЭП, изготовленных данным методом, составляет около 11% без использования просветляющих и анти...