Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC
Проведен обзор работ, в которых исследовались контактные системы на карбиде кремния. Рассмотрено влияние различных факторов на выпрямляющие свойства контактов, а именно, влияние предварительной обработки поверхности образца до нанесения металла и термообработки сформированной системы "металл—ка...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2001 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70839 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC / О.А. Агеев, А.М. Светличный, Н.А. Ковалев, Р.Н. Разгонов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |