Агеев, О., Светличный, А., Ковалев, Н., & Разгонов, Р. (2001). Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Chicago Style (17th ed.) CitationАгеев, О.А, А.М Светличный, Н.А Ковалев, and Р.Н Разгонов. "Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2001.
MLA (8th ed.) CitationАгеев, О.А, et al. "Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.