Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC
Проведен обзор работ, в которых исследовались контактные системы на карбиде кремния. Рассмотрено влияние различных факторов на выпрямляющие свойства контактов, а именно, влияние предварительной обработки поверхности образца до нанесения металла и термообработки сформированной системы "металл—ка...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70839 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC / О.А. Агеев, А.М. Светличный, Н.А. Ковалев, Р.Н. Разгонов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860139992583503872 |
|---|---|
| author | Агеев, О.А. Светличный, А.М. Ковалев, Н.А. Разгонов, Р.Н. |
| author_facet | Агеев, О.А. Светличный, А.М. Ковалев, Н.А. Разгонов, Р.Н. |
| citation_txt | Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC / О.А. Агеев, А.М. Светличный, Н.А. Ковалев, Р.Н. Разгонов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Проведен обзор работ, в которых исследовались контактные системы на карбиде кремния. Рассмотрено влияние различных факторов на выпрямляющие свойства контактов, а именно, влияние предварительной обработки поверхности образца до нанесения металла и термообработки сформированной системы "металл—карбид кремния" на высоту барьера. Проведен анализ экспериментальных данных.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:48:36Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2001, ¹ 2
37
ÒÅÕÍÎËÎÃÈß ÏÐÎÈÇÂÎÄÑÒÂÀ
Ðàññìîòðåíî âëèÿíèå îáðàáîòêè ïîâåð-
õíîñòè ïîëóïðîâîäíèêà äî íàíåñåíèÿ
ìåòàëëà è òåðìîîáðàáîòêè ñôîðìè-
ðîâàííîé ñèñòåìû «ìåòàëë�SiC» íà
âûñîòó áàðüåðà.
Êàðáèä êðåìíèÿ ÿâëÿåòñÿ îäíèì èç íàèáîëåå ïåð-
ñïåêòèâíûõ ìàòåðèàëîâ â òåõíîëîãèè ýëåêòðîííîãî
ïðèáîðîñòðîåíèÿ. Áîëüøîå çíà÷åíèå øèðèíû çàïðå-
ùåííîé çîíû, âåëè÷èíà êîòîðîé äëÿ ðàçëè÷íûõ ïî-
ëèòèïîâ ìîæåò âàðüèðîâàòüñÿ îò 2,4 ýÂ (3C) äî
3,33 ý (2H), âûñîêàÿ òåìïåðàòóðà Äåáàÿ, êðèòè÷åñ-
êàÿ íàïðÿæåííîñòü ïîëÿ ëàâèííîãî ïðîáîÿ è òåïëî-
ïðîâîäíîñòü äåëàþò êàðáèä êðåìíèÿ îäíèì èç îñ-
íîâíûõ ìàòåðèàëîâ äëÿ èçãîòîâëåíèÿ ýëåêòðîííûõ
ïðèáîðîâ, ðàáîòàþùèõ â ýêñòðåìàëüíûõ óñëîâèÿõ
� ïðè ïîâûøåííûõ òåìïåðàòóðå è ìîùíîñòè, â àã-
ðåññèâíûõ ñðåäàõ è â óñëîâèÿõ ïîâûøåííîé ðàäèà-
öèè [1, 2].
 íàñòîÿùåå âðåìÿ âåäóòñÿ èíòåíñèâíûå ðàáîòû
ïî ñòðóêòóðíîìó ñîâåðøåíñòâîâàíèþ ìîíîêðèñòàë-
ëîâ SiC è ðàçðàáîòêå ïðèáîðîâ íà åãî îñíîâå [1�
4]. Îäíîé èç ïðîáëåì êàðáèäîêðåìíèåâîé òåõíîëî-
ãèè ÿâëÿåòñÿ êà÷åñòâî êîíòàêòíî-ìåòàëëèçàöèîííîé
ñèñòåìû, îò êîòîðîé çàâèñèò áûñòðîäåéñòâèå è ìàê-
ñèìàëüíàÿ òåìïåðàòóðà ðàáîòû ðàçðàáàòûâàåìûõ óñ-
òðîéñòâ. Îñîáåííî ýòî àêòóàëüíî äëÿ òàêèõ ïðèáî-
ðîâ íà SiC êàê ôîòîïðèåìíèêè, âûïðÿìèòåëè, ïîëå-
âûå òðàíçèñòîðû ñ çàòâîðîì Øîòòêè, ãäå êîíòàêò
"ìåòàëë�ïîëóïðîâîäíèê" èñïîëüçóåòñÿ â êà÷åñòâå
àêòèâíîé îáëàñòè.
Èçó÷åíèþ ñâîéñòâ êîíòàêòà "ìåòàëë�SiC" â ïîñ-
ëåäíèå ãîäû óäåëÿëîñü áîëüøîå âíèìàíèå. Íåäàâíî
âûøëè íåñêîëüêî îáçîðîâ [5�7], â êîòîðûõ îáîá-
ùåíû ðåçóëüòàòû èññëåäîâàíèé êîíòàêòîâ ê êàðáèäó
êðåìíèÿ ðàçëè÷íûõ ïîëèòèïîâ.  íàñòîÿùåì îáçî-
ðå ìû îñòàíîâèìñÿ íà áîëåå ïîçäíèõ ðàáîòàõ, à òàê-
æå íà ðàáîòàõ, çàòðàãèâàþùèõ ïðîáëåìó âëèÿíèÿ
ñïîñîáîâ ïîäãîòîâêè ïîâåðõíîñòè è ðåæèìîâ òåð-
ìîîáðàáîòêè íà âûñîòó ïîòåíöèàëüíîãî áàðüåðà êîí-
òàêòà "ìåòàëë�ïîëóïðîâîäíèê".
 ñëó÷àå èäåàëüíîãî êîíòàêòà "ìåòàëë�ïîëó-
ïðîâîäíèê" ïðåäïîëàãàåòñÿ, ÷òî íà ãðàíèöå
ðàçäåëà îòñóòñòâóþò ïîâåðõíîñòíûå ñîñòîÿíèÿ è âû-
äåëåíèÿ òðåòüåé ôàçû (îêñèäû è äð. õèìè÷åñêèå ñî-
åäèíåíèÿ). Åñëè ðàáîòà âûõîäà ó ïîëóïðîâîäíèêà
n-òèïà (Φs) ìåíüøå, ÷åì ðàáîòà âûõîäà ó ìåòàëëà
ÂËÈßÍÈÅ ÎÁÐÀÁÎÒÊÈ ÏÎÂÅÐÕÍÎÑÒÈ È ÍÀÃÐÅÂÀ
ÍÀ ÂÛÑÎÒÓ ÏÎÒÅÍÖÈÀËÜÍÎÃÎ ÁÀÐÜÅÐÀ
ÊÎÍÒÀÊÒÎÂ Ê SiC
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
20.10 2000 ã.
Îïïîíåíò ê. ô.-ì. í. Å. Ì. ÑÅÌÀØÊÎ
Ê. ò. í. Î. À. ÀÃÅÅÂ, ê. ò. í. À. Ì. ÑÂÅÒËÈ×ÍÛÉ,
Í. À. ÊÎÂÀËÅÂ, Ð. Í. ÐÀÇÃÎÍÎÂ
Ðîññèÿ, Òàãàíðîãñêèé ãîñ. ðàäèîòåõíè÷åñêèé óí-ò
E-mail: ageev@tsure.ru
(Φm), òî â ñëó÷àå ïðèâåäåíèÿ îáðàçöîâ â êîíòàêò
ïðîèñõîäèò ïåðåíîñ íîñèòåëåé çàðÿäà èç ïîëóïðî-
âîäíèêà â ìåòàëë äî óñòàíîâëåíèÿ òåðìîäèíàìè÷åñ-
êîãî ðàâíîâåñèÿ. Óðîâíè Ôåðìè â îáîèõ ìàòåðèà-
ëàõ âûðàâíèâàþòñÿ è ïðîèñõîäèò ôîðìèðîâàíèå ïî-
òåíöèàëüíîãî áàðüåðà.
Âûñîòà áàðüåðà (Φb), êîòîðûé ïðåîäîëåâàåò ýëåê-
òðîí, äâèæóùèéñÿ èç ìåòàëëà â ïîëóïðîâîäíèê, ðàâ-
íà ðàçíîñòè ìåæäó ðàáîòîé âûõîäà ìåòàëëà è ýëåê-
òðîííûì ñðîäñòâîì ïîëóïðîâîäíèêà (χ) [5, 8, 9].
Ïðè ýòîì â ïîëóïðîâîäíèêå îáðàçóåòñÿ îáåäíåííàÿ
îáëàñòü.
Àíàëèç ïîêàçûâàåò, ÷òî Φb çàâèñèò êàê îò ïàðà-
ìåòðîâ ïîëóïðîâîäíèêà, òàê è îò ïàðàìåòðîâ ìåòàë-
ëà. Ýòîò ñëó÷àé íàçûâàåòñÿ ïðåäåëîì Øîòòêè [5] è
íà ïðàêòèêå ðåàëèçóåòñÿ íà ïîâåðõíîñòè ïîëóïðî-
âîäíèêà, ïîëó÷åííîé ñêîëîì â âûñîêîì âàêóóìå ñ
ïîñëåäóþùèì íàíåñåíèåì íà íåå ìåòàëëà. Ïðè ýòîì
âûñîòà áàðüåðà ïðÿìî ïðîïîðöèîíàëüíà ðàáîòå âû-
õîäà ìåòàëëà, è ïîëó÷åíèå âûïðÿìëÿþùèõ èëè îìè-
÷åñêèõ êîíòàêòîâ îáóñëîâëåíî âûáîðîì ìåòàëëà ñ
ñîîòâåòñòâóþùåé ðàáîòîé âûõîäà.
Íà ïîâåðõíîñòè ðåàëüíûõ ïîëóïðîâîäíèêîâûõ
êðèñòàëëîâ âñåãäà ïðèñóòñòâóþò äåôåêòû êðèñòàë-
ëè÷åñêîé ðåøåòêè. Êðîìå òîãî, íà ãðàíèöå ðàçäåëà
ðåàëüíûõ êîíòàêòîâ "ìåòàëë�ïîëóïðîâîäíèê" âñå-
ãäà èìååòñÿ òîíêèé ãðàíè÷íûé ñëîé, ñôîðìèðîâàí-
íûé çà ñ÷åò îñòàòî÷íûõ çàãðÿçíåíèé, îêèñíûõ ïëå-
íîê è ïðîäóêòîâ õèìè÷åñêîãî âçàèìîäåéñòâèÿ ìå-
òàëëà ñ ïîëóïðîâîäíèêîì. Ïî ýòèì ïðè÷èíàì â îá-
ëàñòè êîíòàêòà "ìåòàëë�ïîëóïðîâîäíèê" èìåþòñÿ
ïîâåðõíîñòíûå ñîñòîÿíèÿ, õàðàêòåðèçóþùèåñÿ ïëîò-
íîñòüþ Ds è ýíåðãåòè÷åñêèì óðîâíåì Φ0, à êîíòàêò-
íàÿ ðàçíîñòü ïîòåíöèàëîâ Φm�Φs áóäåò êîìïåíñè-
ðîâàòüñÿ çàðÿäîì ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿíèé. Ñëå-
äîâàòåëüíî, Φ0 íå áóäåò çàâèñåòü îò Φm.
 ýòîì ñëó÷àå âûñîòà áàðüåðà íå çàâèñèò îò ïà-
ðàìåòðîâ ìåòàëëà è îïðåäåëÿåòñÿ ïàðàìåòðàìè ïî-
ëóïðîâîäíèêà è ãðàíè÷íîãî ñëîÿ. Íåîáõîäèìî îò-
ìåòèòü òàêæå, ÷òî ïàðàìåòðû ãðàíè÷íîãî ñëîÿ çàâè-
ñÿò îò ìåòîäà è ðåæèìà îáðàáîòêè ïîâåðõíîñòè ïå-
ðåä íàíåñåíèåì êîíòàêòà. Ýòîò ñëó÷àé íàçûâàåòñÿ
ïðåäåëîì Áàðäèíà [5]. Ðåçóëüòèðóþùàÿ âåëè÷èíà
Φb ðåàëüíîãî êîíòàêòà "ìåòàëë�ïîëóïðîâîäíèê"
îïðåäåëÿåòñÿ êàê ïðåäåëîì Øîòòêè, òàê è ïðåäåëîì
Áàðäèíà.
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2001, ¹ 2
38
ÒÅÕÍÎËÎÃÈß ÏÐÎÈÇÂÎÄÑÒÂÀ
Åñëè S≈1, êîíòàêò âåäåò ñåáÿ êàê áàðüåð Øîòòêè,
åñëè S≈0 � êàê áàðüåð Áàðäèíà.
Äëÿ áèíàðíûõ ìàòåðèàëîâ S çàâèñèò îò ðàçíîñòè
ýëåêòðîîòðèöàòåëüíîñòåé êîìïîíåíò è îïðåäåëÿåòñÿ
âèäîì ñâÿçè (êîâàëåíòíîé èëè èîííîé) (ðèñ. 1) [5].
Òàêèì îáðàçîì, íåîáõîäèìî îòìåòèòü, ÷òî Ôb êîí-
òàêòà "ìåòàëë � êàðáèä êðåìíèÿ" áóäåò ñèëüíî çà-
âèñåòü îò ìåòîäîâ è ðåæèìîâ îáðàáîòêè ïîâåðõíîñ-
òè SiC (êàê ìåõàíè÷åñêèõ, òàê è õèìè÷åñêèõ), ìåòî-
äîâ, ðåæèìîâ íàíåñåíèÿ è ðàáîòû âûõîäà ìåòàëëà, à
òàêæå ðåæèìîâ îòæèãà ñòðóêòóðû.
 ðàáîòå [10] èññëåäîâàëèñü äèîäû Øîòòêè,
ñôîðìèðîâàííûå íà êîíòàêòàõ ìåòàëëîâ (Au,
Mo, Cr è Al) ñ n-6H�SiC. Áûëî îáíàðóæåíî, ÷òî Φb
äëÿ âñåõ èññëåäîâàííûõ ìåòàëëîâ ïðèáëèçèòåëüíî
îäèíàêîâà, ñîîòâåòñòâóåò ïîëîâèíå øèðèíû çàïðå-
ùåííîé çîíû 6H�SiC è îïðåäåëÿåòñÿ ïðèñóòñòâè-
åì â îáëàñòè êîíòàêòà ëîêàëèçîâàííûõ ñîñòîÿíèé,
îáðàçîâàííûõ äåôåêòàìè, ò. å. óðîâåíü Ôåðìè ôèê-
ñèðóåòñÿ ïðè ýíåðãèÿõ, ñîîòâåòñòâóþùèõ ñîñòîÿíè-
ÿì äåôåêòîâ Φ0.
Íåîáõîäèìî îòìåòèòü, ÷òî çíà÷åíèÿ Φb, ïîëó÷åí-
íûå ðàçëè÷íûìè àâòîðàìè [11�13], èìåþò ðàçëè-
÷èÿ, îáóñëîâëåííûå ñèëüíîé çàâèñèìîñòüþ ïîâåðõ-
íîñòíûõ ñâîéñòâ êàðáèäà êðåìíèÿ îò ìåòîäà îáðà-
áîòêè ïîâåðõíîñòè è òåõíîëîãèè èçãîòîâëåíèÿ ìå-
òàëëè÷åñêîãî êîíòàêòà. Òàê, ïðè èçó÷åíèè áàðüåðîâ
Øîòòêè íàáëþäàëèñü ðàçëè÷íûå çàâèñèìîñòè Φb îò
Φm.  îäíîì ñëó÷àå (Φb~1,45 ý äëÿ çîëîòà, àëþìè-
íèÿ è ñåðåáðà) çàâèñèìîñòè íå íàáëþäàëîñü, â äðó-
ãîì � âûñîòà áàðüåðà óâåëè÷èâàëàñü îò 0,35 ýÂ
äëÿ ìàãíèÿ (Φm=3,6 ýÂ) äî 1,4 ýÂ äëÿ çîëîòà
(Φm=5,1 ýÂ) [11]. Ïîäãîòîâêà ïîâåðõíîñòè SiC â
ýòèõ ðàáîòàõ âêëþ÷àëà ïðåäâàðèòåëüíîå îêèñëåíèå
ñ ïîñëåäóþùèì óäàëåíèåì îêèñëà õèìè÷åñêèì òðàâ-
ëåíèåì, îòìûâêó è îòæèã â âûñîêîì âàêóóìå.
Àâòîðàìè ðàáîòû [11] ïðè ýêñïåðèìåíòàëüíîì
èññëåäîâàíèè çàâèñèìîñòè âûñîòû áàðüåðà îò ðà-
áîòû âûõîäà ýëåêòðîíà èç ìåòàëëà áûëè èñïîëüçî-
âàíû áàðüåðíûå ñòðóêòóðû íà îñíîâå ìåòàëëîâ ñ
ñèëüíî ðàçëè÷àþùèìèñÿ çíà÷åíèÿìè ðàáîòû âûõî-
äà (îò 4,28 ýÂ ó àëþìèíèÿ äî 5,1 ýÂ ó çîëîòà).
Íà ðèñ. 2 ïîêàçàíû çàâèñèìîñòè áàðüåðà îò ðà-
áîòû âûõîäà ýëåêòðîíà èç ìåòàëëà, ïîñòðîåííûå ïî
äàííûì ðàçëè÷íûõ àâòîðîâ è ïðåäñòàâëåííûå â [11].
Ðàçëè÷íûé íàêëîí çàâèñèìîñòåé îòðàæàåò ñèëüíîå
âëèÿíèå íà ïîâåðõíîñòíûå ñâîéñòâà êàðáèäà êðåì-
íèÿ ðàçëè÷íûõ ìåòîäîâ ïîäãîòîâêè ïîâåðõíîñòè
ïåðåä íàíåñåíèåì êîíòàêòîâ. Ãîðèçîíòàëüíàÿ ëèíèÿ
Φb~1,45 ýÂ îïèñûâàåò ïðåäåë Áàðäèíà � âûñîòà
áàðüåðà ïîëíîñòüþ îïðåäåëÿåòñÿ âûñîêîé ïëîòíîñ-
òüþ ñîñòîÿíèé íà ãðàíèöå "ìåòàëë�ïîëóïðîâîäíèê".
Ïóíêòèðíûå ëèíèè ñîîòâåòñòâóþò ïðåäåëó Øîòòêè.
 ðàáîòå [14] èññëåäîâàëèñü êîíòàêòû ê ýïèòàê-
ñèàëüíûì ñëîÿì 6H�SiC n-òèïà, ïîëó÷åííûì ìåòî-
äîì ñóáëèìàöèè è ãàçîôàçíîé ýïèòàêñèè (CVD).
Äëÿ ýïèòàêñèàëüíûõ ñëîåâ 6H�SiC, ïîëó÷åííûõ
ìåòîäîì ñóáëèìàöèè, áûëî îáíàðóæåíî, ÷òî Φb ñëàáî
çàâèñèò îò âèäà íàïûëÿåìîãî ìåòàëëà è îïðåäåëÿåò-
áåçðàçìåðíûé ïàðàìåòð, îïðåäåëÿþùèé
íàêëîí çàâèñèìîñòè Φb=f(Φm);
êîíñòàíòà.
ãäå
χ
Φ=
ä
ä
S b �
Ñ �
Ãðàíè÷íûé ñëîé õàðàêòåðèçóåòñÿ äèýëåêòðè÷åñ-
êîé ïðîíèöàåìîñòüþ εi è òîëùèíîé δ. Ïðè ýòîì â
îòñóòñòâèå ïðèëîæåííîãî íàïðÿæåíèÿ (â ñîñòîÿíèè
ïëîñêèõ çîí) âûñîòà áàðüåðà îïðåäåëÿåòñÿ èç âû-
ðàæåíèÿ [5]
( ) ( )( )0
0 1 Φ−γ−+χ−Φγ=Φ gmb E , (1)
ãäå
δ+ε
ε
=γ
si
i
qD
; q � çàðÿä ýëåêòðîíà.
Áåçðàçìåðíûé ïàðàìåòð γ èçìåíÿåòñÿ îò 0 äî 1 è
çàâèñèò îò ïëîòíîñòè ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿíèé. Åñëè
qDsδ>>εi, òî γ<<1, è ðåàëèçóåòñÿ ïðåäåë Áàðäèíà.
Åñëè qDsδ<<εi, òî γ≈1, è ðåàëèçóåòñÿ ïðåäåë Øîòòêè.
Áîëüøèíñòâî ãðàíè÷íûõ ñëîåâ èìåþò δ≈1 íì,
ε
i
∈[3...9], à çíà÷èò, íàëè÷èå ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿ-
íèé ñ ïëîòíîñòüþ Ds>1011 ñì�2 ý ïðèâîäèò ê òîìó,
÷òî çàêîíîìåðíîñòè ïðåäåëà Øîòòêè íàðóøàþòñÿ.
Íåîáõîäèìî îòìåòèòü, ÷òî òî÷íî óñòàíîâèòü ïðè-
ðîäó àòîìîâ ãðàíè÷íîãî ñëîÿ äîñòàòî÷íî ñëîæíî,
ïîñêîëüêó íåîáõîäèìî ó÷èòûâàòü ïðåäûñòîðèþ ïî-
âåðõíîñòè. Êðîìå òîãî, íà ïàðàìåòðû ãðàíè÷íîãî ñëîÿ
îêàçûâàþò âëèÿíèå ñòðóêòóðà ìåòàëëè÷åñêîé ïëåí-
êè è ïîâåðõíîñòè ïîëóïðîâîäíèêà, à çíà÷èò, ñïîñîáû
è ðåæèìû îñàæäåíèÿ ïëåíêè.
Ïîñêîëüêó ïîñëå íàíåñåíèÿ ìåòàëëà ñòðóêòóðà
ïîäâåðãàåòñÿ îòæèãó, íåîáõîäèìî òàêæå ó÷èòûâàòü
ïðîöåññû âçàèìîäèôôóçèè è õèìè÷åñêîãî âçàèìî-
äåéñòâèÿ ìåòàëëà è ïîëóïðîâîäíèêà. Âàæíîé îñî-
áåííîñòüþ âçàèìîäåéñòâèÿ ìåòàëëà ñ ïîëóïðîâîä-
íèêîì ÿâëÿåòñÿ íàëè÷èå íåñêîëüêèõ ìåòàñòàáèëü-
íûõ ôàç, êîòîðûå ìîãóò ïðåîáðàçîâûâàòüñÿ îäíà â
äðóãóþ ïðè íàãðåâå. Îñîáåííî ýòè ïðîöåññû ñëîæ-
íû â áèíàðíûõ ïîëóïðîâîäíèêàõ. Íàïðèìåð, SiC ñ
ðàçëè÷íûìè ìåòàëëàìè ìîæåò ôîðìèðîâàòü íåñêîëüêî
ìåòàñòàáèëüíûõ ôàç êàê êàðáèäîâ, òàê è ñèëèöèäîâ.
Ïîýòîìó îáû÷íî ïðè èíòåðïðåòàöèè ðåçóëüòàòîâ
ýêñïåðèìåíòà èñïîëüçóþò ñîîòíîøåíèå
Φb= Sχ+ C , (2)
ZnS AlN ZnO SiTiO3
GaS SnO2
SiO2
Ga2O3
Al2O3
GdS
GaSe
ZnSe
CdSe
Si
Ge
InSb
GaAs
InP
CdTe GaP
GaTe
SiC
Êîâàëåíòíàÿ
ñâÿçü Èîííàÿ ñâÿçü
S
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0
0 0,5 1,0 1,5 2,0 ∆χ
Ðèñ. 1. Çàâèñèìîñòü S äëÿ ðàçëè÷íûõ ïîëóïðîâîäíè-
êîâ îò ðàçíîñòè ýëåêòðîîòðèöàòåëüíîñòåé êîìïîíåíò ∆χ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2001, ¹ 2
39
ÒÅÕÍÎËÎÃÈß ÏÐÎÈÇÂÎÄÑÒÂÀ
îòæèãàëèñü â âàêóóìå 10�4 Ïà ïðè 500°C â òå÷åíèå
1�1,5 ìèí. Íàïûëåíèå áûëî âûïîëíåíî ïðè òåìïå-
ðàòóðå îáðàçöà 100°C ðåçèñòèâíûì (Au, Al, Cr) èëè
ýëåêòðîííî-ëó÷åâûì (Mo) ìåòîäàìè.
Àíàëèç ïîêàçûâàåò, ÷òî ïîñëå òðàâëåíèÿ â KOH
ïîâåðõíîñòü ýïèòàêñèàëüíûõ ñëîåâ õàðàêòåðèçóåòñÿ
áîëüøîé ïëîòíîñòüþ ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿíèé, ïðè
ýòîì ðåàëèçóåòñÿ ïðåäåë Áàðäèíà, è Φb íå çàâèñèò îò
Φm. Òðàâëåíèå â ïëàçìå ñíèæàåò ïëîòíîñòü ïîâåðõ-
íîñòíûõ ñîñòîÿíèé è ïðèâîäèò ê óñèëåíèþ âëèÿíèÿ
Φm íà Φb [14].
 ðàáîòàõ [15�17] èññëåäîâàëèñü îáðàçöû 6H�
SiC n-òèïà ñ êîíòàêòàìè èç Ti, Mo è Ni. Âñå îáðàçöû
ïðåäâàðèòåëüíî áûëè îáðàáîòàíû â 5%-íîì ðàñòâî-
ðå HF â òå÷åíèå 60 ñ. Ïîñëå ýòîãî íà ÷àñòè îáðàç-
öîâ ýëåêòðîííî-ëó÷åâûì èñïàðåíèåì áûëè ñîçäàíû
êîíòàêòû áåç äîïîëíèòåëüíîé îáðàáîòêè 6H�SiC,
äðóãóþ ÷àñòü îáðàçöîâ îáðàáîòàëè â äåèîíèçîâàí-
íîé âîäå ïðè òåìïåðàòóðå 100°Ñ, òðåòüþ ïîäâåðãëè
ìíîãîñòóïåí÷àòîé î÷èñòêå, ñî÷åòàþùåé ïîñëåäîâà-
òåëüíîå îêèñëåíèå ïðè òåìïåðàòóðàõ 1100, 300 è
800°Ñ ñ îáðàáîòêîé â 5%-íîì ðàñòâîðå HF è ñòàí-
äàðòíóþ î÷èñòêó [18, 19] ïîñëå êàæäîãî îêèñëåíèÿ.
Ïîñëå ýòîãî îáðàçöû ïðîìûâàëèñü â ãîðÿ÷åé âîäå è
íà íèõ ôîðìèðîâàëèñü êîíòàêòû.
Íà ðèñ. 4 èçîáðàæåíà çàâèñèìîñòü Φb îò Φm äëÿ
òðåõ òèïîâ îáðàáîòêè ïîâåðõíîñòè îáðàçöîâ 6Í�SiC
n-òèïà ñ êîíöåíòðàöèåé ïðèìåñè ND=5·1017 ñì�3. Â
çàâèñèìîñòè îò âèäà îáðàáîòêè êîýôôèöèåíò íà-
êëîíà S èìååò ðàçëè÷íûå çíà÷åíèÿ: áåç îáðàáîòêè
(à) � S=0,2, ïðè îêèñëåíèè è ïîñëåäóþùåì òðàâëå-
íèè â HF (á) S=0,8 è ïðè êèïÿ÷åíèè â äåèîíèçî-
âàííîé âîäå (â) S=1, ïðè ýòîì óðîâåíü Ôåðìè íè-
êàê íå ïðèâÿçàí ê óðîâíþ ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿ-
íèé Φ0.
ñÿ, ãëàâíûì îáðàçîì, ïëîòíîñòüþ ïîâåðõíîñòíûõ ñî-
ñòîÿíèé, êðîìå òîãî, âëèÿíèå ìåòîäà îáðàáîòêè ñëà-
áî ñêàçûâàåòñÿ íà âåëè÷èíå Φb.  òî æå âðåìÿ ïðè
èññëåäîâàíèè ýïèòàêñèàëüíûõ ñëîåâ SiC, ïîëó÷åí-
íûõ ãàçîôàçíîé ýïèòàêñèåé, áûëî îáíàðóæåíî ñèëü-
íîå (áîëåå ÷åì íà 3 ïîðÿäêà) èçìåíåíèå îáðàòíûõ
òîêîâ â çàâèñèìîñòè îò ñïîñîáà îáðàáîòêè ïîëó-
ïðîâîäíèêà äî íàïûëåíèÿ ìåòàëëà [14]. Â ýòîé ðà-
áîòå òàêæå áûëî èññëåäîâàíî âëèÿíèå ìåòîäà îáðà-
áîòêè ïîâåðõíîñòè ýïèòàêñèàëüíûõ ñëîåâ 6H�SiC,
âûðàùåííûõ ìåòîäîì ãàçîôàçíîé ýïèòàêñèè, íà ïàðà-
ìåòðû êîíòàêòà. Ðåçóëüòàòû ïðåäñòàâëåíû íà ðèñ. 3.
Âñå ýïèòàêñèàëüíûå ñëîè áûëè âûðàùåíû íà ãðàíè
(0001) Si ïîäëîæêè 6H�SiC n-òèïà. Èññëåäîâà-
ëèñü ñëåäóþùèå âèäû îáðàáîòêè ïîâåðõíîñòè: òðàâ-
ëåíèå â ïëàçìå SF6, î÷èñòêà îðãàíè÷åñêèìè ðàñòâî-
ðèòåëÿìè, òðàâëåíèå â ÊÎÍ. Äî ñîçäàíèÿ áàðüåðà
îáðàçöû ïðîìûâàëèñü â äåèîíèçîâàííîé âîäå, çàòåì
Ðèñ. 4. Çàâèñèìîñòü âûñîòû áàðüåðà Øîòòêè îò ðàáîòû
âûõîäà ýëåêòðîíîâ èç ìåòàëëà äëÿ SiC ñ ðàçëè÷íîé îá-
ðàáîòêîé ïîâåðõíîñòè:
à � áåç îáðàáîòêè; á � îêèñëåíèå ñ ïîñëåäóþùèì òðàâëåíè-
åì â HF; â � ïîãðóæåíèå â êèïÿùóþ äåèîíèçîâàííóþ âîäó
Φb,
ýÂ
1,5
1
0,5
0
3,5 4 4,5 5 Φm, ýÂ
Ìåòàëë/6H�SiC(0001)
ND=5·1017 ñì�3
(à)
(á) (â
)
S=0,2
S=
0,3S=
1,
0
Ðèñ. 2. Çàâèñèìîñòü âûñîòû áàðüåðà îò ðàáîòû âûõîäà
ýëåêòðîíà èç ìåòàëëà
Φb,
ýÂ
1,5
1
0,5
0
3,5 4 4,5 5 5,5 Φm,ýÂ
Ag Al Au
MoAl
Cr Co
Ni
Pd
Pt
Ag
Mn Ti
Al
Mg
Hf
Ðèñ. 3. Çàâèñèìîñòü âûñîòû áàðüåðà îò ðàáîòû âûõîäà
ýëåêòðîíîâ èç ìåòàëëà íà îáðàçöàõ 6H�SiC n-òèïà ñ
ðàçëè÷íîé îáðàáîòêîé ïîâåðõíîñòè:
1 � ïîñëå òðàâëåíèÿ â ÊÎÍ; 2, 5 � áåç ñïåöèàëüíîé îáðàáîòêè;
3, 4 � ïîñëå ïëàçìåííîãî òðàâëåíèÿ
Φb,
ýÂ
1,6
1,2
0,8
0,4
0
4,2 4,4 4,6 4,8 5,0 Φm,ýÂ
1
2
3
4
5
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2001, ¹ 2
40
ÒÅÕÍÎËÎÃÈß ÏÐÎÈÇÂÎÄÑÒÂÀ
Êîíòàêòû Ni�SiC äëÿ âñåõ ìåòîäîâ îáðàáîòêè
ôîðìèðóþò áàðüåð Øîòòêè, è Φb óâåëè÷èâàåòñÿ ïðè
èçìåíåíèè ìåòîäà îáðàáîòêè îò (à) ê (â). Ó êîí-
òàêòîâ Ti�SiC Φb óìåíüøàåòñÿ ïðè èçìåíåíèè ìåòî-
äà îáðàáîòêè îò (à) ê (â). Ó êîíòàêòîâ Mo�SiC Φb
äëÿ âñåõ ìåòîäîâ îáðàáîòêè îñòàåòñÿ ïî÷òè íåèç-
ìåííîé. Òî÷êà ïåðåñå÷åíèÿ òðåõ ãðàôèêîâ îïðåäå-
ëÿåòñÿ ýíåðãèåé ïðèâÿçêè óðîâíÿ Ôåðìè, ò. ê. â
ýòîé òî÷êå Φb íå çàâèñèò îò ìåòîäà îáðàáîòêè ïî-
âåðõíîñòè è ðàâíà 0,70 ýÂ ïðè Φm = 4,6 ýÂ [15].
Ýêñòðàïîëÿöèåé ïðÿìîé ëèíèè ñ S=1 ìîæíî ïîëó-
÷èòü çíà÷åíèå ðàáîòû âûõîäà ìåòàëëà, ïðè êîòîðîì
äîñòèãàåòñÿ íóëåâîå çíà÷åíèå âûñîòû áàðüåðà Øîò-
òêè; îíî ñîñòàâëÿåò 3,9 ýÂ.
 ðàáîòå [15] áûëî ïðîâåäåíî èññëåäîâàíèå
âëèÿíèÿ òåìïåðàòóðû îòæèãà íà ïàðàìåòðû
âûïðÿìëÿþùèõ è îìè÷åñêèõ êîíòàêòîâ ê SiC. Áûëè
ðàññìîòðåíû îìè÷åñêèå Ti-êîíòàêòû íà îáðàçöàõ
6H�SiC(0001) n-òèïà, îáðàáîòàííûõ ïîãðóæåíèåì
â êèïÿùóþ âîäó, è Ti-êîíòàêòû ñ áàðüåðîì Øîòòêè
íà îáðàçöàõ, îáðàáîòàííûõ â 5%-íîì ðàñòâîðå HF.
Äâå ïàðòèè îáðàçöîâ áûëè îòîææåíû â àòìîñ-
ôåðå àðãîíà, ïðè ýòîì Ti-êîíòàêòû áûëè çàêðûòû Ni,
÷òîáû ïðåäîõðàíèòü ïîâåðõíîñòü îò îêèñëåíèÿ. Ó
îìè÷åñêèõ êîíòàêòîâ äî òåìïåðàòóðû (Ò) 400°Ñ çíà-
÷åíèå ñîïðîòèâëåíèÿ êîíòàêòà (ρc) íå èçìåíÿëîñü
(ðèñ. 5). Íà÷èíàÿ ñ òåìïåðàòóðû 450°Ñ ρc ðåçêî
âîçðàñòàåò è äîñòèãàåò ìàêñèìóìà ïðè 600°Ñ, çàòåì
óìåíüøàåòñÿ. Óõóäøåíèå îìè÷åñêèõ ñâîéñòâ êîí-
òàêòà â äèàïàçîíå òåìïåðàòóð ìåæäó 450 è 600°Ñ
àâòîðû ñâÿçûâàþò ñ íàðóøåíèåì õèìè÷åñêèõ ñâÿçåé
ìåæäó àòîìàìè íà ãðàíèöå ðàçäåëà è óâåëè÷åíèåì
ïëîòíîñòè ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿíèé. Ïðè íàãðåâå
áîëåå 650°Ñ ïëîòíîñòü ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿíèé
óìåíüøàåòñÿ èç-çà âîññòàíîâëåíèÿ ìåæàòîìíûõ ñâÿ-
çåé è ôîðìèðîâàíèÿ íà ãðàíèöå ðàçäåëà TiC. Âûï-
ðÿìëÿþùèå ñâîéñòâà áàðüåðîâ Øîòòêè óõóäøàþò-
ñÿ ïðè òåìïåðàòóðå áîëåå 550°Ñ.
Ðèñ. 5. Âëèÿíèå òåìïåðàòóðû îòæèãà íà ïàðàìåòðû êîí-
òàêòîâ Ti/6H�SiC(0001) ñ ïîâåðõíîñòüþ, îáðàáîòàííîé
ðàçëè÷íûìè ìåòîäàìè
ρc,
Îì·ñì2
102
101
100
10�1
10�2
10�3
0 200 400 600 800 T, °C
Φb,
ýÂ
0,8
0,6
0,4
0,2
0
Îáðàáîòêà
â 5%-íîì ðàñòâîðå HF
Øîòòêè
Îáðàáîòêà
â êèïÿùåé âîäå
Îìè÷åñêèé
Ti/6H�SiC
Ô
îð
ì
èð
îâ
àí
èå
T
iC
Ìåòàë-
ëèçàöèÿ
Óñëîâèÿ îòæèãà Φb , ýÂ
Ïîâåðõíîñòü
SiC
Al 900ºC, 3 ìèí ~1,7 (0001)
Al Áåç îòæèãà
0,84−0,89
0,26−0,30
)1000(
(0001)
Al 600ºC, 30 ñ
1,36−1,66
0,82−1,12
)1000(
(0001)
Ti 700ºC, 40−60 ìèí 0,86−1,04 (0001)
Ti Áåç îòæèãà 1,0−1,03
0,73
)1000(
(0001)
Ti 400ºC
0,98
0,93−0,97
)1000(
(0001)
Ni Áåç îòæèãà
1,54−1,68
1,24−1,29
)1000(
(0001)
Ni 400ºC, 30 ñ
1,51−1,66
1,23−1,25
)1000(
(0001)
Ni 600°C, 30 ñ 1,16−1,39 (0001)
Cr Áåç îòæèãà 0,82−0,85
~1,22
)1000(
(0001)
Cr 400°C 1,07−1,43 )1000(
Mo Áåç îòæèãà ~1,30 (0001)
W Áåç îòæèãà 0,79 (0001)
Òàáëèöà 1
Âûïðÿìëÿþùèå êîíòàêòû íà 6H�SiC n-òèïà
Ìåòàë-
ëèçàöèÿ
Óñëîâèÿ îòæèãà Φb, ýÂ
Ïîâåðõíîñòü
SiC
Al Áåç îòæèãà 2,22
2,47
)1000(
(0001)
Al 600°C, 30 ñ
1,04
1,58
)1000(
(0001)
Ti Áåç îòæèãà
1,79
2,16
)1000(
(0001)
Ti 400 °C, 30 ñ
1,76
1,94
)1000(
(0001)
Ni/Al Áåç îòæèãà ~1,37 (0001)
Ni Áåç îòæèãà ~1,36 (0001)
Òàáëèöà 2
Âûïðÿìëÿþùèå êîíòàêòû íà 6H�SiC p-òèïà
Ìåòàë-
ëèçàöèÿ Óñëîâèÿ îòæèãà Φb, ýÂ
Ïîâåðõíîñòü
SiC
Al Áåç îòæèãà 0,16 (100)
Ti Áåç îòæèãà 0,53 (100)
Òàáëèöà 3
Âûïðÿìëÿþùèå êîíòàêòû íà 3C�SiC n-òèïà
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2001, ¹ 2
41
ÒÅÕÍÎËÎÃÈß ÏÐÎÈÇÂÎÄÑÒÂÀ
Òàêèì îáðàçîì, äëÿ ñîçäàíèÿ òåðìè÷åñêè ñòàáèëü-
íûõ âûïðÿìëÿþùèõ êîíòàêòîâ ê SiC íåîáõîäèìî
ïðîâîäèòü äåòàëüíûå èññëåäîâàíèÿ çàêîíîìåðíîñ-
òåé òîêîïðîõîæäåíèÿ è èçìåíåíèÿ ôàçîâîãî ñîñòà-
âà íà ãðàíèöå ðàçäåëà "ìåòàëë�SiC", à òàêæå ôîð-
ìèðîâàòü ìíîãîñëîéíûå êîíòàêòíî-ìåòàëëèçàöèîí-
íûå ñèñòåìû, âêëþ÷àþùèå äèôôóçèîííûé áàðüåð,
ïðîâîäÿùèé è çàùèòíûå ñëîè [20, 21].
 òàáë. 1�3 ïðåäñòàâëåíû ñâîäíûå äàííûå [5�
7, 11, 14, 22], îòðàæàþùèå âëèÿíèå òèïîâ êîíòàêòè-
ðóþùèõ ïîâåðõíîñòåé, óñëîâèé îòæèãà è ìåòîäîâ
îáðàáîòêè íà âûñîòó áàðüåðà â êîíòàêòå "ìåòàëë�
SiC". Áîëüøèíñòâî ýòèõ äàííûõ ïîëó÷åíû ïðè àíà-
ëèçå âîëüòàìïåðíûõ, âîëüòôàðàäíûõ õàðàêòåðèñòèê
è èçìåðåííûõ ñ ïîìîùüþ ðåíòãåíîâñêîé ôîòîýëåê-
òðîííîé ñïåêòðîñêîïèè. Ïðåäâàðèòåëüíàÿ îáðàáîò-
êà ïîâåðõíîñòè SiC ñîñòîÿëà èç íåñêîëüêèõ ñòàäèé,
âêëþ÷àþùèõ îêèñëåíèå, òðàâëåíèå â HF, óäàëåíèå
îðãàíè÷åñêèõ çàãðÿçíåíèé íàãðåâîì â âàêóóìå.
***
Àíàëèç ýêñïåðèìåíòàëüíûõ ðåçóëüòàòîâ ïîêàçû-
âàåò, ÷òî âûñîòà áàðüåðà ìåòàëëè÷åñêèõ êîíòàêòîâ ê
SiC ñèëüíî çàâèñÿò îò ïðåäûñòîðèè îáðàçöà, â òîì
÷èñëå îò ìåòîäà îáðàáîòêè ïîâåðõíîñòè ïåðåä íàíå-
ñåíèåì êîíòàêòîâ.  ÷àñòíîñòè, ïëàçìåííîå òðàâëå-
íèå ïîçâîëÿåò çíà÷èòåëüíî ñíèçèòü ïëîòíîñòü ïîâåð-
õíîñòíûõ ñîñòîÿíèé íà ãðàíèöå ðàçäåëà "ìåòàëë�
êàðáèä êðåìíèÿ" ïî ñðàâíåíèþ ñ ïîâåðõíîñòÿìè, òðàâ-
ëåííûìè â ðàñòâîðàõ ùåëî÷åé. Òîò æå ýôôåêò ìî-
æåò áûòü äîñòèãíóò ïðè îêèñëåíèè ïîâåðõíîñòè êàð-
áèäà êðåìíèÿ è ïîñëåäóþùåé îáðàáîòêå â HF, à òàê-
æå ïðè êèïÿ÷åíèè â äåèîíèçîâàííîé âîäå.
Âûñîòà áàðüåðà ñôîðìèðîâàííûõ êîíòàêòîâ ñó-
ùåñòâåííî çàâèñèò îò òåìïåðàòóðû îòæèãà.  ÷àñò-
íîñòè, íàãðåâ îáðàçöîâ äî òåìïåðàòóð íà÷àëà ôîð-
ìèðîâàíèÿ õèìè÷åñêèõ ñîåäèíåíèé íà ãðàíèöå ðàç-
äåëà (êàðáèäîâ èëè ñèëèöèäîâ ìåòàëëîâ) ïðèâîäèò
ê íèâåëèðîâàíèþ âëèÿíèÿ ìåòîäà îáðàáîòêè ïîâåð-
õíîñòè êàðáèäà êðåìíèÿ.
Äëÿ èçó÷åíèÿ çàäàííûõ ïåðåõîäíûõ õàðàêòåðèñ-
òèê ìåòàëëè÷åñêèõ êîíòàêòîâ ê SiC íåîáõîäèìî ó÷è-
òûâàòü ñòåïåíü äåôåêòíîñòè èñõîäíîãî êàðáèäà êðåì-
íèÿ. Íàëè÷èå äèñëîêàöèé, ìèêðîòðóáîê ìîæåò áûòü
èñòî÷íèêîì ìèêðîïëàçìåííûõ ýôôåêòîâ íà ãðàíèöå
Me/SiC. Íåîáõîäèìî òàêæå ó÷èòûâàòü âëèÿíèå ìå-
òîäîâ îáðàáîòêè ïîâåðõíîñòè ïåðåä íàíåñåíèåì êîí-
òàêòîâ è ðåæèìû îòæèãà ïîñëå èõ èçãîòîâëåíèÿ. Äëÿ
ñòàáèëèçàöèè ïàðàìåòðîâ èçãîòîâëåííûõ êîíòàêòîâ
ñëåäóåò îòäàòü ïðåäïî÷òåíèå èìïóëüñíûì ðåæèìàì
îòæèãà, òàêèì êàê ëàçåðíûé, ýëåêòðîííî-ëó÷åâîé è
ôîòîííûì ïîòîêîì ëó÷èñòîé ýíåðãèè [23, 24], íå ïðè-
âîäÿùèì ê èçìåíåíèþ ôàçîâîãî ñîñòàâà â ïðîöåññå
îòæèãà êîíòàêòíî-ìåòàëëèçàöèîííîé ñèñòåìû.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1.Ëó÷èíèí Â. Â., Òàèðîâ Þ. Ì. Êàðáèä êðåìíèÿ �
ïåðñïåêòèâíûé ìàòåðèàë ýëåêòðîííîé òåõíèêè // Èçâ. âóçîâ.
Ýëåêòðîíèêà.� 1997.� ¹ 1.� Ñ. 10�37.
2.Ëó÷èíèí Â. Â., Êîðëÿêîâ À. Â. Êîìïîçèöèÿ «êàðáèä
êðåìíèÿ�íèòðèä àëþìèíèÿ» � îñíîâà ìèêðîñèñòåìíîé òåõ-
íèêè äëÿ ýêñòðåìàëüíûõ óñëîâèé ýêñïëóàòàöèè // Ïåòåðáóð-
ãñêèé æóðíàë ýëåêòðîíèêè.� 1999.� ¹ 3.� Ñ. 20�42.
3.Èâàíîâ Ï. À., ×åëíîêîâ Â. Å. Ïîëóïðîâîäíèêîâûé
êàðáèä êðåìíèÿ � òåõíîëîãèÿ è ïðèáîðû. Îáçîð // Ôèçèêà
è òåõíèêà ïîëóïðîâîäíèêîâ.� 1995.� Ò. 29, âûï. 11.�
Ñ. 1421�1443.
4.Lebedev A. A. SIC-electronics in new centure / Proc. of
ISSCRM-2000, III International seminar on silicon carbide and
related materials.� 2000, May 24�26.� P. 111�112.
5. Bozack M. J. Surface studies on SiC as related to contacts
// Phys. Stat. Sol.(b)� 1997.� Vol. 202.� P. 549�580.
6. Itoh A., Matsunami H. Analysis of Schottky barrier
heights of Metal/SiC contacts and its possible application to
high-voltage rectifying devices // Phis. stat. sol. (a).� 1997.�
Vol. 162.� P. 589�608.
7. Porter L. M., Davis R. F. A critical review of ohmic and
rectifying contacts for silicon carbide // Materials Science and
Engineering.�1995.� Vol. B34.� P. 83�105.
8. Ðîäåðèê Ý. Õ. Êîíòàêòû ìåòàëë�ïîëóïðîâîäíèê.�
Ì.: Ðàäèî è ñâÿçü, 1982.
9. Ñòðèõà Â. È. Òåîðåòè÷åñêèå îñíîâû ðàáîòû êîíòàêòà
ìåòàëë�ïîëóïðîâîäíèê.� Ì.: Ðàäèî è ñâÿçü, 1982.
10. Äàâûäîâ Ñ. Þ., Ëåáåäåâ À. À., Òèõîíîâ Ñ. Ê.
Î áàðüåðå Øîòòêè íà êîíòàêòå ìåòàëëà ñ êàðáèäîì êðåì-
íèÿ // Ôèçèêà è òåõíèêà ïîëóïðîâîäíèêîâ.� 1997.�
Ò. 31, ¹ 5.� Ñ. 597�599.
11. Àíäðååâ À. Í., Ëåáåäåâ À. À., Ðàñòåãàåâà Ì. Ã. è äð.
Âûñîòà áàðüåðà â äèîäàõ Øîòòêè, ñôîðìèðîâàííûõ íà îñíî-
âå n-SiC�6H // Òàì æå.� 1995.� Ò. 29, ¹ 10.� Ñ. 1833�
1843.
12. Skromme B. J., Luckowski E., Mîîre K. et al. Fermi
level pinning and Schottky barrier characteristics on reactively
ion etched 4H�SiC / Materials Science Forum, 2000.�
Vol. 338�342.� P. 1029�1032.
13. Ishida Y., Takahashi T., Okumura H. et al. Schottky
barrier characteristics of 3C�SiC epilayers grown by low pressure
chemical vapor deposition / Ibid.� P. 1235�1238.
14. Ëåáåäåâ À. À., Äàâûäîâ Ä. Â., Çåëåíèí Â. Â., Êîðî-
ãîäñêèé Ì. Ë. Èññëåäîâàíèå âëèÿíèÿ îáðàáîòêè ïîâåðõíîñ-
òè ïîëóïðîâîäíèêà íà õàðàêòåðèñòèêè 6H�SiC äèîäîâ Øîò-
òêè // Ôèçèêà è òåõíèêà ïîëóïðîâîäíèêîâ.� 1999.�Ò. 33,
¹ 8.� Ñ. 959�961.
15. Hara S., Teraji T., Okushi H., Kajimura K. Control of
Schottky and ohmic interfaces by unpinning Fermi level // Applied
Surface Science.� 1997.� Vol. 117�118.� P. 394�399.
16. Hara S. Characterization of the 6H�SiC 0001 surface
and the interface with Ti layer with the Schottky limit // Ibid.�
2000.� Vol. 162�163.� P. 19�24.
17. Teraji T., Hara S., Okushi H., Kajimura K. Ideal ohmic
contact to n-type 6H�SiC by reduction of Schottky barrier height
// Appl. Phys. Lett.� 1997.� Vol. 71, N 5.�P. 689�691.
18. Cooper J. A., Jr. Advances in SiC MOS-technology //
Phys. Stat. Sol. (a).� 1997.� Vol. 162.� P. 305.
19. Miki K., Sakamoto K., Sakamoto T. Surface preparation
of Si substrates for epitaxial growth // Surface Science.�
1998.� Vol. 406.� P. 312�327.
20. Afanasjev A.V., Il�in V.A., Petrov A.A. Silicon carbide
Schottky barriers wide temperature range electron transport
theoretical analysis and its experimental verification // Proc. of
ISSCRM-2000, III International seminar on silicon carbide and
related materials, May 24�26, 2000.� P. 119.
21. Äîñòàíêî À. Ï., Áàðàíîâ Â. Â. Ïëåíî÷íûå òîêîïðî-
âîäÿùèå ñèñòåìû ÑÁÈÑ.� Ìí.: Âûø. øê., 1989.
22. Kamimura K., Okada S., Ito H. et al. Characterization
of Schottky contacts on p-type 6H�SiC // Materials Science
Forum, 2000.� Vol. 338�342.� P. 1227�1230.
23. Ñâåòëè÷íûé À. Ì., Ñå÷åíîâ Ä. À., Àãååâ Î. À. è äð.
Ëîêàëüíûé ëàçåðíûé íàãðåâ êðåìíèåâûõ ñòðóêòóð.� Òàãàí-
ðîã: Èçä-âî ÒÐÒÓ, 1999.
24. Êàñèìîâ Ô. Ä., Ñå÷åíîâ Ä. À., Àãàåâ Ô. Ã.è äð.
Àêòèâèðóåìûå ïðîöåññû ìèêðîýëåêòðîííîé òåõíîëîãèè.�
Áàêó: ÝËÌ, 2000.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70839 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:48:36Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Агеев, О.А. Светличный, А.М. Ковалев, Н.А. Разгонов, Р.Н. 2014-11-15T10:49:39Z 2014-11-15T10:49:39Z 2001 Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC / О.А. Агеев, А.М. Светличный, Н.А. Ковалев, Р.Н. Разгонов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70839 621.315.592 Проведен обзор работ, в которых исследовались контактные системы на карбиде кремния. Рассмотрено влияние различных факторов на выпрямляющие свойства контактов, а именно, влияние предварительной обработки поверхности образца до нанесения металла и термообработки сформированной системы "металл—карбид кремния" на высоту барьера. Проведен анализ экспериментальных данных. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технология производства Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC Агеев, О.А. Светличный, А.М. Ковалев, Н.А. Разгонов, Р.Н. Технология производства |
| title | Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC |
| title_full | Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC |
| title_fullStr | Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC |
| title_full_unstemmed | Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC |
| title_short | Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC |
| title_sort | влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к sic |
| topic | Технология производства |
| topic_facet | Технология производства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70839 |
| work_keys_str_mv | AT ageevoa vliânieobrabotkipoverhnostiinagrevanavysotupotencialʹnogobarʹerakontaktovksic AT svetličnyiam vliânieobrabotkipoverhnostiinagrevanavysotupotencialʹnogobarʹerakontaktovksic AT kovalevna vliânieobrabotkipoverhnostiinagrevanavysotupotencialʹnogobarʹerakontaktovksic AT razgonovrn vliânieobrabotkipoverhnostiinagrevanavysotupotencialʹnogobarʹerakontaktovksic |