Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC
Проведен обзор работ, в которых исследовались контактные системы на карбиде кремния. Рассмотрено влияние различных факторов на выпрямляющие свойства контактов, а именно, влияние предварительной обработки поверхности образца до нанесения металла и термообработки сформированной системы "металл—ка...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70839 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC / О.А. Агеев, А.М. Светличный, Н.А. Ковалев, Р.Н. Разгонов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |