Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2001
• Main Authors: Агеев, О.А., Светличный, А.М., Ковалев, Н.А., Разгонов, Р.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Subjects: Технология производства
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70839
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC / О.А. Агеев, А.М. Светличный, Н.А. Ковалев, Р.Н. Разгонов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.

Проведен обзор работ, в которых исследовались контактные системы на карбиде кремния. Рассмотрено влияние различных факторов на выпрямляющие свойства контактов, а именно, влияние предварительной обработки поверхности образца до нанесения металла и термообработки сформированной системы "металл—ка...