Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников

Разработаны малогабаритные длинноволновые (λ=5–14 мкм) источники ИК-излучения, работающие при комнатной и более высоких температурах. Источники генерируют положительные и отрицательные световые потоки относительно уровня фонового излучения. Конструкция дает возможность работать с охлажденными фотопр...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2001
Main Author: Болгов, С.С.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70856
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников / С.С. Болгов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 15-18. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine