Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки
Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2001 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70875 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки / А.М. Светличный, О.А. Агеев, Д.А. Шляховой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 38-43. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |