Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
Прямозонные полупроводниковые соединения могут быть пролегированы позитронно-активной примесью с высокой степенью концентрации. Позитрон в кристалле полупроводника рассматривается как легчайшая дырка с эффективной массой, равной эффективной массе электрона. Такая дырка может связаться с электроном и...
Gespeichert in:
| Datum: | 2001 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70881 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 56-59. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |