Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент
Проведен расчет интегрального кремниевого гальваномагниторекомбинационного элемента, боковая грань которого с высокой скоростью поверхностной рекомбинации представляет собой пленку поликристаллического кремния, выращенную в едином эпитаксиальном процессе с монокристаллической, а боковой гранью с н...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2000 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70954 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент / Ф.Д. Касимов, Я.Ю. Гусейнов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 16-18. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |