Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2000
• Hauptverfasser: Касимов, Ф.Д., Гусейнов, Я.Ю.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
• Schlagworte: Электронная аппаратура: исследования, разработки
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70954
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент / Ф.Д. Касимов, Я.Ю. Гусейнов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 16-18. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Проведен расчет интегрального кремниевого гальвано­магнито­рекомбинационного элемента, боковая грань которого с высокой скоростью поверхностной рекомбинации представляет собой пленку поликристаллического кремния, выращенную в едином эпитаксиальном процессе с монокристаллической, а боковой гранью с низкой скоростью поверхностной рекомбинации является обратно смещенный p—n-переход. Теоретически и экспериментально показано, что вследствие нелинейного расширения области обедненного слоя происходит насыщение магнитной чувствительности образца в зависимости от его длины. The calculation if integrated galvanomagnetorecombination element side facet with high surface recombination rate of which represents by its polycrystalline silicon film grown in singl epitaxial process with singl-crystal film and side facet with low surface recombination rate is back bias p-n-junction has been carried out. It is shown theoretically and experimentaly that in consequence of nonlinear expantion of region of depletion coat is taking place saturation of magnetic sensitivity of sample depending on its length.