Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент
Проведен расчет интегрального кремниевого гальваномагниторекомбинационного элемента, боковая грань которого с высокой скоростью поверхностной рекомбинации представляет собой пленку поликристаллического кремния, выращенную в едином эпитаксиальном процессе с монокристаллической, а боковой гранью с н...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70954 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент / Ф.Д. Касимов, Я.Ю. Гусейнов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 16-18. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862713631173509120 |
|---|---|
| author | Касимов, Ф.Д. Гусейнов, Я.Ю. |
| author_facet | Касимов, Ф.Д. Гусейнов, Я.Ю. |
| citation_txt | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент / Ф.Д. Касимов, Я.Ю. Гусейнов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 16-18. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Проведен расчет интегрального кремниевого гальваномагниторекомбинационного элемента, боковая грань которого с высокой скоростью поверхностной рекомбинации представляет собой пленку поликристаллического кремния, выращенную в едином эпитаксиальном процессе с монокристаллической, а боковой гранью с низкой скоростью поверхностной рекомбинации является обратно смещенный p—n-переход. Теоретически и экспериментально показано, что вследствие нелинейного расширения области обедненного слоя происходит насыщение магнитной чувствительности образца в зависимости от его длины.
The calculation if integrated galvanomagnetorecombination element side facet with high surface recombination rate of which represents by its polycrystalline silicon film grown in singl epitaxial process with singl-crystal film and side facet with low surface recombination rate is back bias p-n-junction has been carried out. It is shown theoretically and experimentaly that in consequence of nonlinear expantion of region of depletion coat is taking place saturation of magnetic sensitivity of sample depending on its length.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:45:28Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70954 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:45:28Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Касимов, Ф.Д. Гусейнов, Я.Ю. 2014-11-18T06:38:26Z 2014-11-18T06:38:26Z 2000 Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент / Ф.Д. Касимов, Я.Ю. Гусейнов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 16-18. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70954 621.315.592 Проведен расчет интегрального кремниевого гальваномагниторекомбинационного элемента, боковая грань которого с высокой скоростью поверхностной рекомбинации представляет собой пленку поликристаллического кремния, выращенную в едином эпитаксиальном процессе с монокристаллической, а боковой гранью с низкой скоростью поверхностной рекомбинации является обратно смещенный p—n-переход. Теоретически и экспериментально показано, что вследствие нелинейного расширения области обедненного слоя происходит насыщение магнитной чувствительности образца в зависимости от его длины. The calculation if integrated galvanomagnetorecombination element side facet with high surface recombination rate of which represents by its polycrystalline silicon film grown in singl epitaxial process with singl-crystal film and side facet with low surface recombination rate is back bias p-n-junction has been carried out. It is shown theoretically and experimentaly that in consequence of nonlinear expantion of region of depletion coat is taking place saturation of magnetic sensitivity of sample depending on its length. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Электронная аппаратура: исследования, разработки Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент Кремнієвий інтегральний гальваномагніторекомбінаційний елемент Silicon integrated galvanomagnetorecombination element Article published earlier |
| spellingShingle | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент Касимов, Ф.Д. Гусейнов, Я.Ю. Электронная аппаратура: исследования, разработки |
| title | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| title_alt | Кремнієвий інтегральний гальваномагніторекомбінаційний елемент Silicon integrated galvanomagnetorecombination element |
| title_full | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| title_fullStr | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| title_full_unstemmed | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| title_short | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| title_sort | кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| topic | Электронная аппаратура: исследования, разработки |
| topic_facet | Электронная аппаратура: исследования, разработки |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70954 |
| work_keys_str_mv | AT kasimovfd kremnievyiintegralʹnyigalʹvanomagnitorekombinacionnyiélement AT guseinovâû kremnievyiintegralʹnyigalʹvanomagnitorekombinacionnyiélement AT kasimovfd kremníêviiíntegralʹniigalʹvanomagnítorekombínacíiniielement AT guseinovâû kremníêviiíntegralʹniigalʹvanomagnítorekombínacíiniielement AT kasimovfd siliconintegratedgalvanomagnetorecombinationelement AT guseinovâû siliconintegratedgalvanomagnetorecombinationelement |