Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент
Проведен расчет интегрального кремниевого гальваномагниторекомбинационного элемента, боковая грань которого с высокой скоростью поверхностной рекомбинации представляет собой пленку поликристаллического кремния, выращенную в едином эпитаксиальном процессе с монокристаллической, а боковой гранью с н...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70954 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент / Ф.Д. Касимов, Я.Ю. Гусейнов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 16-18. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860132634326204416 |
|---|---|
| author | Касимов, Ф.Д. Гусейнов, Я.Ю. |
| author_facet | Касимов, Ф.Д. Гусейнов, Я.Ю. |
| citation_txt | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент / Ф.Д. Касимов, Я.Ю. Гусейнов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 16-18. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Проведен расчет интегрального кремниевого гальваномагниторекомбинационного элемента, боковая грань которого с высокой скоростью поверхностной рекомбинации представляет собой пленку поликристаллического кремния, выращенную в едином эпитаксиальном процессе с монокристаллической, а боковой гранью с низкой скоростью поверхностной рекомбинации является обратно смещенный p—n-переход. Теоретически и экспериментально показано, что вследствие нелинейного расширения области обедненного слоя происходит насыщение магнитной чувствительности образца в зависимости от его длины.
The calculation if integrated galvanomagnetorecombination element side facet with high surface recombination rate of which represents by its polycrystalline silicon film grown in singl epitaxial process with singl-crystal film and side facet with low surface recombination rate is back bias p-n-junction has been carried out. It is shown theoretically and experimentaly that in consequence of nonlinear expantion of region of depletion coat is taking place saturation of magnetic sensitivity of sample depending on its length.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:45:28Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2000, ¹ 5�6
16
ÝËÅÊÒÐÎÍÍÀß ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÀ: ÈÑÑËÅÄÎÂÀÍÈß, ÐÀÇÐÀÁÎÒÊÈ
Ýïèòàêñèàëüíî-ïëàíàðíàÿ òåõíîëîãèÿ
ïîçâîëÿåò ñîçäàòü ÃÌÐ-ýëåìåíò â
åäèíîì èíòåãðàëüíîì èñïîëíåíèè ñî
ñõåìîé îáðàáîòêè ñèãíàëîâ.
Ðàçâèòèå ìèêðîýëåêòðîííîé òåõíîëîãèè ïîçâî-
ëèëî ðàçðàáîòàòü ðÿä ãàëüâàíîìàãíèòíûõ ýëåìåí-
òîâ â èíòåãðàëüíîì èñïîëíåíèè íà îñíîâå êðåìíèå-
âîé ýïèòàêñèàëüíî-ïëàíàðíîé òåõíîëîãèè, íàïðèìåð,
äàò÷èêè Õîëëà, ìàãíèòîðåçèñòîðû, ìàãíèòîäèîäû,
ìàãíèòîòðàíçèñòîðû è ò. ä.
Ãàëüâàíîìàãíèòíûå äàò÷èêè íà îñíîâå ýôôåêòà
Õîëëà, íåñìîòðÿ íà âñå èõ ïðåèìóùåñòâà, èìåþò ñó-
ùåñòâåííûé íåäîñòàòîê � òåìïåðàòóðíûé è âðå-
ìåííîé äðåéôû, îáóñëîâëåííûå òåì, ÷òî îíè ÿâëÿ-
þòñÿ 4-ïîëþñíèêàìè. Ñ ýòîé òî÷êè çðåíèÿ ãàëüâà-
íîìàãíèòîðåêîìáèíàöèîííûé ýëåìåíò ÿâëÿåòñÿ
áîëåå ñòàáèëüíûì, ïîñêîëüêó ïðåäñòàâëÿåò ñîáîé
2-ïîëþñíèê.
Êàê èçâåñòíî, ãàëüâàíîìàãíèòîðåêîìáèíàöèîí-
íûé (ÃÌÐ) ýôôåêò çàêëþ÷àåòñÿ â èçìåíå-
íèè ñîïðîòèâëåíèÿ ïîëóïðîâîäíèêîâîãî ìàòåðèàëà
â ìàãíèòíîì ïîëå èç-çà ðàçëè÷íîé ñêîðîñòè ïîâåðõ-
íîñòíîé ðåêîìáèíàöèè íîñèòåëåé çàðÿäà íà ïðîòè-
âîïîëîæíûõ áîêîâûõ ãðàíÿõ ýëåìåíòà [1].
Êëàññè÷åñêàÿ òåîðèÿ ÃÌÐ-ýôôåêòà ðàçâèòà äëÿ
ïîëóïðîâîäíèêîâîé ïëàñòèíû ñ ïîñòîÿííûìè ãåî-
ìåòðè÷åñêèìè ðàçìåðàìè, à ñëåäîâàòåëüíî, è ïîñòî-
ÿííûì ñîïðîòèâëåíèåì îáðàçöà, ÷óâñòâèòåëüíîñòü êî-
òîðîãî ïðÿìî ïðîïîðöèîíàëüíà åãî äëèíå.
Íàèáîëüøåé ÷óâñòâèòåëüíîñòüþ (50 ìÂ/ìÒ), ïî
ñðàâíåíèþ ñ äðóãèìè ïîëóïðîâîäíèêîâûìè ìàòåðèà-
ëàìè, îáëàäàþò ãåðìàíèåâûå ïðåîáðàçîâàòåëè ÃÌÐ-4
íà äèñêðåòíûõ ïëàñòèíàõ ñ ãàáàðèòíûìè ðàçìåðàìè
5×1×0,5 ìì [2, ñ. 68]. Äîñòàòî÷íî âûñîêîé ÷óâñòâè-
òåëüíîñòüþ îáëàäàþò òàêæå ÃÌÐ-ýëåìåíòû íà îñ-
íîâå ýïèòàêñèàëüíûõ ïëåíîê InSb1�xBix íà ïîëóèçî-
ëèðóþùèõ ïîäëîæêàõ GaAs [3].
Ðàñ÷åò øèðèíû ïåðåõîäíîãî ñëîÿ ìåæäó ïîäëîæ-
êîé è ïëåíêîé â çàâèñèìîñòè îò êîíöåíòðàöèè ãëó-
áîêèõ ëîâóøåê [4] ïîçâîëÿåò ïîäáèðàòü òîëùèíó
ïëåíêè ÃÌÐ-ýëåìåíòà, íåîáõîäèìóþ äëÿ äîñòèæå-
íèÿ óñëîâèÿ ìàêñèìàëüíîé ÷óâñòâèòåëüíîñòè.
Ïàðàìåòð αÂ, îò êîòîðîãî çàâèñèò ÷óâñòâèòåëü-
íîñòü ÃÌÐ-ýëåìåíòà, îïðåäåëÿåòñÿ âûðàæåíèåì [1,
ñ. 87]
( )
DD
D
np
Dnpn
B
L
d
ch
L
d
L
d
ch
kTpnpn
Lpnq
1
))((
1
0000
00
2 −
µµ++
µµ+µ
=α , (1)
Âåëè÷èíà α ïðè çàäàííûõ çíà÷åíèÿõ µ, LD è Ò
äîñòèãàåò ìàêñèìóìà ïðè óñëîâèè ñîáñòâåííîé ïðî-
âîäèìîñòè n0=p0 è ïðè øèðèíå îáðàçöà d, ðàâíîé
1,4LD.
( )
kT
Lq Dnpn
B
µµ+µ
=α
1
2,0max
. (2)
Íîìîãðàììû, ïðèâåäåííûå â [4], ïîçâîëÿþò (ïðè
îïðåäåëåííûõ êîíöåíòðàöèÿõ íîñèòåëåé â ïëåíêå è
ãëóáîêèõ ëîâóøåê íà ãðàíèöàõ ðàçäåëà «ïëåíêà�
ïîäëîæêà») âûáèðàòü íóæíóþ òîëùèíó ïëåíêè, ïðè
êîòîðîé îáåäíåííûé ñëîé çàíèìàåò âñþ òîëùèíó
ïëåíêè è äîñòèãàåòñÿ óñëîâèå n0=p0. Îäíàêî è ãåð-
ìàíèåâûå îáðàçöû, è ñòðóêòóðû íà GaAs íå ñîãëà-
ñîâûâàþòñÿ êîíñòðóêòèâíî-òåõíîëîãè÷åñêè ñ êðåì-
íèåâûìè èíòåãðàëüíûìè ñõåìàìè ïðåîáðàçîâàíèÿ è
óñèëåíèÿ ñèãíàëîâ. Âìåñòå ñ òåì ÃÌÐ-ýëåìåíò íà
êðåìíèè, íåñìîòðÿ íà ìåíüøóþ ÷óâñòâèòåëüíîñòü, ìîæ-
íî îáúåäèíÿòü ñî ñõåìîé ïðåîáðàçîâàíèÿ â åäèíîì
èíòåãðàëüíîì èñïîëíåíèè è òåì ñàìûì ïîâûñèòü èõ
íàäåæíîñòü è êà÷åñòâî.
Äëÿ èçãîòîâëåíèÿ êðåìíèåâûõ èíòåãðàëüíûõ
ÃÌÐ-ýëåìåíòîâ èñïîëüçîâàëàñü òåõíîëîãèÿ
îäíîâðåìåííîãî âûðàùèâàíèÿ ëîêàëüíûõ ìîíî- è
ïîëèêðèñòàëëè÷åñêèõ ïëåíîê êðåìíèÿ â åäèíîì ïðî-
öåññå ýïèòàêñèàëüíîãî íàðàùèâàíèÿ [5]. Òîïîëîãèÿ
òàêîãî ýëåìåíòà ïðèâåäåíà íà ðèñ. 1. Êàê áûëî
ïîêàçàíî ýêñïåðèìåíòàëüíî â [6], ÷óâñòâèòåëüíîñòü
ÃÌÐ-ýëåìåíòà ïðè êîìíàòíîé òåìïåðàòóðå íà íåñêîëü-
êî ïîðÿäêîâ âûøå ðàñ÷åòíîé âåëè÷èíû äëÿ äàííîé
êîíöåíòðàöèè íîñèòåëåé è íåëèíåéíî çàâèñèò îò äëèíû
îáðàçöà.
Èññëåäîâàëñÿ ÃÌÐ-ýëåìåíò íà îñíîâå êðåìíèå-
âîé ýïèòàêñèàëüíîé ïëåíêè n-òèïà ïðîâîäèìîñòè
(n>>p). Åãî áîêîâîé ãðàíüþ ñ ïîâûøåííîé ñêîðîñ-
ÊÐÅÌÍÈÅÂÛÉ ÈÍÒÅÃÐÀËÜÍÛÉ
ÃÀËÜÂÀÍÎÌÀÃÍÈÒÎÐÅÊÎÌÁÈÍÀÖÈÎÍÍÛÉ ÝËÅÌÅÍÒ
Ä. ô.-ì. í. Ô. Ä. ÊÀÑÈÌÎÂ, ê. ô.-ì. í. ß. Þ. ÃÓÑÅÉÍÎÂ
Àçåðáàéäæàí, ã. Áàêó, Àçåðáàéäæàíñêîå íàöèîíàëüíîå
àýðîêîñìè÷åñêîå àãåíòñòâî, Áàêèíñêèé ãîñ. óíèâåðñèòåò
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
06.07 2000 ã.
Îïïîíåíò ä. ô.-ì. í. Ç. À. ÈÑÊÅÍÄÅÐ-ÇÀÄÅ
çàðÿä ýëåêòðîíà;
ïîäâèæíîñòè ýëåêòðîíîâ è äûðîê;
ðàâíîâåñíûå êîíöåíòðàöèè ýëåêòðîíîâ è
äûðîê;
äëèíà ñâîáîäíîãî ïðîáåãà íîñèòåëåé;
øèðèíà îáðàçöà;
ïîñòîÿííàÿ Áîëüöìàíà;
àáñîëþòíàÿ òåìïåðàòóðà.
ãäå q �
µn è µð �
n0 è p0 �
LD �
d �
k �
T �
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2000, ¹ 5�6 17
ÝËÅÊÒÐÎÍÍÀß ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÀ: ÈÑÑËÅÄÎÂÀÍÈß, ÐÀÇÐÀÁÎÒÊÈ
òüþ ðåêîìáèíàöèè ÿâëÿåòñÿ ïëåíêà ïîëèêðèñòàëëè-
÷åñêîãî êðåìíèÿ, âûðàùåííàÿ â ïðîöåññå ýïèòàêñè-
àëüíîãî íàðàùèâàíèÿ [5]. Ãðàíüþ ñ íèçêîé ñêîðîñ-
òüþ ïîâåðõíîñòíîé ðåêîìáèíàöèè ÿâëÿåòñÿ p-n-ïå-
ðåõîä.
Íàìè ïðîâåäåí ðàñ÷åò ÷óâñòâèòåëüíîñòè òàêîãî
ÃÌÐ-ýëåìåíòà ñ ó÷åòîì èçìåíÿþùåéñÿ ïîä äåéñòâè-
åì îáðàòíîãî ñìåùåíèÿ øèðèíû îáðàçöà. Êîíñòðóê-
öèÿ îáðàçöà èçîáðàæåíà íà ðèñ. 2. Çäåñü ïîêàçàíà
òîëùèíà îáåäíåííîãî ñëîÿ hϕ, îáóñëîâëåííîãî êîí-
òàêòíîé ðàçíîñòüþ ïîòåíöèàëîâ ϕ. Ëèíèåé ÀÂ èçîá-
ðàæåíà ïåðåìåííàÿ âäîëü îñè y òîëùèíà îáåäíåííî-
ãî ñëîÿ, âîçíèêàþùåãî â ðåçóëüòàòå ïðèëîæåíèÿ
îáðàòíîãî ñìåùåíèÿ ñ ó÷åòîì îìè÷åñêîãî ïàäåíèÿ
íàïðÿæåíèÿ ïðè ïðîòåêàíèè òîêà âäîëü îáðàçöà. Ïðè
îïðåäåëåííîì íàïðÿæåíèè íà îáðàçöå îáåäíåííûé
ñëîé ïîëíîñòüþ ïåðåêðûâàåò êàíàë ó ñòîêîâîãî ýëåê-
òðîäà, èç îáúåìà ïîëóïðîâîäíèêà óäàëÿþòñÿ âñå ñâî-
áîäíûå íîñèòåëè è âîçíèêàåò ñîáñòâåííàÿ ïðîâîäè-
ìîñòü. Ïðè ýòîì âîçíèêàþò óñëîâèÿ äëÿ ìàêñèìàëü-
íîé ÷óâñòâèòåëüíîñòè ÃÌÐ-ýëåìåíòà, ò. å. n0=p0.
Äëÿ ïîñòðîåíèÿ êîëè÷åñòâåííîé òåîðèè ÃÌÐ-ýô-
ôåêòà è ðàñ÷åòà ÷óâñòâèòåëüíîñòè èíòåãðàëüíîãî ýëå-
ìåíòà â ýïèòàêñèàëüíûõ ñòðóêòóðàõ ñ áîêîâîé ãðà-
íüþ â âèäå p�n-ïåðåõîäà ðåøàëîñü óðàâíåíèå Ïóàñ-
ñîíà äëÿ òîëùèíû ýëåìåíòà êàê ôóíêöèè äëèíû:
∇2U=ρε, (3)
Ïðè ôèêñèðîâàííîì íàïðÿæåíèè ñìåùåíèÿ ïî-
ëó÷åíà çàâèñèìîñòü ìåæäó òîëùèíîé îáåäíåííîãî
ñëîÿ y è ïðîäîëüíîé êîîðäèíàòîé L�x:
+−=−
3
3
2
2
0 231
d
y
d
y
I
L
xL
, (4)
L
tdnq
I
ε
µ=
2
6
32
0 ; (5)
t � òîëùèíà îáðàçöà.
Èçìåðåíèÿ ïðîâîäèëèñü ïðè òîêå I0=0,15 ìÀ, à
íàïðÿæåíèå ñìåùåíèÿ ìåíÿëîñü îò 4,5 Â íà ñàìîì
êîðîòêîì îáðàçöå ñ äëèíîé L1=100 ìêì äî 36 Â íà
L4=800 ìêì. Ðåçóëüòàòû âû÷èñëåíèÿ ýôôåêòèâíîé
ðàáî÷åé äëèíû îáðàçöà (Lýôô=L�x), âíîñÿùåé âêëàä
â ÃÌÐ-ýôôåêò, â çàâèñèìîñòè îò ñòåïåíè ïåðåêðû-
òèÿ îáðàçöà îáåäíåííûì ñëîåì ïî øèðèíå h/d ïðè-
âåäåíû â òàáëèöå.
Èç òàáëèöû âèäíî, ÷òî ïðîòÿæåííîñòü îáëàñòåé ñ
îäèíàêîâîé ñòåïåíüþ ïåðåêðûòèÿ êàíàëà h/d âî
âñåõ îáðàçöàõ ïîñòîÿííû, ò. ê. îïðåäåëÿþòñÿ íàïðÿ-
æåííîñòüþ ýëåêòðè÷åñêîãî ïîëÿ èëè, ÷òî òî æå ñà-
ìîå, òîêîì íàñûùåíèÿ I0, êîòîðûé â ýêñïåðèìåíòå
ïîääåðæèâàåòñÿ ïîñòîÿííûì. Ïîñêîëüêó ÷óâñòâè-
òåëüíîñòü ÃÌÐ-ýëåìåíòà ìàêñèìàëüíà ïðè óñëîâèè
n0=p0, êîòîðîå äîñòèãàåòñÿ ïðè ïîëíîì îáåäíåíèè
êàíàëà íîñèòåëÿìè, òî íàèáîëüøèé âêëàä â ÷óâñòâè-
òåëüíîñòü êàæäîãî îáðàçöà âíîñèò ó÷àñòîê ñ äëèíîé
23 ìêì ñî ñòåïåíüþ ïåðåêðûòèÿ 0,9. Ïîñëåäóþùèå
ó÷àñòêè ñ ìåíüøèìè ñòåïåíÿìè ïåðåêðûòèÿ âíîñÿò
â ÷óâñòâèòåëüíîñòü ìàëûå äîáàâêè, ïðîïîðöèîíàëü-
íûå ñâîåé äëèíå. Òàê, ÷óâñòâèòåëüíîñòü âòîðîãî îá-
ðàçöà, êîòîðûé âäâîå äëèííåå ïåðâîãî, áîëüøå â 1,74
ðàçà, ÷óâñòâèòåëüíîñòü òðåòüåãî îáðàçöà â 1,4 ðàçà
áîëüøå, ÷åì ó âòîðîãî, à ÷óâñòâèòåëüíîñòü ÷åòâåðòî-
ãî âñåãî â 1,3 ðàçà áîëüøå, ÷åì ó òðåòüåãî.
Ñëåäóåò ó÷èòûâàòü, ÷òî ñ óìåíüøåíèåì ñòåïåíè
ïåðåêðûòèÿ ÷óâñòâèòåëüíîñòü ïàäàåò òàêæå èç-çà
óìåíüøåíèÿ ýôôåêòèâíîé øèðèíû îáðàçöà, íà êîòî-
ðîé ñîáëþäàåòñÿ óñëîâèå ðàâåíñòâà êîíöåíòðàöèé
n0=p0.
Ýêñïåðèìåíòàëüíûå íàáëþäåíèÿ ïîäòâåðäèëè
(ðèñ. 3), ÷òî ÷óâñòâèòåëüíîñòü îáðàçöîâ, íåñìîòðÿ
íà óäâîåíèå èõ ãåîìåòðè÷åñêîé äëèíû, èìååò ÿâíóþ
òåíäåíöèþ ê íàñûùåíèþ.
îïåðàòîð Ãàìèëüòîíà;
ïðèëîæåííîå íàïðÿæåíèå ñìåùåíèÿ;
ïëîòíîñòü çàðÿäà;
ýëåêòðè÷åñêàÿ ïîñòîÿííàÿ.
ãäå ∇ �
U �
ρ �
ε �
äëèíà îáðàçöà;
øèðèíà;
êîýôôèöèåíò, îïðåäåëÿþùèéñÿ òîëüêî ôèçè-
÷åñêèìè è ãåîìåòðè÷åñêèìè ïàðàìåòðàìè ïî-
ëóïðîâîäíèêà, ðàâíûé
ãäå L �
d �
I0 �
Ðèñ. 2. Êîíñòðóêöèÿ ÃÌÐ-ýëåìåíòà
ÏÊ n
d
n
n�p
p
hϕ
L
t
z
n
y
A
B
x
p
h
100–õ 200–õ 400–õ 800–õ L, ìêì
h/d Lýôô, ìêì
0,9 23 23 23 23
0,8 85 85 85 85
0,7 100 174 174 174
0,6 – 280 280 280
0,5 – – 400 400
0,4 – – – 520
Al Al
n+
n
p
Ðèñ. 1. Òîïîëîãèÿ èíòåãðàëüíîãî ÃÌÐ-ýëåìåíòà
ÏÊ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2000, ¹ 5�6
18
ÝËÅÊÒÐÎÍÍÀß ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÀ: ÈÑÑËÅÄÎÂÀÍÈß, ÐÀÇÐÀÁÎÒÊÈ
Òàêèì îáðàçîì, òåîðåòè÷åñêè è ýêñïåðèìåíòàëü-
íî ïîêàçàíî, ÷òî íàáëþäàåìàÿ òåíäåíöèÿ ê íàñûùå-
íèþ çàâèñèìîñòè ÷óâñòâèòåëüíîñòè ýëåìåíòà îò åãî
äëèíû îáóñëîâëåíà íåëèíåéíûì ðàñøèðåíèåì îáëà-
ñòè îáåäíåííîãî ñëîÿ ñ ðîñòîì ãåîìåòðè÷åñêîé äëè-
íû îáðàçöà.
Ýòî îçíà÷àåò, ÷òî ýïèòàêñèàëüíî-ïëàíàðíàÿ òåõíî-
ëîãèÿ îäíîâðåìåííîãî âûðàùèâàíèÿ ëîêàëüíûõ ìîíî-
è ïîëèêðèñòàëëè÷åñêèõ ïëåíîê ïîçâîëÿåò ñîçäàòü
ÃÌÐ-ýëåìåíò â åäèíîì èíòåãðàëüíîì èñïîëíåíèè ñî
ñõåìîé îáðàáîòêè ñèãíàëîâ, àíàëîãè÷íî ìàãíèòî÷óâ-
ñòâèòåëüíîé ÈÑ íà îñíîâå ýôôåêòà Õîëëà [7].
Ðèñ. 3. Ïåðåäàòî÷íûå õàðàêòåðèñòèêè ÃÌÐ-ýëåìåíòà
ðàçëè÷íîé äëèíû:
1 � 100 ìêì; 2 � 200; 3 � 400; 4 � 800 ìêì
∆U, ìÂ
28
20
12
4
200 400 600 800 B, Ãñ
4
3
2
1
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Ëåâèòàñ È., Ïîæåëà Þ., Ñòàëåðàéòèñ Ê. Ïðåîáðà-
çîâàòåëè ìàãíèòíûõ âåëè÷èí íà îñíîâå ãàëüâàíîìàãíè-
òîðåêîìáèíàöèîííîãî ýôôåêòà // Â êí.: Ïîëóïðîâîä-
íèêîâûå ïðåîáðàçîâàòåëè.� Âèëüíþñ: Ìîêñëàñ, 1980.�
Ñ. 73�139.
2. Õîìåðèêè Î. Ê. Ïîëóïðîâîäíèêîâûå ïðåîáðà-
çîâàòåëè ìàãíèòíîãî ïîëÿ.� Ì. : Ýíåðãîàòîìèçäàò,
1986.
3. Kasimov F. D., Huseinov Ya. Yu. Integral galvano-
magnetic recombination element based on heteroepitaxial
vismuth-containing InSb films // Functional Materials
(Kharkiv, Institute for single crystal NAS Ukraine).�
1999.� Vol. 6, N 5.� P. 934�938.
4. Ãóñåéíîâ ß. Þ., Êàñèìîâ Ô. Ä., Êåìåð÷åâ Ã. Ï.
Âëèÿíèå ïîòåíöèàëüíîãî áàðüåðà íà ãðàíèöå ðàçäåëà
ïîëóèçîëèðóþùåé àðñåíèäãàëëèåâîé ïîäëîæêè ñ ýïè-
òàêñèàëüíîé ïëåíêîé íà òîêîïåðåíîñ â íåé // Ôèçèêà
(ÀÍ Àçåðáàéäæàíà).� 1999.� T. 5, ¹ 3.� Ñ. 20�23.
5. Abdullajev A. G., Kasimov F. D., Mamikonova
V. M. The simultaneous growth of mono- and polycrys-
talline silicon films // Thin Solid Films.� 1984.�
Vol. 115, N 3.� P. 237�243.
6. Àáäóëëàåâ À. Ã., Êàñèìîâ Ô. Ä., Ìàìèêîíîâà
Â. Ì. Èíòåãðàëüíûé ìàãíèòîðåêîìáèíàöèîííûé ïðå-
îáðàçîâàòåëü íà îñíîâå ëîêàëüíûõ ïëåíîê ìîíî- è
ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ // Ýëåêòðîííàÿ òåõ-
íèêà. Cåð. Ìèêðîýëåêòðîíèêà.� 1988.� Bûï. 3.�
Ñ. 71�72.
7. Kasimov F. D., Ismailov N. M., Kasimova F. F. High
magnetic sensitivity integrated circuit on the base of Hall-
effect sensor // Functional Materials (Kharkiv, Institute
for single crystal NAS Ukraine).�1998.� Vol. 5, N 1.�
P. 138�139.
â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè
â ï
îðòô
åë
å ðåä
àê
ö
è
è
â
ï
îðòô
åë
å ðåä
àê
ö
è
è
â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè
â
ï
îð
òô
åë
å
ðå
ä
àê
ö
è
è
â
ï
îð
òô
åë
å
ðå
ä
àê
ö
è
è
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
Òåõíè÷åñêàÿ ïîëèòèêà â îáëàñòè íàâèãàöèè è óïðàâëåíèÿ äâèæåíèåì. Â. Ã. Ïàäàëêî, Þ. Å.
Íèêîëàåíêî, À. À. Êîøåâîé, Ã. À. Áàðàíîâ (Óêðàèíà, ã. Êèåâ)
Ãëîáàëüíàÿ ìèíèìèçàöèÿ êîëè÷åñòâà ìåæñëîéíûõ ïåðåõîäîâ. Î. Á. Ïîëóáàñîâ (Ðîññèÿ,
Ñ.-Ïåòåðáóðã)
Îñîáåííîñòè òåñòèðîâàíèÿ êàíàëà èçîáðàæåíèÿ ñïóòíèêîâîé öèôðîâîé ñåòè ðàñïðåäåëåíèÿ
ïðîãðàìì òåëåâèäåíèÿ. Ñ. À. Áåçðóêîâ, È. Â. Ãîðáà÷, Ñ. À. Ãîðüåâ, Ã. Ñ. Ãîðüåâ, Ñ. À.
Ïîïîâ, Â. Ï. Ïÿòêîâ (Óêðàèíà, ãã. Êèåâ, Îäåññà)
Ìîäåëèðîâàíèå è âûáîð ñèñòåì òåïëîâîãî ðåãóëèðîâàíèÿ ëàçåðíûõ ìîäóëåé. Þ. Å. Íèêî-
ëàåíêî, Ñ. Ê. Æóê, Â. Ì. Áàòóðêèí, Ä. Í. Îëåôèðåíêî (Óêðàèíà, ã. Êèåâ)
Âëèÿíèå îáðàáîòêè ïîâåðõíîñòè è íàãðåâà íà ïàðàìåòðû âûïðÿìëÿþùèõ êîíòàêòîâ ê SiC.
Î. À. Àãååâ, À. Ì. Ñâåòëè÷íûé, Í. À. Êîâàëåâ, Ð. Í. Ðàçãîíîâ (Ðîññèÿ, ã. Òàãàíðîã)
Îïòîýëåêòðîííûé ëþìèíåñöåíòíûé ãàçîàíàëèçàòîð. Å. Á. Ïëàâèíñ-
êèé, Í. Á. Êîïûò÷óê (Óêðàèíà, ã. Îäåññà)
Âàðèêàï íà îñíîâå ñâåðõðåçêîãî p�n-ïåðåõîäà. À. Í. Ãîëîâÿøêèí,
Â. À. Ñîëîâüåâ (Ðîññèÿ, ã. Ïåíçà)
Ø
Ø
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70954 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:45:28Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Касимов, Ф.Д. Гусейнов, Я.Ю. 2014-11-18T06:38:26Z 2014-11-18T06:38:26Z 2000 Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент / Ф.Д. Касимов, Я.Ю. Гусейнов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 16-18. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70954 621.315.592 Проведен расчет интегрального кремниевого гальваномагниторекомбинационного элемента, боковая грань которого с высокой скоростью поверхностной рекомбинации представляет собой пленку поликристаллического кремния, выращенную в едином эпитаксиальном процессе с монокристаллической, а боковой гранью с низкой скоростью поверхностной рекомбинации является обратно смещенный p—n-переход. Теоретически и экспериментально показано, что вследствие нелинейного расширения области обедненного слоя происходит насыщение магнитной чувствительности образца в зависимости от его длины. The calculation if integrated galvanomagnetorecombination element side facet with high surface recombination rate of which represents by its polycrystalline silicon film grown in singl epitaxial process with singl-crystal film and side facet with low surface recombination rate is back bias p-n-junction has been carried out. It is shown theoretically and experimentaly that in consequence of nonlinear expantion of region of depletion coat is taking place saturation of magnetic sensitivity of sample depending on its length. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Электронная аппаратура: исследования, разработки Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент Кремнієвий інтегральний гальваномагніторекомбінаційний елемент Silicon integrated galvanomagnetorecombination element Article published earlier |
| spellingShingle | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент Касимов, Ф.Д. Гусейнов, Я.Ю. Электронная аппаратура: исследования, разработки |
| title | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| title_alt | Кремнієвий інтегральний гальваномагніторекомбінаційний елемент Silicon integrated galvanomagnetorecombination element |
| title_full | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| title_fullStr | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| title_full_unstemmed | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| title_short | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| title_sort | кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| topic | Электронная аппаратура: исследования, разработки |
| topic_facet | Электронная аппаратура: исследования, разработки |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70954 |
| work_keys_str_mv | AT kasimovfd kremnievyiintegralʹnyigalʹvanomagnitorekombinacionnyiélement AT guseinovâû kremnievyiintegralʹnyigalʹvanomagnitorekombinacionnyiélement AT kasimovfd kremníêviiíntegralʹniigalʹvanomagnítorekombínacíiniielement AT guseinovâû kremníêviiíntegralʹniigalʹvanomagnítorekombínacíiniielement AT kasimovfd siliconintegratedgalvanomagnetorecombinationelement AT guseinovâû siliconintegratedgalvanomagnetorecombinationelement |