Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2000
• Hauptverfasser: Касимов, Ф.Д., Гусейнов, Я.Ю.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
• Schlagworte: Электронная аппаратура: исследования, разработки
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70954
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент / Ф.Д. Касимов, Я.Ю. Гусейнов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 16-18. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Проведен расчет интегрального кремниевого гальвано­магнито­рекомбинационного элемента, боковая грань которого с высокой скоростью поверхностной рекомбинации представляет собой пленку поликристаллического кремния, выращенную в едином эпитаксиальном процессе с монокристаллической, а боковой гранью с н...