APA (7th ed.) Citation

Горох, Г., Соловей, Д., Лабунов, В., Осинский, В., & Мазунов, Д. (2011). Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si. Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Горох, Г.Г, Д.В Соловей, В.А Лабунов, В.И Осинский, and Д.О Мазунов. "Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si." Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології 2011.

MLA (8th ed.) Citation

Горох, Г.Г, et al. "Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si." Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011.

Warning: These citations may not always be 100% accurate.