Горох, Г., Соловей, Д., Лабунов, В., Осинский, В., & Мазунов, Д. (2011). Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si. Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Горох, Г.Г, Д.В Соловей, В.А Лабунов, В.И Осинский, und Д.О Мазунов. "Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si." Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології 2011.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Горох, Г.Г, et al. "Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si." Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.