Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Горох, Г.Г., Соловей, Д.В., Лабунов, В.А., Осинский, В.И., Мазунов, Д.О.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75192
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si / Г.Г. Горох, Д.В. Соловей, В.А. Лабунов, В.И. Осинский, Д.О. Мазунов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 4. — С. 913-923. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Разработан и исследован метод формирования перфорированных плёнок АОА с регулярной ячеисто-пористой структурой и удалённым барьерным оксидным слоем при анодной поляризации системы Al/n-Si. Отработаны технологические режимы селективного роста полупроводниковых соединений InGaN в порах модифицированных матриц АОА методом гидридной газофазной эпитаксии. Полученные самоорганизованные наноструктуры InGaN в порах анодного оксида алюминия характеризуются кристаллографической неполярной α-ориентацией. Выполнены исследования катодолюминесценции полученных структур и проанализированы их спектральные характеристики. Розроблено та досліджено методу формування перфорованих плівок АОА з реґулярною комірчасто-поруватою структурою і віддаленим бар’єрним оксидним шаром при анодній поляризації системи Al/n-Si. Відпрацьовано технологічні режими селективного зростання напівпровідникових сполук InGaN у порах модифікованих матриць АОА методою гідридної газофазної епітаксії. Одержані самоорганізовані наноструктури InGaN в порах анодного оксиду алюмінію характеризуються кристалографічною неполярною α-орієнтацією. Виконано дослідження катодолюмінісценції одержаних структур і проаналізовано спектральні характеристики. Processes of self-organizing of porous anodic alumina on n-type Si substrates are investigated. A method for formation of regular highly ordered alumina films with open pores on semiconductor substrates is developed. Processes of selective hydride gas-phase epitaxial growth of InGaN semiconductor nanostructures in the pores of the alumina modified matrixes are studied. Optical and electrophysical properties of InGaN nanosystems and corresponding correlation of technological regimes are investigated. Selforganized InGaN nanostructures localized in anodic alumina pores have nonpolar
 α-crystallographic orientation. Cathodoluminescence of fabricated structures and their spectral characteristics are investigated and analysed.