Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se

• Datum: 2013
• Hauptverfasser: Бобик, М.Ю., Іваницький, В.П., Ковтуненко, В.С., Сабов, В.І.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
• Schriftenreihe: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75899
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se / М.Ю. Бобик, В.П. Іваницький, В.С. Ковтуненко, В.І. Сабов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 1. — С. 73-88. — Бібліогр.: 20 назв. — укр.

Поєднанням метод електронної й атомно-силової мікроскопії визначено кількісні параметри наноструктури аморфних плівок системи Ge—Se: розміри неоднорідностей, висоту виступів та глибину впадин рельєфу поверхні, діаметри зерен або стовпчиків, розміри каналів між стовпчиками, розміри нанопор, ступінь нанопористости. Встановлено, що нанонеоднорідності реалізуються завдяки наявності рельєфу поверхні досліджуваних зразків та їх нанопористости.