Получение тонких алмазных пленок при магнетронном распылении графитовой мишени

• Published in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Date: 2008
• Main Authors: Костановский, А.В., Жиляков, Л.А., Пронкин, А.А., Кириллин, А.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76179
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Получение тонких алмазных пленок при магнетронном
 распылении графитовой мишени / А.В. Костановский, Л.А. Жиляков, А.А. Пронкин, А.В. Кириллин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 3. — С. 911—917. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

В работе представлена методика получения алмазоподобных пленок
 (АПП) методом магнетронного распыления графитовой мишени. С целью активации процесса образования АПП использовали излучение нагретой нити из тугоплавкого металла, расположенной около подложки.
 Представлены результаты по оптимизации параметров процесса нанесения тонких пленок. Метод рамановской спектроскопии показал, что
 спектр идентифицирует пленки как АПП. Толщина пленок – 2000 Å,
 скорость осаждения – 200 Å/мин. Пленки являются оптически прозрачными, а их электропроводность соответствует полупроводникам. Представлено методику одержання алмазоподібних плівок (АПП) методою магнетронного розпорошення графітової цілі. З метою активації
 процесу утворення АПП використовували випромінення нагрітої нитки
 з тяжкотопкого металу, розташованої біля підложжя. Наведено результати з оптимізації параметрів процесу нанесення тонких плівок. Метода
 Раманової спектроскопії показала, що спектер ідентифікує плівки як
 АПП. Товщина плівок – 2000 Å, швидкість осадження – 200 Å/хв.
 Плівки є оптично прозорими, а їх електропровідність відповідає напівпровідникам. Technique of fabrication of the diamond-like films (DLF) by graphitetarget
 magnetron sputtering is presented. To activate the process of DLF
 formation, radiation of hot filament of high-melting metal located near
 the substrate is used. Results on optimization of thin-film deposition
 process parameters are presented. The Raman spectroscopy method shows
 that the spectrum identifies films as DLF. Thickness of films is 2000 Å,
 and deposition rate is 200 Å/min. Films are optically transparent, and
 their conductivity corresponds to semiconductors.