Cover Image

Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами

Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного
 осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия,
 содержащие герман...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Date:2008
ISSN:1816-5230
Main Authors: Болгов, С.С., Манойлов, Э.Г., Каганович, Э.Б.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76196
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Пассивация поверхности германиевых диодных структур
 наночастицами / С.С. Болгов, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1175-1183. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items