Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Кузин, А.А., Заблоцкий, А.В., Батурин, А.С., Лапшин, Д.А., Мелентьев, П.Н., Балыкин, В.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76394
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики / А.А. Кузин, А.В. Заблоцкий, А.С. Батурин, Д.А. Лапшин, П.Н. Мелентьев, В.И. Балыкин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 163-168. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

В данной статье предлагается способ создания массива микролинз, предназначенных для атомной проекционной нанолитографии, на мембране Si3N4 толщиной порядка 40 нм. На мембрану напыляется проводящая пленка толщиной порядка 30 нм, предотвращающая зарядку, что необходимо для устранения эффективного уш...