Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики

Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики

В данной статье предлагается способ создания массива микролинз, предназначенных для атомной проекционной нанолитографии, на мембране Si3N4 толщиной порядка 40 нм. На мембрану напыляется проводящая пленка толщиной порядка 30 нм, предотвращающая зарядку, что необходимо для устранения эффективного уш...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Дата:2009
Автори: Кузин, А.А., Заблоцкий, А.В., Батурин, А.С., Лапшин, Д.А., Мелентьев, П.Н., Балыкин, В.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76394
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики / А.А. Кузин, А.В. Заблоцкий, А.С. Батурин, Д.А. Лапшин, П.Н. Мелентьев, В.И. Балыкин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 163-168. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76394
record_format dspace
spelling Кузин, А.А.
Заблоцкий, А.В.
Батурин, А.С.
Лапшин, Д.А.
Мелентьев, П.Н.
Балыкин, В.И.
2015-02-10T10:57:57Z
2015-02-10T10:57:57Z
2009
Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики / А.А. Кузин, А.В. Заблоцкий, А.С. Батурин, Д.А. Лапшин, П.Н. Мелентьев, В.И. Балыкин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 163-168. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.
1816-5230
PACS numbers: 37.25.+k,81.15.Hi, 81.15.Jj, 81.16.Nd, 81.16.Rf, 85.65.+h
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76394
В данной статье предлагается способ создания массива микролинз, предназначенных для атомной проекционной нанолитографии, на мембране Si3N4 толщиной порядка 40 нм. На мембрану напыляется проводящая пленка толщиной порядка 30 нм, предотвращающая зарядку, что необходимо для устранения эффективного уширения пучка. Затем фокусированным ионным пучком прожигаются отверстия. После чего полученные отверстия «заращиваются» до нужного диаметра за счет индуцированного электронным пучком осаждения углеродосодержащих соединений из остаточных газов камеры. Минимальный полученный диаметр атомной микролинзы составил 20 нм.
У даній статті пропонується спосіб створення масиву мікролінз, призначених для атомової проєкційної нанолітографії, на мембрані Si3N4 товщиною порядку 40 нм. На мембрану напорошується провідна плівка товщиною порядку 30 нм, яка запобігає заряджанню, що необхідно для усунення ефективного розширення жмута. Потім сфокусованим йонним жмутом пропалюються отвори. Після чого одержані отвори «зарощуються» до потрібного діяметра за рахунок індукованого електронним жмутом осадження вуглецевмісних сполук із залишкових газів камери. Мінімальний одержаний діяметер атомової мікролінзи склав 20 нм.
The method is suggested for fabrication of the array of microlenses on Si3N4 membrane with the thickness of 40 nm, which are intended for atomic projective nanolithography. Conductive film with the thickness of 30 nm, which prevents substrate charging, is deposited on the membrane. Such a charging results in a beam widening. Then a focused ion beam burns orifices. After that, orifices are overgrown to a required diameter by electron-beam-assisted deposition of carbon-bearing compounds from residual camera gases. The minimal diameter of the obtained microlenses is 20 nm.
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ № 08-02-00871-а, № 08-02-00653-а, № 08-02-12045 и Роснауки (Государственный контракт 02.552.11.7033).
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики
Method for Production of Microlenses Less Than 50 nm in Diameter for Nanolithography Using Atomic Projective Optics
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики
spellingShingle Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики
Кузин, А.А.
Заблоцкий, А.В.
Батурин, А.С.
Лапшин, Д.А.
Мелентьев, П.Н.
Балыкин, В.И.
title_short Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики
title_full Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики
title_fullStr Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики
title_full_unstemmed Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики
title_sort способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики
author Кузин, А.А.
Заблоцкий, А.В.
Батурин, А.С.
Лапшин, Д.А.
Мелентьев, П.Н.
Балыкин, В.И.
author_facet Кузин, А.А.
Заблоцкий, А.В.
Батурин, А.С.
Лапшин, Д.А.
Мелентьев, П.Н.
Балыкин, В.И.
publishDate 2009
language Russian
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format Article
title_alt Method for Production of Microlenses Less Than 50 nm in Diameter for Nanolithography Using Atomic Projective Optics
description В данной статье предлагается способ создания массива микролинз, предназначенных для атомной проекционной нанолитографии, на мембране Si3N4 толщиной порядка 40 нм. На мембрану напыляется проводящая пленка толщиной порядка 30 нм, предотвращающая зарядку, что необходимо для устранения эффективного уширения пучка. Затем фокусированным ионным пучком прожигаются отверстия. После чего полученные отверстия «заращиваются» до нужного диаметра за счет индуцированного электронным пучком осаждения углеродосодержащих соединений из остаточных газов камеры. Минимальный полученный диаметр атомной микролинзы составил 20 нм. У даній статті пропонується спосіб створення масиву мікролінз, призначених для атомової проєкційної нанолітографії, на мембрані Si3N4 товщиною порядку 40 нм. На мембрану напорошується провідна плівка товщиною порядку 30 нм, яка запобігає заряджанню, що необхідно для усунення ефективного розширення жмута. Потім сфокусованим йонним жмутом пропалюються отвори. Після чого одержані отвори «зарощуються» до потрібного діяметра за рахунок індукованого електронним жмутом осадження вуглецевмісних сполук із залишкових газів камери. Мінімальний одержаний діяметер атомової мікролінзи склав 20 нм. The method is suggested for fabrication of the array of microlenses on Si3N4 membrane with the thickness of 40 nm, which are intended for atomic projective nanolithography. Conductive film with the thickness of 30 nm, which prevents substrate charging, is deposited on the membrane. Such a charging results in a beam widening. Then a focused ion beam burns orifices. After that, orifices are overgrown to a required diameter by electron-beam-assisted deposition of carbon-bearing compounds from residual camera gases. The minimal diameter of the obtained microlenses is 20 nm.
issn 1816-5230
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76394
citation_txt Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики / А.А. Кузин, А.В. Заблоцкий, А.С. Батурин, Д.А. Лапшин, П.Н. Мелентьев, В.И. Балыкин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 163-168. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kuzinaa sposobsozdaniâmikrolinzdiametrommenee50nmdlânanolitografiimetodamiatomnoiproekcionnoioptiki
AT zablockiiav sposobsozdaniâmikrolinzdiametrommenee50nmdlânanolitografiimetodamiatomnoiproekcionnoioptiki
AT baturinas sposobsozdaniâmikrolinzdiametrommenee50nmdlânanolitografiimetodamiatomnoiproekcionnoioptiki
AT lapšinda sposobsozdaniâmikrolinzdiametrommenee50nmdlânanolitografiimetodamiatomnoiproekcionnoioptiki
AT melentʹevpn sposobsozdaniâmikrolinzdiametrommenee50nmdlânanolitografiimetodamiatomnoiproekcionnoioptiki
AT balykinvi sposobsozdaniâmikrolinzdiametrommenee50nmdlânanolitografiimetodamiatomnoiproekcionnoioptiki
AT kuzinaa methodforproductionofmicrolenseslessthan50nmindiameterfornanolithographyusingatomicprojectiveoptics
AT zablockiiav methodforproductionofmicrolenseslessthan50nmindiameterfornanolithographyusingatomicprojectiveoptics
AT baturinas methodforproductionofmicrolenseslessthan50nmindiameterfornanolithographyusingatomicprojectiveoptics
AT lapšinda methodforproductionofmicrolenseslessthan50nmindiameterfornanolithographyusingatomicprojectiveoptics
AT melentʹevpn methodforproductionofmicrolenseslessthan50nmindiameterfornanolithographyusingatomicprojectiveoptics
AT balykinvi methodforproductionofmicrolenseslessthan50nmindiameterfornanolithographyusingatomicprojectiveoptics
first_indexed 2025-12-07T18:20:45Z
last_indexed 2025-12-07T18:20:45Z
_version_ 1850874680740675584

Схожі ресурси