Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики
В данной статье предлагается способ создания массива микролинз, предназначенных для атомной проекционной нанолитографии, на мембране
 Si3N4 толщиной порядка 40 нм. На мембрану напыляется проводящая
 пленка толщиной порядка 30 нм, предотвращающая зарядку, что необходимо для устранения...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76394 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для
 нанолитографии методами атомной проекционной оптики / А.А. Кузин, А.В. Заблоцкий, А.С. Батурин, Д.А. Лапшин, П.Н. Мелентьев, В.И. Балыкин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 163-168. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862719583483330560 |
|---|---|
| author | Кузин, А.А. Заблоцкий, А.В. Батурин, А.С. Лапшин, Д.А. Мелентьев, П.Н. Балыкин, В.И. |
| author_facet | Кузин, А.А. Заблоцкий, А.В. Батурин, А.С. Лапшин, Д.А. Мелентьев, П.Н. Балыкин, В.И. |
| citation_txt | Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для
 нанолитографии методами атомной проекционной оптики / А.А. Кузин, А.В. Заблоцкий, А.С. Батурин, Д.А. Лапшин, П.Н. Мелентьев, В.И. Балыкин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 163-168. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | В данной статье предлагается способ создания массива микролинз, предназначенных для атомной проекционной нанолитографии, на мембране
Si3N4 толщиной порядка 40 нм. На мембрану напыляется проводящая
пленка толщиной порядка 30 нм, предотвращающая зарядку, что необходимо для устранения эффективного уширения пучка. Затем фокусированным ионным пучком прожигаются отверстия. После чего полученные
отверстия «заращиваются» до нужного диаметра за счет индуцированного электронным пучком осаждения углеродосодержащих соединений из
остаточных газов камеры. Минимальный полученный диаметр атомной
микролинзы составил 20 нм.
У даній статті пропонується спосіб створення масиву мікролінз, призначених для атомової проєкційної нанолітографії, на мембрані Si3N4 товщиною порядку 40 нм. На мембрану напорошується провідна плівка товщиною порядку 30 нм, яка запобігає заряджанню, що необхідно для усунення ефективного розширення жмута. Потім сфокусованим йонним жмутом
пропалюються отвори. Після чого одержані отвори «зарощуються» до потрібного діяметра за рахунок індукованого електронним жмутом осадження вуглецевмісних сполук із залишкових газів камери. Мінімальний
одержаний діяметер атомової мікролінзи склав 20 нм.
The method is suggested for fabrication of the array of microlenses on Si3N4
membrane with the thickness of 40 nm, which are intended for atomic projective
nanolithography. Conductive film with the thickness of 30 nm, which
prevents substrate charging, is deposited on the membrane. Such a charging
results in a beam widening. Then a focused ion beam burns orifices. After
that, orifices are overgrown to a required diameter by electron-beam-assisted deposition of carbon-bearing compounds from residual camera gases. The
minimal diameter of the obtained microlenses is 20 nm.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:20:45Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76394 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:20:45Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кузин, А.А. Заблоцкий, А.В. Батурин, А.С. Лапшин, Д.А. Мелентьев, П.Н. Балыкин, В.И. 2015-02-10T10:57:57Z 2015-02-10T10:57:57Z 2009 Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для
 нанолитографии методами атомной проекционной оптики / А.А. Кузин, А.В. Заблоцкий, А.С. Батурин, Д.А. Лапшин, П.Н. Мелентьев, В.И. Балыкин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 163-168. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 37.25.+k,81.15.Hi, 81.15.Jj, 81.16.Nd, 81.16.Rf, 85.65.+h https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76394 В данной статье предлагается способ создания массива микролинз, предназначенных для атомной проекционной нанолитографии, на мембране
 Si3N4 толщиной порядка 40 нм. На мембрану напыляется проводящая
 пленка толщиной порядка 30 нм, предотвращающая зарядку, что необходимо для устранения эффективного уширения пучка. Затем фокусированным ионным пучком прожигаются отверстия. После чего полученные
 отверстия «заращиваются» до нужного диаметра за счет индуцированного электронным пучком осаждения углеродосодержащих соединений из
 остаточных газов камеры. Минимальный полученный диаметр атомной
 микролинзы составил 20 нм. У даній статті пропонується спосіб створення масиву мікролінз, призначених для атомової проєкційної нанолітографії, на мембрані Si3N4 товщиною порядку 40 нм. На мембрану напорошується провідна плівка товщиною порядку 30 нм, яка запобігає заряджанню, що необхідно для усунення ефективного розширення жмута. Потім сфокусованим йонним жмутом
 пропалюються отвори. Після чого одержані отвори «зарощуються» до потрібного діяметра за рахунок індукованого електронним жмутом осадження вуглецевмісних сполук із залишкових газів камери. Мінімальний
 одержаний діяметер атомової мікролінзи склав 20 нм. The method is suggested for fabrication of the array of microlenses on Si3N4
 membrane with the thickness of 40 nm, which are intended for atomic projective
 nanolithography. Conductive film with the thickness of 30 nm, which
 prevents substrate charging, is deposited on the membrane. Such a charging
 results in a beam widening. Then a focused ion beam burns orifices. After
 that, orifices are overgrown to a required diameter by electron-beam-assisted deposition of carbon-bearing compounds from residual camera gases. The
 minimal diameter of the obtained microlenses is 20 nm. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ № 08-02-00871-а, № 08-02-00653-а, № 08-02-12045 и Роснауки (Государственный контракт 02.552.11.7033). ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики Method for Production of Microlenses Less Than 50 nm in Diameter for Nanolithography Using Atomic Projective Optics Article published earlier |
| spellingShingle | Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики Кузин, А.А. Заблоцкий, А.В. Батурин, А.С. Лапшин, Д.А. Мелентьев, П.Н. Балыкин, В.И. |
| title | Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики |
| title_alt | Method for Production of Microlenses Less Than 50 nm in Diameter for Nanolithography Using Atomic Projective Optics |
| title_full | Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики |
| title_fullStr | Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики |
| title_full_unstemmed | Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики |
| title_short | Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики |
| title_sort | способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76394 |
| work_keys_str_mv | AT kuzinaa sposobsozdaniâmikrolinzdiametrommenee50nmdlânanolitografiimetodamiatomnoiproekcionnoioptiki AT zablockiiav sposobsozdaniâmikrolinzdiametrommenee50nmdlânanolitografiimetodamiatomnoiproekcionnoioptiki AT baturinas sposobsozdaniâmikrolinzdiametrommenee50nmdlânanolitografiimetodamiatomnoiproekcionnoioptiki AT lapšinda sposobsozdaniâmikrolinzdiametrommenee50nmdlânanolitografiimetodamiatomnoiproekcionnoioptiki AT melentʹevpn sposobsozdaniâmikrolinzdiametrommenee50nmdlânanolitografiimetodamiatomnoiproekcionnoioptiki AT balykinvi sposobsozdaniâmikrolinzdiametrommenee50nmdlânanolitografiimetodamiatomnoiproekcionnoioptiki AT kuzinaa methodforproductionofmicrolenseslessthan50nmindiameterfornanolithographyusingatomicprojectiveoptics AT zablockiiav methodforproductionofmicrolenseslessthan50nmindiameterfornanolithographyusingatomicprojectiveoptics AT baturinas methodforproductionofmicrolenseslessthan50nmindiameterfornanolithographyusingatomicprojectiveoptics AT lapšinda methodforproductionofmicrolenseslessthan50nmindiameterfornanolithographyusingatomicprojectiveoptics AT melentʹevpn methodforproductionofmicrolenseslessthan50nmindiameterfornanolithographyusingatomicprojectiveoptics AT balykinvi methodforproductionofmicrolenseslessthan50nmindiameterfornanolithographyusingatomicprojectiveoptics |