Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики

• Опубліковано в: : Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Дата: 2009
• Автори: Кузин, А.А., Заблоцкий, А.В., Батурин, А.С., Лапшин, Д.А., Мелентьев, П.Н., Балыкин, В.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76394
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики / А.А. Кузин, А.В. Заблоцкий, А.С. Батурин, Д.А. Лапшин, П.Н. Мелентьев, В.И. Балыкин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 163-168. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

В данной статье предлагается способ создания массива микролинз, предназначенных для атомной проекционной нанолитографии, на мембране Si3N4 толщиной порядка 40 нм. На мембрану напыляется проводящая пленка толщиной порядка 30 нм, предотвращающая зарядку, что необходимо для устранения эффективного уш...