Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
Приведены результаты исследования механизмов токопереноса кремниевой фотодиодной Au-nSi-Al-структуры в зависимости от общего напряжения и падающих на каждом переходе напряжений. Экспериментально установлено, что различие свойств встречновключенных потенциальных барьеров приводит к изменению полевых...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76898 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 262–268. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76898 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. Каримов, А.В. 2015-02-13T06:45:52Z 2015-02-13T06:45:52Z 2011 Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 262–268. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76898 621.383.52:535.243 Приведены результаты исследования механизмов токопереноса кремниевой фотодиодной Au-nSi-Al-структуры в зависимости от общего напряжения и падающих на каждом переходе напряжений. Экспериментально установлено, что различие свойств встречновключенных потенциальных барьеров приводит к изменению полевых и емкостных зависимостей при смене полярности рабочего напряжения, а сравнительно высокое удельное сопротивление базовой области (1000 Ом·см) приводит к генерационному механизму токопереноса в запираемом переходе и термоэлектронному механизму токопереноса в прямосмещаемом переходе. Полученные результаты являются полезными при оптимизации фотоэлектрических характеристик кремниевых фотодиодных структур с переходом металл-полупроводник. Наведено результати дослідження механізмів струмопереноса кремнієвої фотодіодної Au-nSі-Al-структуры залежно від загальної напруги й падаючих на кожному переході напруг. Експериментально встановлено, що розходження властивостей зустрічноввімкнутих потенційних бар’єрів призводить до зміни польових і ємнісних залежностей при зміні полярності робочої напруги, а порівняно високий питомий опір базової області (1000 Ом·см) призводить до генераційному механізму струмопереноса в замикаємому переході і термоелектронному механізмі струмопереносі в прямозміщенному переході. Отримані результати є корисними при оптимізації фотоелектричних характеристик кремнієвих фотодіодних структур з переходом метал-напівпровідник. The results of research the charge transport mechanisms of silicon photodiode Au-nSi-Al-structure depending on the general voltage and voltages which are falling on each junction. Experimentally established that the difference in the properties of oppositely included potential barriers leads to a change in the field and capacitive dependencies by changing the polarity of the bias voltage, and the relatively high resistivity of base region (1000 Om·cm) results in the generation mechanism of charge transport in a reverse biased junction and the thermoelectronic mechanism of charge transport in directly biased junction. The results are useful in optimizing of the photoelectric characteristics of silicon photodiode structures with a metal-semiconductor interface. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур |
| spellingShingle |
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. Каримов, А.В. |
| title_short |
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур |
| title_full |
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур |
| title_fullStr |
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур |
| title_full_unstemmed |
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур |
| title_sort |
исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур |
| author |
Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. Каримов, А.В. |
| author_facet |
Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. Каримов, А.В. |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| description |
Приведены результаты исследования механизмов токопереноса кремниевой фотодиодной Au-nSi-Al-структуры в зависимости от общего напряжения и падающих на каждом переходе напряжений. Экспериментально установлено, что различие свойств встречновключенных потенциальных барьеров приводит к изменению полевых и емкостных зависимостей при смене полярности рабочего напряжения, а сравнительно высокое удельное сопротивление базовой области (1000 Ом·см) приводит к генерационному механизму токопереноса в запираемом переходе и термоэлектронному механизму токопереноса в прямосмещаемом переходе. Полученные результаты являются полезными при оптимизации фотоэлектрических характеристик кремниевых фотодиодных структур с переходом металл-полупроводник.
Наведено результати дослідження механізмів струмопереноса кремнієвої фотодіодної Au-nSі-Al-структуры залежно від загальної напруги й падаючих на кожному переході напруг. Експериментально встановлено, що розходження властивостей зустрічноввімкнутих потенційних бар’єрів призводить до зміни польових і ємнісних залежностей при зміні полярності робочої напруги, а порівняно високий питомий опір базової області (1000 Ом·см) призводить до генераційному механізму струмопереноса в замикаємому переході і термоелектронному механізмі струмопереносі в прямозміщенному переході. Отримані результати є корисними при оптимізації фотоелектричних характеристик кремнієвих фотодіодних структур з переходом метал-напівпровідник.
The results of research the charge transport mechanisms of silicon photodiode Au-nSi-Al-structure depending on the general voltage and voltages which are falling on each junction. Experimentally established that the difference in the properties of oppositely included potential barriers leads to a change in the field and capacitive dependencies by changing the polarity of the bias voltage, and the relatively high resistivity of base region (1000 Om·cm) results in the generation mechanism of charge transport in a reverse biased junction and the thermoelectronic mechanism of charge transport in directly biased junction. The results are useful in optimizing of the photoelectric characteristics of silicon photodiode structures with a metal-semiconductor interface.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76898 |
| citation_txt |
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 262–268. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT abdulhaevoa issledovanievliâniâpotencialʹnyhbarʹerovnamehanizmytokoperenosavovstrečnovklûčennyhdvuhbarʹernyhkremnievyhstruktur AT asanovago issledovanievliâniâpotencialʹnyhbarʹerovnamehanizmytokoperenosavovstrečnovklûčennyhdvuhbarʹernyhkremnievyhstruktur AT edgorovadm issledovanievliâniâpotencialʹnyhbarʹerovnamehanizmytokoperenosavovstrečnovklûčennyhdvuhbarʹernyhkremnievyhstruktur AT âkubovén issledovanievliâniâpotencialʹnyhbarʹerovnamehanizmytokoperenosavovstrečnovklûčennyhdvuhbarʹernyhkremnievyhstruktur AT karimovav issledovanievliâniâpotencialʹnyhbarʹerovnamehanizmytokoperenosavovstrečnovklûčennyhdvuhbarʹernyhkremnievyhstruktur |
| first_indexed |
2025-11-25T15:19:35Z |
| last_indexed |
2025-11-25T15:19:35Z |
| _version_ |
1850519037351559168 |
| fulltext |
262
Успехи в разработке полупроводниковых
лазеров и светодиодов с широким набором
типономиналов требуют разработки согласо-
ванных с ними фотоприемников не только на
основе арсенида галлия, но и на основе широ-
ко освоенного кремния [1]. Интерес к крем-
нию обусловлен с уникальным сочетанием
его свойств, а также высоким уровнем техно-
логии получения, как самого материала, так
и приборов на его основе. Дальнейшее разви-
тие кремниевой технологии и разработка но-
вых структур на основе кремния, особенно
фотоэлектрических приборов типа фотодио-
да и фототранзисторов являются актуальной
задачей. Развивающиеся в настоящее время
направления по разработке фотодиодов мож-
но классифицировать на три основных на-
правления. Это микроминиатюризация с при-
УДК 621.383.52:535.243
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНЫХ БАРЬЕРОВ НА
МЕХАНИЗМЫ ТОКОПЕРЕНОСА ВО ВСТРЕЧНОВКЛЮЧЕННЫХ
ДВУХБАРЬЕРНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов, А.В. Каримов
Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” АН РУз (Ташкент)
Узбекистан
Поступила в редакцию 08.08.2011
Приведены результаты исследования механизмов токопереноса кремниевой фотодиодной
Au-nSi-Al-структуры в зависимости от общего напряжения и падающих на каждом переходе
напряжений. Экспериментально установлено, что различие свойств встречновключенных
потенциальных барьеров приводит к изменению полевых и емкостных зависимостей при смене
по-лярности рабочего напряжения, а сравнительно высокое удельное сопротивление базовой
области (1000 Ом·см) приводит к генерационному механизму токопереноса в запираемом
переходе и термоэлектронному механизму токопереноса в прямосмещаемом переходе.
Полученные результаты являются полезными при оптимизации фотоэлектрических характе-
ристик кремниевых фотодиодных структур с переходом металл-полупроводник.
Ключевые слова: потенциальный барьер, токоперенос, встречновключенный, двухбарьерная
структура.
Наведено результати дослідження механізмів струмопереноса кремнієвої фотодіодної
Au-nSі-Al-структуры залежно від загальної напруги й падаючих на кожному переході напруг.
Експериментально встановлено, що розходження властивостей зустрічноввімкнутих потен-
ційних бар’єрів призводить до зміни польових і ємнісних залежностей при зміні полярності
робочої напруги, а порівняно високий питомий опір базової області (1000 Ом·см) призводить
до гене-раційному механізму струмопереноса в замикаємому переході і термоелектронному
механізмі струмопереносі в прямозміщенному переході.
Отримані результати є корисними при оптимізації фотоелектричних характеристик кремнієвих
фотодіодних структур з переходом метал-напівпровідник.
Ключові слова: потенційний бар’єр, струмоперенос, зустрічноввімкнутий, двохбар’єрна
структура.
The results of research the charge transport mechanisms of silicon photodiode Au-nSi-Al-structure
depending on the general voltage and voltages which are falling on each junction. Experimentally
established that the difference in the properties of oppositely included potential barriers leads to a
change in the field and capacitive dependencies by changing the polarity of the bias voltage, and the
relatively high resistivity of base region (1000 Om·cm) results in the generation mechanism of charge
transport in a reverse biased junction and the thermoelectronic mechanism of charge transport in di-
rectly biased junction.
The results are useful in optimizing of the photoelectric characteristics of silicon photodiode structures
with a metal-semiconductor interface.
Keywords: Potential barrier, charge transport, oppositely included, two-barrier structure.
О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов, А.В. Каримов. 2011
263ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 3, vol. 9, No. 3
менением гетеропереходов для получения ла-
винных и инжекционных фотодиодов, усо-
вершенствование фотодиодных структур с
планарными контактами металл-полупро-
водник, создание структур фотодиодов с ин-
тегрированными полупроводниковым и ме-
таллополупроводниковым переходами [2 – 6].
Эффективные лавинные гетерофотодиоды
InGaAsP/InP c p-n-переходом в InP были пред-
ложены в работе [7], а в работе [8] на основе
GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb получены p-i-n-
фотодиоды чувствительные в 0.9 – 2.4 µm об-
ласти спектра, площади которых были све-
дены до 100×100 мкм для уменьшения ем-
кости и темновых токов. Чувствительные в
длинноволновой ИК области спектра фото-
диодные структуры с эффектом усиления фо-
тотока были предложены на изотипных гете-
роструктурах n+-GaSb-n0-GaInAsSb-n+-
GaAlAsSb в работе [9], в них максимальные
фототоки получены при фиксированных зна-
чениях рабочего напряжения, когда имеет
место двойная инжекция носителей. В дан-
ном направлении ведутся исследования по
оптимизации параметров получаемых фото-
диодных структур.
На полупроводниковых структурах полу-
ченных выращиванием тонких эпитаксиаль-
ных слоев GaAs и GaInAs на полуизолирую-
щих подложках разрабатываются фотодиод-
ные структуры с встречновключенными пла-
нарными выпрямляющими барьерами ме-
талл-полупроводник на спектральный диапа-
зон 1.0 – 1.3 мкм. Ведутся работы [10], по по-
вышению их быстродействия и уменьшению
темновых токов.
Путем интегрирования р-n-перехода и
переходов металл-полупроводник получены
трехбарьерные фотодиодные Au-nInGaAs-
pGaAs-Ag-структуры с высокой фоточувст-
вительностью (20 А/Вт) [2], тонкобазовые
фотодетекторные pGaAs-nInGaAs-m-струк-
туры [3], инжекционно-полевые фотодиоды
с длинной базовой областью с гетеропере-
ходом pAlGaInAs-nGaAs-Au [4], двухбазовые
фотодиодные Ag-NAlGaAs-n+GaAs-nGaInAs-
Au-структуры с барьером металл-полупро-
водник [5], nGaAs-рGaAs-Ag-структуры с
диффузионным n-р-переходом [6]. В них изу-
чены механизмы токопереноса и особенности
фоточувствительности в зависимости от ра-
бочего режима, процессы модуляции толщи-
ны базовой области запираемыми барьерами.
Ведутся работы по исследованию принципи-
альных возможностей структур с интегриро-
ванными переходами при использовании в
качестве материала структуры кремния и сое-
динений А2В6.
В настоящей работе приведены результаты
по исследованию токовых характеристик
кремниевых фотодиодных структур на основе
перехода металл-полупроводник-металл.
Исследуемые структуры изготовлены на
основе монокристаллического кремния n-
типа проводимости легированного фосфором
с удельным сопротивлением 1000 Ом⋅см и
концентрацией носителей 3.6⋅1012 см–3 с тол-
щиной 600 мкм. С целью изучения генера-
ционно-рекомбинационных процессов в ба-
зовой области структуры нами были получе-
ны потенциальные барьеры на обе поверх-
ности nSi, так как при омических контактах
к nSi структура превращается в резистор. Для
получения выпрямляющих контактов к nSi
наносили полупрозрачные слои Au толщиной
∼ 100 D на одну поверхность и Al на другую
поверхность напылением в вакууме ∼ 10–5
торр. Геометрия полученной двухбарьерной
Au-nSi-Al-структуры с встречновключенны-
ми переходами приведена на рис. 1а, тамже
показана ее эквивалентная схема, рис. 1б.
Высота потенциального барьера перехода
Au-nSi определенная из спектральных харак-
теристик составляет ϕAu = 0.8 эВ, а для пере-
хода nSi-Al ϕAl= 0.6 эВ. На основе данных кон-
центрации носителей и эффективной плот-
ности состояний в зоне проводимости крем-
ния Nc = 2.8⋅1019 см–3 определяли положение
уровня Ферми: ln C
F C
D
kT NЕ E
q N
= −
, кото-
рое оказалось равным 0.7 эВ. Соответствен-
но разность между зоной проводимостью и
уровнем Ферми равна 0.4 эВ или разности
между высотой барьера и этой величиной да-
ют значения контактной разности потенциа-
лов для Au-nSi-перехода Au- Si
к
nU = 0.8 – 0.4 =
0.4 эВ, а для nSi-Al-перехода Si-Al
к
nU = 0.6 –
О.А. АБДУЛХАЕВ, Г.О. АСАНОВА, Д.М. ЁДГОРОВА, Э.Н. ЯКУБОВ, А.В. КАРИМОВ
264
0.4 = 0.2 эВ. Принимая переход между ме-
таллом и nSi резким можно определить со-
ответствующие толщины слоев объемного з-
аряда (Wm1–n и Wn–m2) на основе формулы
( )
1 / 2
0
прил
2m n
k
D
W U U
qN
− � �εε= ±� �
� �
. (1)
При нулевом смещении получим исходные
толщины слоев объемного заряда создавае-
мых выпрямляющими барьерами. Так
= 0,012138 см и 2
0
n mW − = 0,00858 см,
которые использованы при построении ка-
чественной зонной диаграммы Au-nSi-Al-
структуры, рис. 1в. Как следует из эквива-
лентной схемы от приложенного общего
внешнего напряжения ( )Au- Si-A ( )
общ
n lU + − к струк-
туре, будем иметь общий ток
( )Au- Si-Al(-) Au- Si Si-Al
общ прям обр
n n nI I I+ = = .
Однако общее напряжение состоит из сум-
мы напряжений падающих на каждом пере-
ходе ( )Au- Si-Al( ) Au- Si Si-Al
общ прям обр
n n nU U U+ − = + .
Вольтамперные характеристики в режиме
прямого и обратного смещения Au-nSi-пере-
хода в обычном (а) и двойном логарифмичес-
ком (б) масштабах приведены на рис. 2. В со-
ответствии с эквивалентной схемой (рис. 1б)
база при смене полярности рабочего напря-
жения поочередно запирается то с одной, то
с другой стороны и задает ток, протекающий
через структуру. При этом различие величин
токов подтверждает, что переходы металл-
полупроводник отличаются друг от друга. В
нашем случае за счет применения различных
металлов Au и Al.
Зависимости тока от напряжения описы-
ваются степенной функцией I ∼ U γ и разбива-
а)
б)
в)
Рис. 1. Геометрическая конструкция (а) и эквивалент-
ная схема (б), а также качественная зонная диаграмма
Au-nSi-Al-структуры.
б)
а)
Рис. 2. Вольтамперные характеристики Au-nSi-Al-
структуры в обычном масштабе (а) и в логарифмичес-
ком масштабе (б) при различных режимах включения:
1 – (–)Au-nSi-Al(+), 2 – (+)Au-nSi-Al(–).
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНЫХ БАРЬЕРОВ НА МЕХАНИЗМЫ ТОКОПЕРЕНОСА ВО ВСТРЕЧНОВКЛЮЧЕННЫХ ...
ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 3, vol. 9, No. 3
266
разности потенциалов, но по мере увеличе-
ния рабочего напряжения значения емкостей
сближаются.
Зависимость спектральной чувствитель-
ности от длины волны монохроматического
излучения имеет максимум при 1.1 мкм, что
соответствует собственной области поглоще-
ния, рис. 4.
Величина спектрального фототока от на-
пряжения имеет возрастающий характер, что
обусловлено с увеличением фотогенериро-
ванных носителей в области объемного заря-
да запираемого Au-nSi-перехода, рис. 4б
(табл. 2). При этом нормированные значения
фототока увеличиваются на 20%.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Так Au-nSi-Al-структуре с (концентрацией
носителей 3.6⋅1012 см–3) высокоомной базо-
вой областью толщиной 600 мкм вольтампер-
ные характеристики имеют симметричный
вид, а механизмы токопереноса определя-
ются генерационными процессами в области
объемного заряда барьера металл-полупро-
водник [12]. Зависимость светового тока от
интенсивности освещения носит линейный
характер. Такие структуры могут использо-
ваться в качестве фотодетекторов больших
оптических сигналов. Подбирая параметры
базовой области (толщину, концентрацию но-
сителей), материал контакта можно получить
многофункциональные фотоэлектропреоб-
а)
б)
Рис. 3. Вольтамперные характеристики Au-nSi-Al-
структуры при различных режимах включения от об-
щего напряжения и в пересчете от напряжения падаю-
щего на каждом переходе: (а) (+)Au-nSi-Al(–);
(б) (–)Au-nSi-Al(+).
а)
б)
Рис. 4. Спектральная характеристика Au-nSi-Al-струк-
туры (а) и зависимость фототока от рабочего напряже-
ния в области собственного поглощения (б).
Таблица 2
Зависимость фототока от рабочего
напряжения в области собственного
поглощения фотопреобразовательной
структуры
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНЫХ БАРЬЕРОВ НА МЕХАНИЗМЫ ТОКОПЕРЕНОСА ВО ВСТРЕЧНОВКЛЮЧЕННЫХ ...
ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 3, vol. 9, No. 3
Uобр, В
Au-nSi-Al; NSi = 3.6⋅1012 см–3
IΦ, мкА Sλ
1,0 0,017 1
1,5 0,0182 1,07
2,0 0,0195 1,15
2,5 0,02 1,18
3,0 0,0205 1,206
267ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 3, vol. 9, No. 3
разовательные структуры, перспективные для
систем оптической связи и различных опто-
электронных устройств.
ЛИТЕРАТУРА
1. Годованюк В.Н., Добровольский Ю.Г., Оста-
пов С.Э., Раренко И.М., Фотий В.Д. Состоя-
ние и перспективы микрофотоэлектронного
комплекса в Черновицком регионе Украины
//Приклад. физика. – 2003. – № 3. – С. 72-83.
2. Трехбарьерный фотодиод Каримова: А.с. SU
1676399/А.В. Каримов. Опубл. 09.11.89.
3. Karimov A.V., Yodgorova D.M., Yakubov E.N.
Research of structures corrugated photoreceiving
surface//Journal Semiconductor Physics Quan-
tum Electronics Optoelectronics. – 2004. –
Vol. 7, № 4. – Р. 378-382.
4. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М. Инжекционно-
полевой фотодиод//Изв. вузов. Радиоэлектро-
ника. – 2006. – № 2. – С. 76-80.
5. Yodgorova D.M., Karimov A.V., Giyasova F.A.,
Karimovа D.A. Research of the photo-voltaic
effect in the two-base Ag-N0AlGaAs-n+GaAs-n0
GaInAs-Au structure with various thickness of
a base//Semiconductor Physics Quantum Elect-
ronics Optoelectronics. – 2008. – Vol. 11, № 1.
– P. 75-79.
6. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А.,
Гиясова Ф.А., Назаров Ж.Т. Многофункцио-
нальная гомопереходная арсенидгаллиевая n-
p-m-структура//Технология и конструирова-
ние в электронной аппаратуре. – 2009. – № 6
(84). – С. 31-34.
7. Альферов Ж.И., Васильев М.Г., Горленок А.Т.,
Ильинская Н.Д., Лозовая Н.Г., Мамутин В.В.,
Маркова Т.А., Шелякин А.А. Лавинные фото-
диоды на основе гетероструктур InGaAsP/InP
c p-n- переходом в InP//Письма в ЖТФ. – 1982.
– Т. 8, Вып. 12. – C. 722-724.
8. Андреев И.А., Серебренникова О.Ю., Соко-
ловский Г.С., Куницына Е.В., Дюделев В.В.,
Гаджиев И.М., Дерягин А.Г., и др. Быстро-
действующие p-i-n-фотодиоды для спектраль-
ного диапазона 0.9 – 2.4 µm// Письма в ЖТФ.
– 2010. – Т. 36, Вып. 9. – С. 43-49.
9. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Яков-
лев Ю.П., Саморуков Б.Е. О механизмах уси-
ления фототока в изотипных гетерострук-
турах n+-GaSb-n0-GaInAsSb-n+-GaAlAsSb//
Письма в ЖТФ. – 1998. – Т. 24, № 10. –
С. 37-42.
10. Аверин С.В. Импульсный отклик МПМ фото-
диода с гетеробарьером//ЖТФ. – 2004. –
Т. 74, Вып. 6. – С. 53-56.
11. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М. Определение
характеристик двухбарьерных фотодиодных
структур с металлополупроводниковыми пе-
реходами//Технология и конструирование в
электронной аппаратуре. – 2005. – № 5. –
С. 27-30.
12. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. Механизмы про-
текания тока в омических контактах металл-
полупроводник//ФТП.– 2007. – T. 41, Вып. 11.
– С. 1281-1308.
LITERATURA
1. Godovanjuk V.N., Dobrovol’skij Ju.G., Osta-
pov S.Je., Rarenko I.M., Fotij V.D. Sostojanie i
perspektivy mikrofotojelektronnogo kompleksa
v Chernovickom regione Ukrainy//Priklad. fi-
zika. – 2003. – № 3. – S. 72-83.
2. Trehbar’ernyj fotodiod Karimova: A.s. SU
1676399/A.V. Karimov. Opubl. 09.11.89.
3. Karimov A.V., Yodgorova D.M., Yakubov E.N.
Research of structures corrugated photoreceiving
surface//Journal Semiconductor Physics Quan-
tum Electronics Optoelectronics. – 2004. –
Vol. 7, № 4. – Р. 378-382.
4. Karimov A.V., Jodgorova D.M. Inzhekcionno-
polevoj fotodiod//Izv. vuzov. Radiojelektronika.
– 2006. – № 2. – S. 76-80.
5. Yodgorova D.M., Karimov A.V., Giyasova F.A.,
Karimova D.A. Research of the photo-voltaic
effect in the two-base Ag-N0AlGaAs-n+GaAs-
n0 GaInAs-Au structure with various thickness
of a base//Semiconductor Physics Quantum
Electronics Optoelectronics. – 2008. – Vol. 11,
№ 1. – P. 75-79.
6. Karimov A.V., Jodgorova D.M., Abdulhaev O.A.,
Gijasova F.A., Nazarov Zh.T. Mnogofunkcio-
nal’naja gomoperehodnaja arsenidgallievaja n-
p-m-struktura//Tehnologija i konstruirovanie v
jelektronnoj apparature. – 2009. – № 6 (84). –
S. 31-34.
7. Al’ferov Zh.I., Vasil’ev M.G., Gorlenok A.T.,
Il’inskaja N.D., Lozovaja N.G., Mamutin V.V.,
Markova T.A., Sheljakin A.A. Lavinnye fotodio-
dy na osnove geterostruktur InGaAsP/InP c
p-n-perehodom v InP//Pis’ma v ZhTF. – 1982. –
T. 8, Vyp. 12. – C. 722-724.
8. Andreev I.A., Serebrennikova O.Ju., Sokolov-
skij G.S., Kunicyna E.V., Djudelev V.V., Gad-
zhiev I.M., Derjagin A.G., i dr. Bystrodejstvu-
jushhie p-i-n-fotodiody dlja spektral’nogo dia-
О.А. АБДУЛХАЕВ, Г.О. АСАНОВА, Д.М. ЁДГОРОВА, Э.Н. ЯКУБОВ, А.В. КАРИМОВ
268
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНЫХ БАРЬЕРОВ НА МЕХАНИЗМЫ ТОКОПЕРЕНОСА ВО ВСТРЕЧНОВКЛЮЧЕННЫХ ...
pazona 0.9 – 2.4 µm// Pis’ma v ZhTF. – 2010. –
T. 36, Vyp. 9. – S. 43-49.
9. Slobodchikov S.V., Salihov H.M., Jakovlev Ju.P.,
Samorukov B.E. O mehanizmah usilenija foto-
toka v izotipnyh geterostrukturah n+-GaSb-n0-
GaInAsSb-n+-GaAlAsSb//Pis’ma v ZhTF. –
1998. – T. 24, № 10. – S. 37-42.
10. Averin S.V. Impul’snyj otklik MPM fotodioda s
geterobar’erom//ZhTF. – 2004. – T. 74, Vyp. 6.
– S. 53-56.
11. Karimov A.V., Jodgorova D.M. Opredelenie
harakteristik dvuhbar’ernyh fotodiodnyh struktur
s metallopoluprovodnikovymi perehodami//
Tehnologija i konstruirovanie v jelektronnoj ap-
parature. – 2005. – № 5. – S. 27-30.
12. Blank T.V., Gol’dberg Ju.A. Mehanizmy prote-
kanija toka v omicheskih kontaktah metall-
poluprovodnik//FTP.– 2007. – T. 41, Vyp. 11. –
S. 1281-1308.
ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 3, vol. 9, No. 3
|