Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
Приведены результаты исследования механизмов токопереноса кремниевой фотодиодной Au-nSi-Al-структуры в зависимости от общего напряжения и падающих на каждом переходе напряжений. Экспериментально установлено, что различие свойств встречновключенных потенциальных барьеров приводит к изменению полевых...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76898 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 262–268. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859509848809406464 |
|---|---|
| author | Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. Каримов, А.В. |
| author_facet | Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. Каримов, А.В. |
| citation_txt | Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 262–268. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Приведены результаты исследования механизмов токопереноса кремниевой фотодиодной Au-nSi-Al-структуры в зависимости от общего напряжения и падающих на каждом переходе напряжений. Экспериментально установлено, что различие свойств встречновключенных потенциальных барьеров приводит к изменению полевых и емкостных зависимостей при смене полярности рабочего напряжения, а сравнительно высокое удельное сопротивление базовой области (1000 Ом·см) приводит к генерационному механизму токопереноса в запираемом переходе и термоэлектронному механизму токопереноса в прямосмещаемом переходе. Полученные результаты являются полезными при оптимизации фотоэлектрических характеристик кремниевых фотодиодных структур с переходом металл-полупроводник.
Наведено результати дослідження механізмів струмопереноса кремнієвої фотодіодної Au-nSі-Al-структуры залежно від загальної напруги й падаючих на кожному переході напруг. Експериментально встановлено, що розходження властивостей зустрічноввімкнутих потенційних бар’єрів призводить до зміни польових і ємнісних залежностей при зміні полярності робочої напруги, а порівняно високий питомий опір базової області (1000 Ом·см) призводить до генераційному механізму струмопереноса в замикаємому переході і термоелектронному механізмі струмопереносі в прямозміщенному переході. Отримані результати є корисними при оптимізації фотоелектричних характеристик кремнієвих фотодіодних структур з переходом метал-напівпровідник.
The results of research the charge transport mechanisms of silicon photodiode Au-nSi-Al-structure depending on the general voltage and voltages which are falling on each junction. Experimentally established that the difference in the properties of oppositely included potential barriers leads to a change in the field and capacitive dependencies by changing the polarity of the bias voltage, and the relatively high resistivity of base region (1000 Om·cm) results in the generation mechanism of charge transport in a reverse biased junction and the thermoelectronic mechanism of charge transport in directly biased junction. The results are useful in optimizing of the photoelectric characteristics of silicon photodiode structures with a metal-semiconductor interface.
|
| first_indexed | 2025-11-25T15:19:35Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76898 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T15:19:35Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. Каримов, А.В. 2015-02-13T06:45:52Z 2015-02-13T06:45:52Z 2011 Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 262–268. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76898 621.383.52:535.243 Приведены результаты исследования механизмов токопереноса кремниевой фотодиодной Au-nSi-Al-структуры в зависимости от общего напряжения и падающих на каждом переходе напряжений. Экспериментально установлено, что различие свойств встречновключенных потенциальных барьеров приводит к изменению полевых и емкостных зависимостей при смене полярности рабочего напряжения, а сравнительно высокое удельное сопротивление базовой области (1000 Ом·см) приводит к генерационному механизму токопереноса в запираемом переходе и термоэлектронному механизму токопереноса в прямосмещаемом переходе. Полученные результаты являются полезными при оптимизации фотоэлектрических характеристик кремниевых фотодиодных структур с переходом металл-полупроводник. Наведено результати дослідження механізмів струмопереноса кремнієвої фотодіодної Au-nSі-Al-структуры залежно від загальної напруги й падаючих на кожному переході напруг. Експериментально встановлено, що розходження властивостей зустрічноввімкнутих потенційних бар’єрів призводить до зміни польових і ємнісних залежностей при зміні полярності робочої напруги, а порівняно високий питомий опір базової області (1000 Ом·см) призводить до генераційному механізму струмопереноса в замикаємому переході і термоелектронному механізмі струмопереносі в прямозміщенному переході. Отримані результати є корисними при оптимізації фотоелектричних характеристик кремнієвих фотодіодних структур з переходом метал-напівпровідник. The results of research the charge transport mechanisms of silicon photodiode Au-nSi-Al-structure depending on the general voltage and voltages which are falling on each junction. Experimentally established that the difference in the properties of oppositely included potential barriers leads to a change in the field and capacitive dependencies by changing the polarity of the bias voltage, and the relatively high resistivity of base region (1000 Om·cm) results in the generation mechanism of charge transport in a reverse biased junction and the thermoelectronic mechanism of charge transport in directly biased junction. The results are useful in optimizing of the photoelectric characteristics of silicon photodiode structures with a metal-semiconductor interface. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. Каримов, А.В. |
| title | Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур |
| title_full | Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур |
| title_fullStr | Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур |
| title_full_unstemmed | Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур |
| title_short | Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур |
| title_sort | исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76898 |
| work_keys_str_mv | AT abdulhaevoa issledovanievliâniâpotencialʹnyhbarʹerovnamehanizmytokoperenosavovstrečnovklûčennyhdvuhbarʹernyhkremnievyhstruktur AT asanovago issledovanievliâniâpotencialʹnyhbarʹerovnamehanizmytokoperenosavovstrečnovklûčennyhdvuhbarʹernyhkremnievyhstruktur AT edgorovadm issledovanievliâniâpotencialʹnyhbarʹerovnamehanizmytokoperenosavovstrečnovklûčennyhdvuhbarʹernyhkremnievyhstruktur AT âkubovén issledovanievliâniâpotencialʹnyhbarʹerovnamehanizmytokoperenosavovstrečnovklûčennyhdvuhbarʹernyhkremnievyhstruktur AT karimovav issledovanievliâniâpotencialʹnyhbarʹerovnamehanizmytokoperenosavovstrečnovklûčennyhdvuhbarʹernyhkremnievyhstruktur |