Instabilities in binary compounds under irradiation
A simulation of radiation-induced instability in binary semiconductor, such as GaAs, was fulfilled. The instability is connected with antisite defects accumulated. It was shown that the number of antisite defects in crystal under irradiation can significantly exceed their equilibrium concentration....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78134 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Instabilities in binary compounds under irradiation / V.V. Mykhaylovskyy, V.I. Sugakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 10-13. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |