Instabilities in binary compounds under irradiation

A simulation of radiation-induced instability in binary semiconductor, such as GaAs, was fulfilled. The instability is connected with antisite defects accumulated. It was shown that the number of antisite defects in crystal under irradiation can significantly exceed their equilibrium concentration....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2000
Автори: Mykhaylovskyy, V.V., Sugakov, V.I.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2000
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78134
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Instabilities in binary compounds under irradiation / V.V. Mykhaylovskyy, V.I. Sugakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 10-13. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862715038688608256
author Mykhaylovskyy, V.V.
Sugakov, V.I.
author_facet Mykhaylovskyy, V.V.
Sugakov, V.I.
citation_txt Instabilities in binary compounds under irradiation / V.V. Mykhaylovskyy, V.I. Sugakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 10-13. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description A simulation of radiation-induced instability in binary semiconductor, such as GaAs, was fulfilled. The instability is connected with antisite defects accumulated. It was shown that the number of antisite defects in crystal under irradiation can significantly exceed their equilibrium concentration. We have found that the instability with respect to periodical defect distribution appear at some conditions of irradiation. The wavelenght of the periodical distribution was estimated as 100 nm - 10 nm depending on crystal parameters . Моделирование радиационно-индуцированной нестабильности в двоичной полупроводника, например, GaAs, было выполнено.Нестабильность связана с антиструктурных дефектов накапливается. Было показано, что число антиструктурных дефектов в кристалле при облучении может значительно превышать их равновесная концентрация. Мы обнаружили, что неустойчивость по отношению к периодического распространения дефектов появляются в некоторых условиях облучения.Длина волны периодического распределения была оценена как 100 нм - 10 нм в зависимости от параметров кристаллической. Моделювання радіаційно-індукованої нестабільності в двійковій напівпровідника, наприклад, GaAs, було виконано. Нестабільність пов'язана з антиструктурних дефектів накопичується. Було показано, що число антиструктурних дефектів в кристалі при опроміненні може значно перевищувати їх рівноважна концентрація. Ми виявили, що нестійкість по відношенню до періодичного поширення дефектів з'являються в деяких умовах опромінення. Довжина хвилі періодичного розподілу була оцінена як 100 нм - 10 нм залежно від параметрів кристалічної.
first_indexed 2025-12-07T17:54:55Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78134
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language English
last_indexed 2025-12-07T17:54:55Z
publishDate 2000
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Mykhaylovskyy, V.V.
Sugakov, V.I.
2015-03-12T07:12:33Z
2015-03-12T07:12:33Z
2000
Instabilities in binary compounds under irradiation / V.V. Mykhaylovskyy, V.I. Sugakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 10-13. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78134
539.12.04:669.018
A simulation of radiation-induced instability in binary semiconductor, such as GaAs, was fulfilled. The instability is connected with antisite defects accumulated. It was shown that the number of antisite defects in crystal under irradiation can significantly exceed their equilibrium concentration. We have found that the instability with respect to periodical defect distribution appear at some conditions of irradiation. The wavelenght of the periodical distribution was estimated as 100 nm - 10 nm depending on crystal parameters .
Моделирование радиационно-индуцированной нестабильности в двоичной полупроводника, например, GaAs, было выполнено.Нестабильность связана с антиструктурных дефектов накапливается. Было показано, что число антиструктурных дефектов в кристалле при облучении может значительно превышать их равновесная концентрация. Мы обнаружили, что неустойчивость по отношению к периодического распространения дефектов появляются в некоторых условиях облучения.Длина волны периодического распределения была оценена как 100 нм - 10 нм в зависимости от параметров кристаллической.
Моделювання радіаційно-індукованої нестабільності в двійковій напівпровідника, наприклад, GaAs, було виконано. Нестабільність пов'язана з антиструктурних дефектів накопичується. Було показано, що число антиструктурних дефектів в кристалі при опроміненні може значно перевищувати їх рівноважна концентрація. Ми виявили, що нестійкість по відношенню до періодичного поширення дефектів з'являються в деяких умовах опромінення. Довжина хвилі періодичного розподілу була оцінена як 100 нм - 10 нм залежно від параметрів кристалічної.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Instabilities in binary compounds under irradiation
Нестабільність в бінарних сполуках при опроміненні
Нестабильность в бинарных соединениях при облучении
Article
published earlier
spellingShingle Instabilities in binary compounds under irradiation
Mykhaylovskyy, V.V.
Sugakov, V.I.
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
title Instabilities in binary compounds under irradiation
title_alt Нестабільність в бінарних сполуках при опроміненні
Нестабильность в бинарных соединениях при облучении
title_full Instabilities in binary compounds under irradiation
title_fullStr Instabilities in binary compounds under irradiation
title_full_unstemmed Instabilities in binary compounds under irradiation
title_short Instabilities in binary compounds under irradiation
title_sort instabilities in binary compounds under irradiation
topic Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
topic_facet Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78134
work_keys_str_mv AT mykhaylovskyyvv instabilitiesinbinarycompoundsunderirradiation
AT sugakovvi instabilitiesinbinarycompoundsunderirradiation
AT mykhaylovskyyvv nestabílʹnístʹvbínarnihspolukahpriopromínenní
AT sugakovvi nestabílʹnístʹvbínarnihspolukahpriopromínenní
AT mykhaylovskyyvv nestabilʹnostʹvbinarnyhsoedineniâhprioblučenii
AT sugakovvi nestabilʹnostʹvbinarnyhsoedineniâhprioblučenii