Instabilities in binary compounds under irradiation
A simulation of radiation-induced instability in binary semiconductor, such as GaAs, was fulfilled. The instability is connected with antisite defects accumulated. It was shown that the number of antisite defects in crystal under irradiation can significantly exceed their equilibrium concentration....
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2000 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78134 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Instabilities in binary compounds under irradiation / V.V. Mykhaylovskyy, V.I. Sugakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 10-13. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78134 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Mykhaylovskyy, V.V. Sugakov, V.I. 2015-03-12T07:12:33Z 2015-03-12T07:12:33Z 2000 Instabilities in binary compounds under irradiation / V.V. Mykhaylovskyy, V.I. Sugakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 10-13. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78134 539.12.04:669.018 A simulation of radiation-induced instability in binary semiconductor, such as GaAs, was fulfilled. The instability is connected with antisite defects accumulated. It was shown that the number of antisite defects in crystal under irradiation can significantly exceed their equilibrium concentration. We have found that the instability with respect to periodical defect distribution appear at some conditions of irradiation. The wavelenght of the periodical distribution was estimated as 100 nm - 10 nm depending on crystal parameters . Моделирование радиационно-индуцированной нестабильности в двоичной полупроводника, например, GaAs, было выполнено.Нестабильность связана с антиструктурных дефектов накапливается. Было показано, что число антиструктурных дефектов в кристалле при облучении может значительно превышать их равновесная концентрация. Мы обнаружили, что неустойчивость по отношению к периодического распространения дефектов появляются в некоторых условиях облучения.Длина волны периодического распределения была оценена как 100 нм - 10 нм в зависимости от параметров кристаллической. Моделювання радіаційно-індукованої нестабільності в двійковій напівпровідника, наприклад, GaAs, було виконано. Нестабільність пов'язана з антиструктурних дефектів накопичується. Було показано, що число антиструктурних дефектів в кристалі при опроміненні може значно перевищувати їх рівноважна концентрація. Ми виявили, що нестійкість по відношенню до періодичного поширення дефектів з'являються в деяких умовах опромінення. Довжина хвилі періодичного розподілу була оцінена як 100 нм - 10 нм залежно від параметрів кристалічної. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Instabilities in binary compounds under irradiation Нестабільність в бінарних сполуках при опроміненні Нестабильность в бинарных соединениях при облучении Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Instabilities in binary compounds under irradiation |
| spellingShingle |
Instabilities in binary compounds under irradiation Mykhaylovskyy, V.V. Sugakov, V.I. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title_short |
Instabilities in binary compounds under irradiation |
| title_full |
Instabilities in binary compounds under irradiation |
| title_fullStr |
Instabilities in binary compounds under irradiation |
| title_full_unstemmed |
Instabilities in binary compounds under irradiation |
| title_sort |
instabilities in binary compounds under irradiation |
| author |
Mykhaylovskyy, V.V. Sugakov, V.I. |
| author_facet |
Mykhaylovskyy, V.V. Sugakov, V.I. |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| publishDate |
2000 |
| language |
English |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Нестабільність в бінарних сполуках при опроміненні Нестабильность в бинарных соединениях при облучении |
| description |
A simulation of radiation-induced instability in binary semiconductor, such as GaAs, was fulfilled. The instability is connected with antisite defects accumulated. It was shown that the number of antisite defects in crystal under irradiation can significantly exceed their equilibrium concentration. We have found that the instability with respect to periodical defect distribution appear at some conditions of irradiation. The wavelenght of the periodical distribution was estimated as 100 nm - 10 nm depending on crystal parameters .
Моделирование радиационно-индуцированной нестабильности в двоичной полупроводника, например, GaAs, было выполнено.Нестабильность связана с антиструктурных дефектов накапливается. Было показано, что число антиструктурных дефектов в кристалле при облучении может значительно превышать их равновесная концентрация. Мы обнаружили, что неустойчивость по отношению к периодического распространения дефектов появляются в некоторых условиях облучения.Длина волны периодического распределения была оценена как 100 нм - 10 нм в зависимости от параметров кристаллической.
Моделювання радіаційно-індукованої нестабільності в двійковій напівпровідника, наприклад, GaAs, було виконано. Нестабільність пов'язана з антиструктурних дефектів накопичується. Було показано, що число антиструктурних дефектів в кристалі при опроміненні може значно перевищувати їх рівноважна концентрація. Ми виявили, що нестійкість по відношенню до періодичного поширення дефектів з'являються в деяких умовах опромінення. Довжина хвилі періодичного розподілу була оцінена як 100 нм - 10 нм залежно від параметрів кристалічної.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78134 |
| citation_txt |
Instabilities in binary compounds under irradiation / V.V. Mykhaylovskyy, V.I. Sugakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 10-13. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT mykhaylovskyyvv instabilitiesinbinarycompoundsunderirradiation AT sugakovvi instabilitiesinbinarycompoundsunderirradiation AT mykhaylovskyyvv nestabílʹnístʹvbínarnihspolukahpriopromínenní AT sugakovvi nestabílʹnístʹvbínarnihspolukahpriopromínenní AT mykhaylovskyyvv nestabilʹnostʹvbinarnyhsoedineniâhprioblučenii AT sugakovvi nestabilʹnostʹvbinarnyhsoedineniâhprioblučenii |
| first_indexed |
2025-12-07T17:54:55Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:54:55Z |
| _version_ |
1850873054816632832 |