Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов

Исследована термическая стабильность диффузионных барьеров на основе пленок Вi при различных способах получения пленок. Исследования проводились на электростатическом ускорителе ХНУ им. Каразина В.Н. в условиях изотермического отжига непосредственно под пучком протонов с энергией 1,85 МэВ Досліджена...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Вопросы атомной науки и техники
Date:2001
Main Authors: Цымбал, В.А., Слезов, В.В., Колупаев, И.Н.
Format: Article
Language:Russian
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78277
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов / В.А. Цымбал, В.В. Слезов, И.Н. Колупаев // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 4. — С. 57-58. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine