Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2001
• Автори: Цымбал, В.А., Слезов, В.В., Колупаев, И.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
• Теми: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78277
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов / В.А. Цымбал, В.В. Слезов, И.Н. Колупаев // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 4. — С. 57-58. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Исследована термическая стабильность диффузионных барьеров на основе пленок Вi при различных способах получения пленок. Исследования проводились на электростатическом ускорителе ХНУ им. Каразина В.Н. в условиях изотермического отжига непосредственно под пучком протонов с энергией 1,85 МэВ Досліджена термічна стабільність дифузійних бар’єрів на основі плівок Ві при різних способах отримання плівок. Дослідження проводились на електростатичному прискорювачі ХНУ ім. Каразіна В.Н. в умовах ізотермічного отжигу безпосередньо під пучком протонів з енергією 1,85 МеВ. The thermal stability of diffusion barriers is explored on the basis of Bi films at different expedients of deriving of films. The examinations were conducted on the electrostatic accelerator at KNU of name Karazin V.N. under conditions of an isothermal bakeout directly under a proton beam of 1,85 MeV energy.