Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов

Исследована термическая стабильность диффузионных барьеров на основе пленок Вi при различных способах получения пленок. Исследования проводились на электростатическом ускорителе ХНУ им. Каразина В.Н. в условиях изотермического отжига непосредственно под пучком протонов с энергией 1,85 МэВ Досліджена...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2001
Автори: Цымбал, В.А., Слезов, В.В., Колупаев, И.Н.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78277
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов / В.А. Цымбал, В.В. Слезов, И.Н. Колупаев // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 4. — С. 57-58. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862591157883633664
author Цымбал, В.А.
Слезов, В.В.
Колупаев, И.Н.
author_facet Цымбал, В.А.
Слезов, В.В.
Колупаев, И.Н.
citation_txt Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов / В.А. Цымбал, В.В. Слезов, И.Н. Колупаев // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 4. — С. 57-58. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description Исследована термическая стабильность диффузионных барьеров на основе пленок Вi при различных способах получения пленок. Исследования проводились на электростатическом ускорителе ХНУ им. Каразина В.Н. в условиях изотермического отжига непосредственно под пучком протонов с энергией 1,85 МэВ Досліджена термічна стабільність дифузійних бар’єрів на основі плівок Ві при різних способах отримання плівок. Дослідження проводились на електростатичному прискорювачі ХНУ ім. Каразіна В.Н. в умовах ізотермічного отжигу безпосередньо під пучком протонів з енергією 1,85 МеВ. The thermal stability of diffusion barriers is explored on the basis of Bi films at different expedients of deriving of films. The examinations were conducted on the electrostatic accelerator at KNU of name Karazin V.N. under conditions of an isothermal bakeout directly under a proton beam of 1,85 MeV energy.
first_indexed 2025-11-27T06:44:29Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78277
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language Russian
last_indexed 2025-11-27T06:44:29Z
publishDate 2001
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Цымбал, В.А.
Слезов, В.В.
Колупаев, И.Н.
2015-03-13T17:42:27Z
2015-03-13T17:42:27Z
2001
Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов / В.А. Цымбал, В.В. Слезов, И.Н. Колупаев // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 4. — С. 57-58. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78277
539.12.04
Исследована термическая стабильность диффузионных барьеров на основе пленок Вi при различных способах получения пленок. Исследования проводились на электростатическом ускорителе ХНУ им. Каразина В.Н. в условиях изотермического отжига непосредственно под пучком протонов с энергией 1,85 МэВ
Досліджена термічна стабільність дифузійних бар’єрів на основі плівок Ві при різних способах отримання плівок. Дослідження проводились на електростатичному прискорювачі ХНУ ім. Каразіна В.Н. в умовах ізотермічного отжигу безпосередньо під пучком протонів з енергією 1,85 МеВ.
The thermal stability of diffusion barriers is explored on the basis of Bi films at different expedients of deriving of films. The examinations were conducted on the electrostatic accelerator at KNU of name Karazin V.N. under conditions of an isothermal bakeout directly under a proton beam of 1,85 MeV energy.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
Article
published earlier
spellingShingle Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
Цымбал, В.А.
Слезов, В.В.
Колупаев, И.Н.
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
title Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
title_full Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
title_fullStr Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
title_full_unstemmed Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
title_short Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
title_sort исследование системы gasb+bi методом обратного рассеяния протонов
topic Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
topic_facet Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78277
work_keys_str_mv AT cymbalva issledovaniesistemygasbbimetodomobratnogorasseâniâprotonov
AT slezovvv issledovaniesistemygasbbimetodomobratnogorasseâniâprotonov
AT kolupaevin issledovaniesistemygasbbimetodomobratnogorasseâniâprotonov