Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2001
• Автори: Цымбал, В.А., Слезов, В.В., Колупаев, И.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
• Теми: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78277
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов / В.А. Цымбал, В.В. Слезов, И.Н. Колупаев // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 4. — С. 57-58. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Исследована термическая стабильность диффузионных барьеров на основе пленок Вi при различных способах получения пленок. Исследования проводились на электростатическом ускорителе ХНУ им. Каразина В.Н. в условиях изотермического отжига непосредственно под пучком протонов с энергией 1,85 МэВ Досліджена...