Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2001
• Автори: Ильин, И.Ю., Конакова, Р.В., Миленин, В.В., Ренгевич, А.Е., Соловьев, Е.А., Приходенко, В.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
• Теми: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78345
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со / И.Ю. Ильин, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич, Е.А. Соловьев, В.И. Приходенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 58-62. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

До и после облучения γ-квантами ⁶⁰Со в диапазоне доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция между пара...