Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со

До и после облучения γ-квантами ⁶⁰Со в диапазоне доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция между пара...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Вопросы атомной науки и техники
Date:2001
Main Authors: Ильин, И.Ю., Конакова, Р.В., Миленин, В.В., Ренгевич, А.Е., Соловьев, Е.А., Приходенко, В.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78345
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со / И.Ю. Ильин, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич, Е.А. Соловьев, В.И. Приходенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 58-62. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1860126049921138688
author Ильин, И.Ю.
Конакова, Р.В.
Миленин, В.В.
Ренгевич, А.Е.
Соловьев, Е.А.
Приходенко, В.И.
author_facet Ильин, И.Ю.
Конакова, Р.В.
Миленин, В.В.
Ренгевич, А.Е.
Соловьев, Е.А.
Приходенко, В.И.
citation_txt Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со / И.Ю. Ильин, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич, Е.А. Соловьев, В.И. Приходенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 58-62. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description До и после облучения γ-квантами ⁶⁰Со в диапазоне доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция между параметрами ПТШ и радиационными изменениями свойств границы раздела фаз как в интервале доз, в котором реализуется радиационно-стимулированное геттерирование дефектов, так и радиационная деградация приконтактных областей GaAs. Предложен интервал доз облучения ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в котором параметры ПТШ улучшаются. Этот интервал соответствует дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р. Перед та пiсля опромiнення γ-квантами ⁶⁰Со у диапазонi доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р дослiдженi статичнi вольтампернi характеристики та шумова температура на частотi 12 ГГц арсенiдгалiєвих польових транзисторiв з затвором Шоттки (ПТШ) та НЕМТ (high electron mobility transistor). Встановлена кореляцiя мiж параметрами ПТШ та радiацiйними змiнами властивостей меж подiлу фаз як у iнтервалi доз, в якому реалiзується радiацiйно-стимульоване гетерування дефектiв, так i радiацiйна деградацiя приконтактних дiлянок GaAs. Запропоновано iнтервал доз опромiнення ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в якому параметри ПТШ помiньшуються. Цей iнтервал вiдповiдає дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р. The statistic volt-amper characteristics and the noise temperature on a frequency of 12 HzHz of arsenide gallium field effect transistor with Shotky lock and of high electron mobility transistor ( HEMT ) were studied before and after γ-quantum ⁶⁰Co irradiation in the dose range of 1.10⁴... 2.10⁹. The correlation between the PTSh parameters and the radiation-induced changes of phases boundaries properties was established for the dose range where the radiation-stimulated defect gettering is realized and the radiation degradation of nearcontact regions GaAs .The dose range of PTSh irradiation by γ-quantum ⁶⁰Co where the PtSh parameters improve is proposed . This range corresponds to doses of 1.10⁴…7.10⁷ P.
first_indexed 2025-12-07T17:42:18Z
format Article
fulltext УДК 621.382.2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫХ ПТШ, ПОД- ВЕРГНУТЫХ ОБЛУЧЕНИЮ γ-КВАНТАМИ 60СО И.Ю. Ильин, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич, Е.А. Соловьев, В.И. Приходенко Институт физики полупроводников НАН Украины, г.Киев Перед та пiсля опромiнення γ-квантами 60 Со у диапазонi доз 1.104 - 2.109 Р дослiдженi статичнi вольтампернi характеристики та шумова температура на частотi 12 ГГц арсенiдгалiєвих польових транзи- сторiв з затвором Шоттки (ПТШ) та НЕМТ (high electron mobility transistor). Встановлена кореляцiя мiж па- раметрами ПТШ та радiацiйними змiнами властивостей меж подiлу фаз як у iнтервалi доз, в якому реалi- зується радiацiйно-стимульоване гетерування дефектiв, так i радiацiйна деградацiя приконтактних дiлянок GaAs. Запропоновано iнтервал доз опромiнення ПТШ γ-квантами 60 Со, в якому параметри ПТШ помiньшу- ються. Цей iнтервал вiдповiдає дозам 1.104…7.107 Р. До и после облучения γ-квантами 60Со в диапазоне доз 1⋅104…2⋅109 Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых тран- зисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция между параметрами ПТШ и радиационными изменениями свойств границы раздела фаз как в интервале доз, в котором реализуется радиационно-стимулированное геттерирование дефектов, так и радиационная де- градация приконтактных областей GaAs. Предложен интервал доз облучения ПТШ γ-квантами 60Со, в кото- ром параметры ПТШ улучшаются. Этот интервал соответствует дозам 1⋅104…7⋅107 Р The statistic volt-amper characteristics and the noise temperature on a frequency of 12 HzHz of arsenide galli- um field effect transistor with Shotky lock and of high electron mobility transistor ( HEMT ) were studied before and after γ-quantum 60 Co irradiation in the dose range of 1 .104…2. 109 . The correlation between the PTSh parame- ters and the radiation-induced changes of phases boundaries properties was established for the dose range where the radiation-stimulated defect gettering is realized and the radiation degradation of nearcontact regions GaAs .The dose range of PTSh irradiation by γ-quantum 60 Co where the PtSh parameters improve is proposed . This range corresponds to doses of 1.10 4… 7.10 7 P. ВВЕДЕНИЕ Радиационно-технологические процессы (РТП), такие как трансмутационное ядерное легирование, ионное легирование, протонирование, ионно-плаз- менные процессы традиционно используются в тех- нологии полупроводниковых приборов и интеграль- ных схем на начальных и промежуточных стадиях их изготовления: создание p-n-переходов, омиче- ских контактов, высококачественных изолирующих слоев. В тоже время ряд РТП, включающих, напри- мер, облучение приборных структур γ-квантами, подпороговыми электронами, быстрыми электрона- ми с энергией 1…4 МэВ, используются в техноло- гии полупроводниковых приборов, как правило, на завершающих стадиях изготовления – после опера- ции сборки и тестирования с целью атермического геттерирования дефектов. Наиболее изученными в этом отношении являются подобные РТП, разрабо- танные для управления параметрами кремниевых интегральных схем и дискретных приборов [1]. Из- вестен также опыт использования РТП в технологии изготовления СВЧ-диодов [2,3]. В то же время дан- ные о влиянии радиационных обработок на свойства арсенидгаллиевых СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем малочисленны, неоднозначны и противоречив [4-8]. Большая часть таких исследова- ний посвящена изучению деградационных явлений в транзисторах, вызванных влиянием радиации. Не- значительное количество работ, в которых рассмат- ривается радиационно-стимулированное геттериро- вание в полевых транзисторах с затвором Шоттки, основывается на электрофизических измерениях па- раметров ПТШ. Для разработки же радиационно- технологического процесса необходимы данные о влиянии радиации на все составляющие прибора и в особенности на более уязвимые его компоненты, а именно, омические и барьерные контакты и границы раздела фаз. Целью данной работы является исследование взаимосвязи параметров арсенидгаллиевых ПТШ, облученных γ-квантами 60Со в диапазоне доз 1⋅104…- 2⋅109 Р, со свойствами границ раздела металл- GaAs. ОБРАЗЦЫ И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА Исследовались арсенидгаллиевые ПТШ двух ти- пов: с затвором Шоттки и высокой подвижностью электронов в канале (так называемые HEMT – high electron mobility transistor), изготовленные по про- мышленной технологии [9]. Структура обоих типов транзисторов приведена на рис 1,а,б. Омические контакты создавались на основе эвтектики AuGe с последующим напылением слоя золота. Барьерные __________________________________________________________________ ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2001. №2. Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (79), с58-62. 58 контакты к GaAs формировались с помощью Au-Ti – металлизации. ПТШ с затвором Шоттки изго- тавливались на основе стандартной i-n --n-n+ -структуры GaAs с удельным сопротивлением подложки ρ> 107 Ом⋅см2, концентрацией легирую- щей примеси в буферном слое ∼1014 см-3, в рабочем слое ∼ 7⋅1017 см-3 и n+ − ∼1⋅1019 см-3, толщины со- ответствующих слоев приведены на рис. 1,а. НЕМТ создавались на полуизолирующей подложке i-GaAs с выращенными на ней слоями n-−n−δ−n+−n1 + c концентрацией легирующей примеси и толщи- нами в n -−GaAs ∼1⋅1014 см - 3 d≈1,0 мкм, n− GaAlAs ∼7⋅1014 cм-3 d ≈ 0,45 мкм, толщиной спей- сера δ ∼ 0,02 мкм, n+−GaAs ∼ 1⋅1018см-3 d≈0,35 мкм и n1 +−GaAs ∼ 1⋅1018см-3 d≈0,5 мкм. Чипы ПТШ были смонтированы в металличе- ских корпусах. Образцы облучались γ-квантами 60Со в диапазоне доз 1⋅104…2⋅109 Р при интенсивно- сти дозы 140 Р/с и температуре в зоне облучения не превышающей +40 °С. До и после облучения изме- рялись статические вольт-амперные характеристики (ВАХ) и шумовая температура Тш на частоте 12 ГГц. Тш измерялась также в ПТШ исходных и облученных до дозы 7⋅107 Р и отожженных в интервале темпе- ратур 125…275 °С в течение 0,5 ч. Часть измере- ний ВАХ была проведена на пластине. На тестовых структурах до и после облучения методами электронной оже – спектроскопии иссле- довались профили распределения компонентов кон- такта. С помощью микроскопии атомных сил, в кра- тере, образованном в результате стравливания ме- таллизации, исследовалась морфология поверхности границы раздела металл – GaAs. - а б Рис.1. Поперечное сечение ПТШ (а) и НЕМТ (б) РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ Анализ микрорельефа исходных эпитаксиальных структур GaAs показал, что исходная поверхность GaAs имеет однородное распределение микронеод- нородностей, описываемое функцией Гаусса. В структурах AuGe−GaAs в результате формирования омического контакта создается неравномерное рас- пределение микрорельефа с существенно бóльшими неоднородностями, по сравнению с исходной по- верхностью эпитаксиальной пленки GaAs. Травле- ние декорирует планарные пологие неоднородности с периодом ≤ 0,5 мкм. Усиление диффузионных процессов, стимулированных облучением, приводит к изменению пространственных параметров ре- льефной поверхности: высоты, ширины микровпа- дин и расстояния между ними, а их распределение не описывается нормальным законом. Можно ожи- дать, что в этом случае протекающие в системе под действием γ-облучения активационные процессы су- щественно повлияют на распределение элементов в эвтектическом сплаве. а б Рис.3. Профили распределения компонент кон- такта AuGe−GaAs до (а) и после (б) облучения γ- квантами 60Со до дозы 109 Р. На вставке показано распределение Au в приповерхностном слое метал- лизации до (а) и после облучения до дозы 109 Р Последнее было подтверждено при изучении по- слойного состава контакта. Типичное распределение неоднородностей и шероховатости для таких струк- тур (исходных эпитаксиальных структур и границы раздела AuGe-GaAs) показано на рис.2,а-е. После облучения тестовых структур с омическими кон- тактами до дозы ∼ 2⋅107 Р, как было показано в [10], в приконтактной области GaAs и в границе раздела фаз наблюдается структурно-примесное упорядоче- ние, сопровождаемое некоторым увеличением хол- ловской подвижности и времени жизни неосновных носителей заряда. Увеличение дозы γ-радиации до 109 Р, как видно из рис. 2,ж,з,и, приводит к увеличе- нию гетерогенности границы раздела, увеличению __________________________________________________________________ ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2001. №2. Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (79), с58-62. 59 высоты микрорельефа. Об этом также свидетель- ствует распределение компонент контакта AuGe− GaAs до и после облучения γ-квантами 60Со до дозы 109 Р ( рис. 3а,б) в тонком приповерхностном слое контакта. Аналогичная трансформация припо- верхностных свойств GaAs до и после облучения от- мечается также в барьерных контактах (затвор Шот- тки ПТШ) Au−Ti−GaAs. При этом гомогенизация контакта наблюдается при умеренных дозах γ-ра- диации и сопровождается улучшением электрофизи- ческих свойств барьера Шоттки: уменьшением фак- тора идеальности n, некоторым увеличением высоты барьера ϕв, уменьшением обратного тока. а б в г д е ж з и Рис.2. Морфология поверхности, распределение неоднородностей и шероховатость поверхности GaAs (а,б,в), границы раздела исходного сформированного контакта AuGe−GaAs (г,д.е), границы раздела AuGe− GaAs после облучения γ-квантами 60Со до дозы 109 Р (ж,з,и). Масштаб по оси z для рисунков: а – 50 нм на деление, г и ж – 500 нм на деление 60 а б Рис.4.ВАХ ПТШ (а) и НЕМТ (б) до (сплошная ли- ния) и после облучения (пунктирная линия) γ-кван- тами 60Со до дозы 2⋅106 Р Исследования статических ВАХ транзисторов обоих типов (с затвором Шоттки и НЕМТ) показали, что радиационные изменения ВАХ коррелируют со свойствами границы раздела фаз. Так при облучении γ- квантами 60Со до доз ∼ 106… 107 Р, когда наблюдает- ся структурное упорядочение в приповерхностных слоях GaAs, для приборов обоих типов наблюдалось увеличение крутизны, начального тока стока транзи- сторов. Причем, для ПТШ с затвором Шоттки этот эффект выражен сильнее, чем для НЕМТ. На рис. 4а, б приведены типичные ВАХ транзисторов обоих типов, исходные и после облучения до дозы 2⋅106 Р соответственно. Радиационная обработка дозами выше 108 Р при- водит к ухудшению ВАХ ПТШ. Этот результат на- ходится в соответствии с данными работы [10]. Для НЕМТ деградационные изменения наступают после облучения до дозы 2⋅109 Р. С помощью стандартной методики на частоте 12 ГГц до и после облучения проводились измерения шумовой температуры транзисторов. Оказалось, что в интервале доз 105…7⋅107 Р шумовая температура ПТШ уменьшается, с дальнейшим ростом дозы об- лучения Тш увеличивается (рис.5) и при дозах 5⋅108 Р значительно превышает исходную Тш (ПТШ дегра- дирует). Эти данные находятся в соответствии со структурно-примесным упорядочением приконтакт- ных областей ПТШ (Тш уменьшается ) и с увеличе- нием гетерогенности границы раздела (Тш увеличи- вается) Рис.5. Дозовая зависимость Т′/Т0 (Т0 – шумовая температура исходного ПТШ, Т′- шумовая темпе- ратура ПТШ после облучения) Рис.6. Влияние температуры отжига на Т′/Т0 ис- ходных ПТШ (кривая 1) и 2х облученных ПТШ до дозы 7⋅107 (кривые 2,3) Исследовалось также влияние температуры отжига в интервале температур 125…275 °С в течение 0,5 ч. на Тш ПТШ до и после облучения до дозы 7⋅107 Р (рис. 6). Из данных, приведенных на рис.6, видно, что термообработка необлученных ПТШ (кривая 1) в указанном температурном интер- вале несколько повышает Тш после отжига при Т=125 °С, и в дальнейшем она не изменяется вплоть до обработки при Т=275 °С. Отжиг облученных ПТШ в интервале Т=125…275 °С (кривые 2 и 3.6) приводит к уменьшению Тш на 50 % исследуемых приборов. Облучение до дозы 7⋅107 Р и термообработка НЕМТ при Т=125…275 °С в течение 0,5 ч. суще- ственно не изменяет Тш. Следует отметить также тот факт, что сравнение дозовых зависимостей основных параметров ПТШ и НЕМТ в интервале доз 104… 2⋅109 Р показали, что НЕМТ являются ра- диационно-стойкими вплоть до дозы 2⋅109 Р, тогда __________________________________________________________________ ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2001. №2. Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (79), с58-62. 61 б) как ПТШ ухудшают свои параметры начиная с дозы ∼108 Р. Отмеченная корреляция параметров ПТШ с параметрами границы раздела фаз омический (ба- рьерный) контакт-GaAs может быть понята, если учесть, что в результате воздействия радиации происходит радиационно-стимулированная релак- сация внутренних механических напряжений (ВМН) в транзисторном чипе, смонтированном на кристал- лодержатель. При этом в результате поглощения дислокациями точечных дефектов , дислокации, пересекающие область пространственного заряда (ОПЗ), так называемые “наклонные” дислокации и энергетически невыгодные выводятся из ОПЗ, что приводит к структурно-примесному упорядочению и обусловливает улучшение как параметров полу- проводника, так и приборной структуры [11]. Ранее, в [10], нами было показано, что в облученных ПТШ, расположенных на пластине GaAs, такой процесс на- блюдается в области умеренных доз γ-радиа- ции (∼3⋅106 … 2⋅107 Р). Подтверждением этого являет- ся эксперимент, проведенный на специально изго- товленной структуре, в которой деформация, вы- званная упругим изгибом тестовой структуры оми- ческого или барьерного контактов, уменьшается примерно в 1,5 раза по сравнению с исходным со- стоянием. Следствием этого процесса (релаксации ВМН) являлось улучшение рекомбинационных свойств в приконтактной области GaAs, а именно, увеличения на 10…20% диффузионной длины неосновных носителей тока. Логично предполо- жить, что подобный факт имеется и в корпусирован- ном «чипе» ПТШ, хотя ВМН в корпусированном приборе прямыми методами измерить не представ- ляется возможным. Косвенным доказательством этого процесса является увеличение крутизны и на- чального тока стока ПТШ, связанных с холловской подвижностью µп носителей в канале, а именно: ее увеличением в результате релаксации ВМН и струк- турно-примесного упорядочения в области границы раздела фаз. Апробация данного радиационно-технологиче- ского процесса на заключительном этапе изготовле- ния арсенидгаллиевых ПТШ в условиях произ- водства в ОАО НПП «Сатурн» показала, что при этом улучшаются не только качество ПТШ, но и на 10…15% может увеличиться процент выхода год- ных приборов. ВЫВОДЫ Таким образом, при разработке полевых транзи- сторов с барьером Шоттки и НЕМТ необходимо учитывать дефектообразование в приконтактных об- ластях GaAs, сводя его к минимуму уже в готовом приборе путем атермической обработки γ-квантами 60Со. Проведение данного радиационно-технологи- ческого процесса в интервале доз 1⋅104… 7⋅107 Р при- водит к улучшению низкочастотных параметров транзисторов и шумовой температуры. ЛИТЕРАТУРА 1.В.С.Вавилов, Б.М.Горин, Н.С.Данилкин и др. /Ра- диационные методы в твердотельной электронике. М.: «Радио и связь». 1990, 184 с. 2.Р.В.Конакова, Ю.А.Тхорик, Л.С.Хазан. Особенно- сти радиационной технологии при изготовлении GaAs диодов для СВЧ-электроники //Арсенид гал- лия. Под ред. Гамана В.И. Томск: ТГУ, 1982, с.183- 185. 3.Р.В.Конакова, Ю.А.Тхорик, Л.С.Хазан. Возможно- сти радиационной технологии при изготовлении диодов //Электронная техника. Сер.2. Полупровод- никовые приборы. 1988, вып. 2, с.47-56. 4.Е.Р.Аствацатурьян, Д.В.Громов, В.В.Елесин и др. Радиационные процессы в GaAs полупроводни- ковых приборах и интегральных схемах.. //Зарубеж- ная радиоэлектроника. 1988, №1,с48-83. 5.С.И.Бойко, В.И.Осинский, И.К.Синищук и др Ис- следование влияния радиационных дефектов на ди- намические параметры транзисторов с барьером Шоттки методом тока, индуцированного электрон- ным зондом..//Физические основы надежности и де- градации полупроводниковых приборов. Кишинев.: Штиинца. 1991, с. 75-76. 6.N.Arpatzanis, M.Papastamtion, G.J.Papaioannou et al. The gamma ray radiation effects in high-electron-mobil- ity transistor. //Semicond. Sci. Technol. 1995, №10, p.1445-1451. 7.С.В.Оболенский,. Г.П.Павлов.Влияние нейтронно- го и космического облучения на характеристики по- левого транзистора с затвором Шоттки //ФТП. 1995, т. 29, вып. 3, с.413-420. 8.Р.В.Конакова, В.В.Миленин, Е.А.Соловьев и др. Влияние радиации на вольтамперные характеристи- ки арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затво- ром Шоттки..//Радиоэлектроника. 1999, №4, с.73-75. 9.В.И.Босый, А.В.Иващук, И.Ю.Ильин и др. Мало- шумящие транзисторы миллиметрового и субмилли- метрового диапазонов длин волн. Материалы и тех- нология. //Материалы конференции «Крымико-96» 6ой Международной Крымской конференции «СВЧ- техника и телекоммуникационные технологии». Крым, Украина, 16-19 сентября 1996. Севастополь: Вебер,1996, с.3-9. 10.Р.В.Конакова, В.В.Миленин, Е.А.Соловьев и др. Влияние γ-радиации на электрофизические свойства арсенидгаллиевых ПТШ .//Радиоэлектроника. 2000, №6, с.45-51. 11.Е.Ф.Венгер, М.Грендел, В.Данишка и др. Струк- турная релаксация в полупроводниковых кристаллах и приборных структурах. //Под. ред. Ю.А.Тхорика. Киев: «Феникс». 1994, 248 с. 62 Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ, подвергнутых облучению -квантами 60Со Введение Образцы и техника эксперимента Результаты и обсуждение Выводы Литература
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78345
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language Russian
last_indexed 2025-12-07T17:42:18Z
publishDate 2001
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Ильин, И.Ю.
Конакова, Р.В.
Миленин, В.В.
Ренгевич, А.Е.
Соловьев, Е.А.
Приходенко, В.И.
2015-03-13T20:27:35Z
2015-03-13T20:27:35Z
2001
Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со / И.Ю. Ильин, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич, Е.А. Соловьев, В.И. Приходенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 58-62. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78345
621.382.2
До и после облучения γ-квантами ⁶⁰Со в диапазоне доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция между параметрами ПТШ и радиационными изменениями свойств границы раздела фаз как в интервале доз, в котором реализуется радиационно-стимулированное геттерирование дефектов, так и радиационная деградация приконтактных областей GaAs. Предложен интервал доз облучения ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в котором параметры ПТШ улучшаются. Этот интервал соответствует дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р.
Перед та пiсля опромiнення γ-квантами ⁶⁰Со у диапазонi доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р дослiдженi статичнi вольтампернi характеристики та шумова температура на частотi 12 ГГц арсенiдгалiєвих польових транзисторiв з затвором Шоттки (ПТШ) та НЕМТ (high electron mobility transistor). Встановлена кореляцiя мiж параметрами ПТШ та радiацiйними змiнами властивостей меж подiлу фаз як у iнтервалi доз, в якому реалiзується радiацiйно-стимульоване гетерування дефектiв, так i радiацiйна деградацiя приконтактних дiлянок GaAs. Запропоновано iнтервал доз опромiнення ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в якому параметри ПТШ помiньшуються. Цей iнтервал вiдповiдає дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р.
The statistic volt-amper characteristics and the noise temperature on a frequency of 12 HzHz of arsenide gallium field effect transistor with Shotky lock and of high electron mobility transistor ( HEMT ) were studied before and after γ-quantum ⁶⁰Co irradiation in the dose range of 1.10⁴... 2.10⁹. The correlation between the PTSh parameters and the radiation-induced changes of phases boundaries properties was established for the dose range where the radiation-stimulated defect gettering is realized and the radiation degradation of nearcontact regions GaAs .The dose range of PTSh irradiation by γ-quantum ⁶⁰Co where the PtSh parameters improve is proposed . This range corresponds to doses of 1.10⁴…7.10⁷ P.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со
Article
published earlier
spellingShingle Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со
Ильин, И.Ю.
Конакова, Р.В.
Миленин, В.В.
Ренгевич, А.Е.
Соловьев, Е.А.
Приходенко, В.И.
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
title Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со
title_full Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со
title_fullStr Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со
title_full_unstemmed Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со
title_short Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со
title_sort исследование свойств арсенидгаллиевых птш подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰со
topic Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
topic_facet Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78345
work_keys_str_mv AT ilʹiniû issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so
AT konakovarv issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so
AT mileninvv issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so
AT rengevičae issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so
AT solovʹevea issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so
AT prihodenkovi issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so