Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со
До и после облучения γ-квантами ⁶⁰Со в диапазоне доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция между пара...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78345 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со / И.Ю. Ильин, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич, Е.А. Соловьев, В.И. Приходенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 58-62. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860126049921138688 |
|---|---|
| author | Ильин, И.Ю. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Ренгевич, А.Е. Соловьев, Е.А. Приходенко, В.И. |
| author_facet | Ильин, И.Ю. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Ренгевич, А.Е. Соловьев, Е.А. Приходенко, В.И. |
| citation_txt | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со / И.Ю. Ильин, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич, Е.А. Соловьев, В.И. Приходенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 58-62. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | До и после облучения γ-квантами ⁶⁰Со в диапазоне доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция между параметрами ПТШ и радиационными изменениями свойств границы раздела фаз как в интервале доз, в котором реализуется радиационно-стимулированное геттерирование дефектов, так и радиационная деградация приконтактных областей GaAs. Предложен интервал доз облучения ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в котором параметры ПТШ улучшаются. Этот интервал соответствует дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р.
Перед та пiсля опромiнення γ-квантами ⁶⁰Со у диапазонi доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р дослiдженi статичнi вольтампернi характеристики та шумова температура на частотi 12 ГГц арсенiдгалiєвих польових транзисторiв з затвором Шоттки (ПТШ) та НЕМТ (high electron mobility transistor). Встановлена кореляцiя мiж параметрами ПТШ та радiацiйними змiнами властивостей меж подiлу фаз як у iнтервалi доз, в якому реалiзується радiацiйно-стимульоване гетерування дефектiв, так i радiацiйна деградацiя приконтактних дiлянок GaAs. Запропоновано iнтервал доз опромiнення ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в якому параметри ПТШ помiньшуються. Цей iнтервал вiдповiдає дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р.
The statistic volt-amper characteristics and the noise temperature on a frequency of 12 HzHz of arsenide gallium field effect transistor with Shotky lock and of high electron mobility transistor ( HEMT ) were studied before and after γ-quantum ⁶⁰Co irradiation in the dose range of 1.10⁴... 2.10⁹. The correlation between the PTSh parameters and the radiation-induced changes of phases boundaries properties was established for the dose range where the radiation-stimulated defect gettering is realized and the radiation degradation of nearcontact regions GaAs .The dose range of PTSh irradiation by γ-quantum ⁶⁰Co where the PtSh parameters improve is proposed . This range corresponds to doses of 1.10⁴…7.10⁷ P.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:42:18Z |
| format | Article |
| fulltext |
УДК 621.382.2
ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫХ ПТШ, ПОД-
ВЕРГНУТЫХ ОБЛУЧЕНИЮ γ-КВАНТАМИ 60СО
И.Ю. Ильин, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич, Е.А. Соловьев,
В.И. Приходенко
Институт физики полупроводников НАН Украины, г.Киев
Перед та пiсля опромiнення γ-квантами 60 Со у диапазонi доз 1.104 - 2.109 Р дослiдженi статичнi
вольтампернi характеристики та шумова температура на частотi 12 ГГц арсенiдгалiєвих польових транзи-
сторiв з затвором Шоттки (ПТШ) та НЕМТ (high electron mobility transistor). Встановлена кореляцiя мiж па-
раметрами ПТШ та радiацiйними змiнами властивостей меж подiлу фаз як у iнтервалi доз, в якому реалi-
зується радiацiйно-стимульоване гетерування дефектiв, так i радiацiйна деградацiя приконтактних дiлянок
GaAs. Запропоновано iнтервал доз опромiнення ПТШ γ-квантами 60 Со, в якому параметри ПТШ помiньшу-
ються. Цей iнтервал вiдповiдає дозам 1.104…7.107 Р.
До и после облучения γ-квантами 60Со в диапазоне доз 1⋅104…2⋅109 Р исследованы статические
вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых тран-
зисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция
между параметрами ПТШ и радиационными изменениями свойств границы раздела фаз как в интервале
доз, в котором реализуется радиационно-стимулированное геттерирование дефектов, так и радиационная де-
градация приконтактных областей GaAs. Предложен интервал доз облучения ПТШ γ-квантами 60Со, в кото-
ром параметры ПТШ улучшаются. Этот интервал соответствует дозам 1⋅104…7⋅107 Р
The statistic volt-amper characteristics and the noise temperature on a frequency of 12 HzHz of arsenide galli-
um field effect transistor with Shotky lock and of high electron mobility transistor ( HEMT ) were studied before
and after γ-quantum 60 Co irradiation in the dose range of 1 .104…2. 109 . The correlation between the PTSh parame-
ters and the radiation-induced changes of phases boundaries properties was established for the dose range where the
radiation-stimulated defect gettering is realized and the radiation degradation of nearcontact regions GaAs .The
dose range of PTSh irradiation by γ-quantum 60 Co where the PtSh parameters improve is proposed . This range
corresponds to doses of 1.10 4… 7.10 7 P.
ВВЕДЕНИЕ
Радиационно-технологические процессы (РТП),
такие как трансмутационное ядерное легирование,
ионное легирование, протонирование, ионно-плаз-
менные процессы традиционно используются в тех-
нологии полупроводниковых приборов и интеграль-
ных схем на начальных и промежуточных стадиях
их изготовления: создание p-n-переходов, омиче-
ских контактов, высококачественных изолирующих
слоев. В тоже время ряд РТП, включающих, напри-
мер, облучение приборных структур γ-квантами,
подпороговыми электронами, быстрыми электрона-
ми с энергией 1…4 МэВ, используются в техноло-
гии полупроводниковых приборов, как правило, на
завершающих стадиях изготовления – после опера-
ции сборки и тестирования с целью атермического
геттерирования дефектов. Наиболее изученными в
этом отношении являются подобные РТП, разрабо-
танные для управления параметрами кремниевых
интегральных схем и дискретных приборов [1]. Из-
вестен также опыт использования РТП в технологии
изготовления СВЧ-диодов [2,3]. В то же время дан-
ные о влиянии радиационных обработок на свойства
арсенидгаллиевых СВЧ-транзисторов и монолитных
интегральных схем малочисленны, неоднозначны и
противоречив [4-8]. Большая часть таких исследова-
ний посвящена изучению деградационных явлений
в транзисторах, вызванных влиянием радиации. Не-
значительное количество работ, в которых рассмат-
ривается радиационно-стимулированное геттериро-
вание в полевых транзисторах с затвором Шоттки,
основывается на электрофизических измерениях па-
раметров ПТШ. Для разработки же радиационно-
технологического процесса необходимы данные о
влиянии радиации на все составляющие прибора и в
особенности на более уязвимые его компоненты, а
именно, омические и барьерные контакты и границы
раздела фаз.
Целью данной работы является исследование
взаимосвязи параметров арсенидгаллиевых ПТШ,
облученных γ-квантами 60Со в диапазоне доз 1⋅104…-
2⋅109 Р, со свойствами границ раздела металл- GaAs.
ОБРАЗЦЫ И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
Исследовались арсенидгаллиевые ПТШ двух ти-
пов: с затвором Шоттки и высокой подвижностью
электронов в канале (так называемые HEMT – high
electron mobility transistor), изготовленные по про-
мышленной технологии [9]. Структура обоих типов
транзисторов приведена на рис 1,а,б. Омические
контакты создавались на основе эвтектики AuGe с
последующим напылением слоя золота. Барьерные
__________________________________________________________________
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2001. №2.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (79), с58-62.
58
контакты к GaAs формировались с помощью Au-Ti
– металлизации. ПТШ с затвором Шоттки изго-
тавливались на основе стандартной i-n --n-n+
-структуры GaAs с удельным сопротивлением
подложки ρ> 107 Ом⋅см2, концентрацией легирую-
щей примеси в буферном слое ∼1014 см-3, в рабочем
слое ∼ 7⋅1017 см-3 и n+ − ∼1⋅1019 см-3, толщины со-
ответствующих слоев приведены на рис. 1,а.
НЕМТ создавались на полуизолирующей подложке
i-GaAs с выращенными на ней слоями n-−n−δ−n+−n1
+
c концентрацией легирующей примеси и толщи-
нами в n -−GaAs ∼1⋅1014 см - 3 d≈1,0 мкм, n−
GaAlAs ∼7⋅1014 cм-3 d ≈ 0,45 мкм, толщиной спей-
сера δ ∼ 0,02 мкм, n+−GaAs ∼ 1⋅1018см-3 d≈0,35 мкм
и n1
+−GaAs ∼ 1⋅1018см-3 d≈0,5 мкм.
Чипы ПТШ были смонтированы в металличе-
ских корпусах. Образцы облучались γ-квантами
60Со в диапазоне доз 1⋅104…2⋅109 Р при интенсивно-
сти дозы 140 Р/с и температуре в зоне облучения не
превышающей +40 °С. До и после облучения изме-
рялись статические вольт-амперные характеристики
(ВАХ) и шумовая температура Тш на частоте 12 ГГц.
Тш измерялась также в ПТШ исходных и облученных
до дозы 7⋅107 Р и отожженных в интервале темпе-
ратур 125…275 °С в течение 0,5 ч. Часть измере-
ний ВАХ была проведена на пластине.
На тестовых структурах до и после облучения
методами электронной оже – спектроскопии иссле-
довались профили распределения компонентов кон-
такта. С помощью микроскопии атомных сил, в кра-
тере, образованном в результате стравливания ме-
таллизации, исследовалась морфология поверхности
границы раздела металл – GaAs.
- а
б
Рис.1. Поперечное сечение ПТШ (а) и НЕМТ (б)
РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ
Анализ микрорельефа исходных эпитаксиальных
структур GaAs показал, что исходная поверхность
GaAs имеет однородное распределение микронеод-
нородностей, описываемое функцией Гаусса. В
структурах AuGe−GaAs в результате формирования
омического контакта создается неравномерное рас-
пределение микрорельефа с существенно бóльшими
неоднородностями, по сравнению с исходной по-
верхностью эпитаксиальной пленки GaAs. Травле-
ние декорирует планарные пологие неоднородности
с периодом ≤ 0,5 мкм. Усиление диффузионных
процессов, стимулированных облучением, приводит
к изменению пространственных параметров ре-
льефной поверхности: высоты, ширины микровпа-
дин и расстояния между ними, а их распределение
не описывается нормальным законом. Можно ожи-
дать, что в этом случае протекающие в системе под
действием γ-облучения активационные процессы су-
щественно повлияют на распределение элементов в
эвтектическом сплаве.
а
б
Рис.3. Профили распределения компонент кон-
такта AuGe−GaAs до (а) и после (б) облучения γ-
квантами 60Со до дозы 109 Р. На вставке показано
распределение Au в приповерхностном слое метал-
лизации до (а) и после облучения до дозы 109 Р
Последнее было подтверждено при изучении по-
слойного состава контакта. Типичное распределение
неоднородностей и шероховатости для таких струк-
тур (исходных эпитаксиальных структур и границы
раздела AuGe-GaAs) показано на рис.2,а-е. После
облучения тестовых структур с омическими кон-
тактами до дозы ∼ 2⋅107 Р, как было показано в [10],
в приконтактной области GaAs и в границе раздела
фаз наблюдается структурно-примесное упорядоче-
ние, сопровождаемое некоторым увеличением хол-
ловской подвижности и времени жизни неосновных
носителей заряда. Увеличение дозы γ-радиации до
109 Р, как видно из рис. 2,ж,з,и, приводит к увеличе-
нию гетерогенности границы раздела, увеличению
__________________________________________________________________
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2001. №2.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (79), с58-62.
59
высоты микрорельефа. Об этом также свидетель-
ствует распределение компонент контакта AuGe−
GaAs до и после облучения γ-квантами 60Со до
дозы 109 Р ( рис. 3а,б) в тонком приповерхностном
слое контакта. Аналогичная трансформация припо-
верхностных свойств GaAs до и после облучения от-
мечается также в барьерных контактах (затвор Шот-
тки ПТШ) Au−Ti−GaAs. При этом гомогенизация
контакта наблюдается при умеренных дозах γ-ра-
диации и сопровождается улучшением электрофизи-
ческих свойств барьера Шоттки: уменьшением фак-
тора идеальности n, некоторым увеличением высоты
барьера ϕв, уменьшением обратного тока.
а б в
г д
е
ж з
и
Рис.2. Морфология поверхности, распределение неоднородностей и шероховатость поверхности GaAs
(а,б,в), границы раздела исходного сформированного контакта AuGe−GaAs (г,д.е), границы раздела AuGe−
GaAs после облучения γ-квантами 60Со до дозы 109 Р (ж,з,и). Масштаб по оси z для рисунков: а – 50 нм на
деление, г и ж – 500 нм на деление
60
а
б
Рис.4.ВАХ ПТШ (а) и НЕМТ (б) до (сплошная ли-
ния) и после облучения (пунктирная линия) γ-кван-
тами 60Со до дозы 2⋅106 Р
Исследования статических ВАХ транзисторов
обоих типов (с затвором Шоттки и НЕМТ) показали,
что радиационные изменения ВАХ коррелируют со
свойствами границы раздела фаз. Так при облучении γ-
квантами 60Со до доз ∼ 106… 107 Р, когда наблюдает-
ся структурное упорядочение в приповерхностных
слоях GaAs, для приборов обоих типов наблюдалось
увеличение крутизны, начального тока стока транзи-
сторов. Причем, для ПТШ с затвором Шоттки этот
эффект выражен сильнее, чем для НЕМТ. На рис.
4а, б приведены типичные ВАХ транзисторов обоих
типов, исходные и после облучения до дозы 2⋅106 Р
соответственно.
Радиационная обработка дозами выше 108 Р при-
водит к ухудшению ВАХ ПТШ. Этот результат на-
ходится в соответствии с данными работы [10]. Для
НЕМТ деградационные изменения наступают после
облучения до дозы 2⋅109 Р.
С помощью стандартной методики на частоте 12
ГГц до и после облучения проводились измерения
шумовой температуры транзисторов. Оказалось, что
в интервале доз 105…7⋅107 Р шумовая температура
ПТШ уменьшается, с дальнейшим ростом дозы об-
лучения Тш увеличивается (рис.5) и при дозах 5⋅108 Р
значительно превышает исходную Тш (ПТШ дегра-
дирует). Эти данные находятся в соответствии со
структурно-примесным упорядочением приконтакт-
ных областей ПТШ (Тш уменьшается ) и с увеличе-
нием гетерогенности границы раздела (Тш увеличи-
вается)
Рис.5. Дозовая зависимость Т′/Т0 (Т0 – шумовая
температура исходного ПТШ, Т′- шумовая темпе-
ратура ПТШ после облучения)
Рис.6. Влияние температуры отжига на Т′/Т0 ис-
ходных ПТШ (кривая 1) и 2х облученных ПТШ до
дозы 7⋅107 (кривые 2,3)
Исследовалось также влияние температуры
отжига в интервале температур 125…275 °С в
течение 0,5 ч. на Тш ПТШ до и после облучения до
дозы 7⋅107 Р (рис. 6). Из данных, приведенных на
рис.6, видно, что термообработка необлученных
ПТШ (кривая 1) в указанном температурном интер-
вале несколько повышает Тш после отжига при
Т=125 °С, и в дальнейшем она не изменяется вплоть
до обработки при Т=275 °С. Отжиг облученных
ПТШ в интервале Т=125…275 °С (кривые 2 и 3.6)
приводит к уменьшению Тш на 50 % исследуемых
приборов.
Облучение до дозы 7⋅107 Р и термообработка
НЕМТ при Т=125…275 °С в течение 0,5 ч. суще-
ственно не изменяет Тш. Следует отметить также
тот факт, что сравнение дозовых зависимостей
основных параметров ПТШ и НЕМТ в интервале
доз 104… 2⋅109 Р показали, что НЕМТ являются ра-
диационно-стойкими вплоть до дозы 2⋅109 Р, тогда
__________________________________________________________________
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2001. №2.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (79), с58-62.
61
б)
как ПТШ ухудшают свои параметры начиная с дозы
∼108 Р. Отмеченная корреляция параметров ПТШ с
параметрами границы раздела фаз омический (ба-
рьерный) контакт-GaAs может быть понята, если
учесть, что в результате воздействия радиации
происходит радиационно-стимулированная релак-
сация внутренних механических напряжений (ВМН)
в транзисторном чипе, смонтированном на кристал-
лодержатель. При этом в результате поглощения
дислокациями точечных дефектов , дислокации,
пересекающие область пространственного заряда
(ОПЗ), так называемые “наклонные” дислокации и
энергетически невыгодные выводятся из ОПЗ, что
приводит к структурно-примесному упорядочению
и обусловливает улучшение как параметров полу-
проводника, так и приборной структуры [11]. Ранее,
в [10], нами было показано, что в облученных ПТШ,
расположенных на пластине GaAs, такой процесс на-
блюдается в области умеренных доз γ-радиа-
ции (∼3⋅106 … 2⋅107 Р). Подтверждением этого являет-
ся эксперимент, проведенный на специально изго-
товленной структуре, в которой деформация, вы-
званная упругим изгибом тестовой структуры оми-
ческого или барьерного контактов, уменьшается
примерно в 1,5 раза по сравнению с исходным со-
стоянием. Следствием этого процесса (релаксации
ВМН) являлось улучшение рекомбинационных
свойств в приконтактной области GaAs, а именно,
увеличения на 10…20% диффузионной длины
неосновных носителей тока. Логично предполо-
жить, что подобный факт имеется и в корпусирован-
ном «чипе» ПТШ, хотя ВМН в корпусированном
приборе прямыми методами измерить не представ-
ляется возможным. Косвенным доказательством
этого процесса является увеличение крутизны и на-
чального тока стока ПТШ, связанных с холловской
подвижностью µп носителей в канале, а именно: ее
увеличением в результате релаксации ВМН и струк-
турно-примесного упорядочения в области границы
раздела фаз.
Апробация данного радиационно-технологиче-
ского процесса на заключительном этапе изготовле-
ния арсенидгаллиевых ПТШ в условиях произ-
водства в ОАО НПП «Сатурн» показала, что при
этом улучшаются не только качество ПТШ, но и на
10…15% может увеличиться процент выхода год-
ных приборов.
ВЫВОДЫ
Таким образом, при разработке полевых транзи-
сторов с барьером Шоттки и НЕМТ необходимо
учитывать дефектообразование в приконтактных об-
ластях GaAs, сводя его к минимуму уже в готовом
приборе путем атермической обработки γ-квантами
60Со. Проведение данного радиационно-технологи-
ческого процесса в интервале доз 1⋅104… 7⋅107 Р при-
водит к улучшению низкочастотных параметров
транзисторов и шумовой температуры.
ЛИТЕРАТУРА
1.В.С.Вавилов, Б.М.Горин, Н.С.Данилкин и др. /Ра-
диационные методы в твердотельной электронике.
М.: «Радио и связь». 1990, 184 с.
2.Р.В.Конакова, Ю.А.Тхорик, Л.С.Хазан. Особенно-
сти радиационной технологии при изготовлении
GaAs диодов для СВЧ-электроники //Арсенид гал-
лия. Под ред. Гамана В.И. Томск: ТГУ, 1982, с.183-
185.
3.Р.В.Конакова, Ю.А.Тхорик, Л.С.Хазан. Возможно-
сти радиационной технологии при изготовлении
диодов //Электронная техника. Сер.2. Полупровод-
никовые приборы. 1988, вып. 2, с.47-56.
4.Е.Р.Аствацатурьян, Д.В.Громов, В.В.Елесин и
др. Радиационные процессы в GaAs полупроводни-
ковых приборах и интегральных схемах.. //Зарубеж-
ная радиоэлектроника. 1988, №1,с48-83.
5.С.И.Бойко, В.И.Осинский, И.К.Синищук и др Ис-
следование влияния радиационных дефектов на ди-
намические параметры транзисторов с барьером
Шоттки методом тока, индуцированного электрон-
ным зондом..//Физические основы надежности и де-
градации полупроводниковых приборов. Кишинев.:
Штиинца. 1991, с. 75-76.
6.N.Arpatzanis, M.Papastamtion, G.J.Papaioannou et al.
The gamma ray radiation effects in high-electron-mobil-
ity transistor. //Semicond. Sci. Technol. 1995, №10,
p.1445-1451.
7.С.В.Оболенский,. Г.П.Павлов.Влияние нейтронно-
го и космического облучения на характеристики по-
левого транзистора с затвором Шоттки //ФТП. 1995,
т. 29, вып. 3, с.413-420.
8.Р.В.Конакова, В.В.Миленин, Е.А.Соловьев и др.
Влияние радиации на вольтамперные характеристи-
ки арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затво-
ром Шоттки..//Радиоэлектроника. 1999, №4, с.73-75.
9.В.И.Босый, А.В.Иващук, И.Ю.Ильин и др. Мало-
шумящие транзисторы миллиметрового и субмилли-
метрового диапазонов длин волн. Материалы и тех-
нология. //Материалы конференции «Крымико-96»
6ой Международной Крымской конференции «СВЧ-
техника и телекоммуникационные технологии».
Крым, Украина, 16-19 сентября 1996. Севастополь:
Вебер,1996, с.3-9.
10.Р.В.Конакова, В.В.Миленин, Е.А.Соловьев и др.
Влияние γ-радиации на электрофизические свойства
арсенидгаллиевых ПТШ .//Радиоэлектроника. 2000,
№6, с.45-51.
11.Е.Ф.Венгер, М.Грендел, В.Данишка и др. Струк-
турная релаксация в полупроводниковых кристаллах
и приборных структурах. //Под. ред. Ю.А.Тхорика.
Киев: «Феникс». 1994, 248 с.
62
Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ, подвергнутых облучению -квантами 60Со
Введение
Образцы и техника эксперимента
Результаты и обсуждение
Выводы
Литература
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78345 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:42:18Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ильин, И.Ю. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Ренгевич, А.Е. Соловьев, Е.А. Приходенко, В.И. 2015-03-13T20:27:35Z 2015-03-13T20:27:35Z 2001 Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со / И.Ю. Ильин, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич, Е.А. Соловьев, В.И. Приходенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 58-62. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78345 621.382.2 До и после облучения γ-квантами ⁶⁰Со в диапазоне доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция между параметрами ПТШ и радиационными изменениями свойств границы раздела фаз как в интервале доз, в котором реализуется радиационно-стимулированное геттерирование дефектов, так и радиационная деградация приконтактных областей GaAs. Предложен интервал доз облучения ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в котором параметры ПТШ улучшаются. Этот интервал соответствует дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р. Перед та пiсля опромiнення γ-квантами ⁶⁰Со у диапазонi доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р дослiдженi статичнi вольтампернi характеристики та шумова температура на частотi 12 ГГц арсенiдгалiєвих польових транзисторiв з затвором Шоттки (ПТШ) та НЕМТ (high electron mobility transistor). Встановлена кореляцiя мiж параметрами ПТШ та радiацiйними змiнами властивостей меж подiлу фаз як у iнтервалi доз, в якому реалiзується радiацiйно-стимульоване гетерування дефектiв, так i радiацiйна деградацiя приконтактних дiлянок GaAs. Запропоновано iнтервал доз опромiнення ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в якому параметри ПТШ помiньшуються. Цей iнтервал вiдповiдає дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р. The statistic volt-amper characteristics and the noise temperature on a frequency of 12 HzHz of arsenide gallium field effect transistor with Shotky lock and of high electron mobility transistor ( HEMT ) were studied before and after γ-quantum ⁶⁰Co irradiation in the dose range of 1.10⁴... 2.10⁹. The correlation between the PTSh parameters and the radiation-induced changes of phases boundaries properties was established for the dose range where the radiation-stimulated defect gettering is realized and the radiation degradation of nearcontact regions GaAs .The dose range of PTSh irradiation by γ-quantum ⁶⁰Co where the PtSh parameters improve is proposed . This range corresponds to doses of 1.10⁴…7.10⁷ P. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со Ильин, И.Ю. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Ренгевич, А.Е. Соловьев, Е.А. Приходенко, В.И. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со |
| title_full | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со |
| title_fullStr | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со |
| title_full_unstemmed | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со |
| title_short | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со |
| title_sort | исследование свойств арсенидгаллиевых птш подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰со |
| topic | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78345 |
| work_keys_str_mv | AT ilʹiniû issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so AT konakovarv issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so AT mileninvv issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so AT rengevičae issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so AT solovʹevea issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so AT prihodenkovi issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so |