Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со
До и после облучения γ-квантами ⁶⁰Со в диапазоне доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция между пара...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78345 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со / И.Ю. Ильин, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич, Е.А. Соловьев, В.И. Приходенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 58-62. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862713138789482496 |
|---|---|
| author | Ильин, И.Ю. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Ренгевич, А.Е. Соловьев, Е.А. Приходенко, В.И. |
| author_facet | Ильин, И.Ю. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Ренгевич, А.Е. Соловьев, Е.А. Приходенко, В.И. |
| citation_txt | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со / И.Ю. Ильин, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич, Е.А. Соловьев, В.И. Приходенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 58-62. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | До и после облучения γ-квантами ⁶⁰Со в диапазоне доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция между параметрами ПТШ и радиационными изменениями свойств границы раздела фаз как в интервале доз, в котором реализуется радиационно-стимулированное геттерирование дефектов, так и радиационная деградация приконтактных областей GaAs. Предложен интервал доз облучения ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в котором параметры ПТШ улучшаются. Этот интервал соответствует дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р.
Перед та пiсля опромiнення γ-квантами ⁶⁰Со у диапазонi доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р дослiдженi статичнi вольтампернi характеристики та шумова температура на частотi 12 ГГц арсенiдгалiєвих польових транзисторiв з затвором Шоттки (ПТШ) та НЕМТ (high electron mobility transistor). Встановлена кореляцiя мiж параметрами ПТШ та радiацiйними змiнами властивостей меж подiлу фаз як у iнтервалi доз, в якому реалiзується радiацiйно-стимульоване гетерування дефектiв, так i радiацiйна деградацiя приконтактних дiлянок GaAs. Запропоновано iнтервал доз опромiнення ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в якому параметри ПТШ помiньшуються. Цей iнтервал вiдповiдає дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р.
The statistic volt-amper characteristics and the noise temperature on a frequency of 12 HzHz of arsenide gallium field effect transistor with Shotky lock and of high electron mobility transistor ( HEMT ) were studied before and after γ-quantum ⁶⁰Co irradiation in the dose range of 1.10⁴... 2.10⁹. The correlation between the PTSh parameters and the radiation-induced changes of phases boundaries properties was established for the dose range where the radiation-stimulated defect gettering is realized and the radiation degradation of nearcontact regions GaAs .The dose range of PTSh irradiation by γ-quantum ⁶⁰Co where the PtSh parameters improve is proposed . This range corresponds to doses of 1.10⁴…7.10⁷ P.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:42:18Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78345 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:42:18Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ильин, И.Ю. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Ренгевич, А.Е. Соловьев, Е.А. Приходенко, В.И. 2015-03-13T20:27:35Z 2015-03-13T20:27:35Z 2001 Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со / И.Ю. Ильин, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич, Е.А. Соловьев, В.И. Приходенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 58-62. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78345 621.382.2 До и после облучения γ-квантами ⁶⁰Со в диапазоне доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция между параметрами ПТШ и радиационными изменениями свойств границы раздела фаз как в интервале доз, в котором реализуется радиационно-стимулированное геттерирование дефектов, так и радиационная деградация приконтактных областей GaAs. Предложен интервал доз облучения ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в котором параметры ПТШ улучшаются. Этот интервал соответствует дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р. Перед та пiсля опромiнення γ-квантами ⁶⁰Со у диапазонi доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р дослiдженi статичнi вольтампернi характеристики та шумова температура на частотi 12 ГГц арсенiдгалiєвих польових транзисторiв з затвором Шоттки (ПТШ) та НЕМТ (high electron mobility transistor). Встановлена кореляцiя мiж параметрами ПТШ та радiацiйними змiнами властивостей меж подiлу фаз як у iнтервалi доз, в якому реалiзується радiацiйно-стимульоване гетерування дефектiв, так i радiацiйна деградацiя приконтактних дiлянок GaAs. Запропоновано iнтервал доз опромiнення ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в якому параметри ПТШ помiньшуються. Цей iнтервал вiдповiдає дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р. The statistic volt-amper characteristics and the noise temperature on a frequency of 12 HzHz of arsenide gallium field effect transistor with Shotky lock and of high electron mobility transistor ( HEMT ) were studied before and after γ-quantum ⁶⁰Co irradiation in the dose range of 1.10⁴... 2.10⁹. The correlation between the PTSh parameters and the radiation-induced changes of phases boundaries properties was established for the dose range where the radiation-stimulated defect gettering is realized and the radiation degradation of nearcontact regions GaAs .The dose range of PTSh irradiation by γ-quantum ⁶⁰Co where the PtSh parameters improve is proposed . This range corresponds to doses of 1.10⁴…7.10⁷ P. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со Ильин, И.Ю. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Ренгевич, А.Е. Соловьев, Е.А. Приходенко, В.И. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со |
| title_full | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со |
| title_fullStr | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со |
| title_full_unstemmed | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со |
| title_short | Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со |
| title_sort | исследование свойств арсенидгаллиевых птш подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰со |
| topic | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78345 |
| work_keys_str_mv | AT ilʹiniû issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so AT konakovarv issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so AT mileninvv issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so AT rengevičae issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so AT solovʹevea issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so AT prihodenkovi issledovaniesvoistvarsenidgallievyhptšpodvergnutyhoblučeniûγkvantami60so |