Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями

• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Акбаров, К., Абдулхамидов, А., Алимов, Н., Отажонов, С.М., Шмарова, М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7860
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями / К. Акбаров, А. Абдулхамидов, Н. Алимов, С.М. Отажонов, М. Шмарова // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Создана перспективная пара полупроводников CdTe-ZnSe, в которой, кроме прямой передачи световых сигналов, будет обеспечено накопление зарядов. Фотодетектор данного типа будет работать без внешнего источника, если поликристаллический слой CdTe будет обладать аномально большим фотонапряжением (АФН). П...