Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями
Создана перспективная пара полупроводников CdTe-ZnSe, в которой, кроме прямой передачи световых сигналов, будет обеспечено накопление зарядов. Фотодетектор данного типа будет работать без внешнего источника, если поликристаллический слой CdTe будет обладать аномально большим фотонапряжением (АФН). П...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7860 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями / К. Акбаров, А. Абдулхамидов, Н. Алимов, С.М. Отажонов, М. Шмарова // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862655849685581824 |
|---|---|
| author | Акбаров, К. Абдулхамидов, А. Алимов, Н. Отажонов, С.М. Шмарова, М. |
| author_facet | Акбаров, К. Абдулхамидов, А. Алимов, Н. Отажонов, С.М. Шмарова, М. |
| citation_txt | Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями / К. Акбаров, А. Абдулхамидов, Н. Алимов, С.М. Отажонов, М. Шмарова // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | Создана перспективная пара полупроводников CdTe-ZnSe, в которой, кроме прямой передачи световых сигналов, будет обеспечено накопление зарядов. Фотодетектор данного типа будет работать без внешнего источника, если поликристаллический слой CdTe будет обладать аномально большим фотонапряжением (АФН). При этом повышено эффективность собирания излучения люминофора на 80%.
Створено перспективну пару напівпровідників CdTe-ZnSe, у якій, крім прямої передачі світлових сигналів, буде забезпечене нагромадження зарядів. Фотодетектор даного типу буде працювати без зовнішнього джерела, якщо полікристалічний шар CdTe буде володіти аномально великою фотонапругою (АФН). При цьому підвищено ефективність збирання випромінювання люмінофора на 80%.
It is created perspective couple of CdTe-ZnSe semiconductors, in which charge accumulation will be provided, expert light signals direct transimition. This photodetector will work with out an external source, if polycrystall CdTe film has anomal large photoresistance (APV), besides the effectivity of luminophor irradiation gathering up to 80 % is increased.
|
| first_indexed | 2025-12-02T02:48:47Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-7860 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T02:48:47Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Акбаров, К. Абдулхамидов, А. Алимов, Н. Отажонов, С.М. Шмарова, М. 2010-04-19T14:41:27Z 2010-04-19T14:41:27Z 2008 Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями / К. Акбаров, А. Абдулхамидов, Н. Алимов, С.М. Отажонов, М. Шмарова // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7860 621.315.593 Создана перспективная пара полупроводников CdTe-ZnSe, в которой, кроме прямой передачи световых сигналов, будет обеспечено накопление зарядов. Фотодетектор данного типа будет работать без внешнего источника, если поликристаллический слой CdTe будет обладать аномально большим фотонапряжением (АФН). При этом повышено эффективность собирания излучения люминофора на 80%. Створено перспективну пару напівпровідників CdTe-ZnSe, у якій, крім прямої передачі світлових сигналів, буде забезпечене нагромадження зарядів. Фотодетектор даного типу буде працювати без зовнішнього джерела, якщо полікристалічний шар CdTe буде володіти аномально великою фотонапругою (АФН). При цьому підвищено ефективність збирання випромінювання люмінофора на 80%. It is created perspective couple of CdTe-ZnSe semiconductors, in which charge accumulation will be provided, expert light signals direct transimition. This photodetector will work with out an external source, if polycrystall CdTe film has anomal large photoresistance (APV), besides the effectivity of luminophor irradiation gathering up to 80 % is increased. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями Стимулювання аномальної фотонапруги під дією зовнішнього електричного поля в нанокристалічних структурах на основі CdTe-ZnSe із глибокими примісними рівнями Stimulation anomalous photoresistance under action external electric field in nanocrystalline structure CdTe-ZnSe with deep impurity levels Article published earlier |
| spellingShingle | Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями Акбаров, К. Абдулхамидов, А. Алимов, Н. Отажонов, С.М. Шмарова, М. |
| title | Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями |
| title_alt | Стимулювання аномальної фотонапруги під дією зовнішнього електричного поля в нанокристалічних структурах на основі CdTe-ZnSe із глибокими примісними рівнями Stimulation anomalous photoresistance under action external electric field in nanocrystalline structure CdTe-ZnSe with deep impurity levels |
| title_full | Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями |
| title_fullStr | Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями |
| title_full_unstemmed | Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями |
| title_short | Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями |
| title_sort | стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе cdte-znse с глубокими примесными уровнями |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7860 |
| work_keys_str_mv | AT akbarovk stimulirovanieanomalʹnogofotonaprâženiâpoddeistviemvnešnegoélektričeskogopolâvnanokristalličeskihstrukturahnaosnovecdteznsesglubokimiprimesnymiurovnâmi AT abdulhamidova stimulirovanieanomalʹnogofotonaprâženiâpoddeistviemvnešnegoélektričeskogopolâvnanokristalličeskihstrukturahnaosnovecdteznsesglubokimiprimesnymiurovnâmi AT alimovn stimulirovanieanomalʹnogofotonaprâženiâpoddeistviemvnešnegoélektričeskogopolâvnanokristalličeskihstrukturahnaosnovecdteznsesglubokimiprimesnymiurovnâmi AT otažonovsm stimulirovanieanomalʹnogofotonaprâženiâpoddeistviemvnešnegoélektričeskogopolâvnanokristalličeskihstrukturahnaosnovecdteznsesglubokimiprimesnymiurovnâmi AT šmarovam stimulirovanieanomalʹnogofotonaprâženiâpoddeistviemvnešnegoélektričeskogopolâvnanokristalličeskihstrukturahnaosnovecdteznsesglubokimiprimesnymiurovnâmi AT akbarovk stimulûvannâanomalʹnoífotonaprugipíddíêûzovníšnʹogoelektričnogopolâvnanokristalíčnihstrukturahnaosnovícdteznseízglibokimiprimísnimirívnâmi AT abdulhamidova stimulûvannâanomalʹnoífotonaprugipíddíêûzovníšnʹogoelektričnogopolâvnanokristalíčnihstrukturahnaosnovícdteznseízglibokimiprimísnimirívnâmi AT alimovn stimulûvannâanomalʹnoífotonaprugipíddíêûzovníšnʹogoelektričnogopolâvnanokristalíčnihstrukturahnaosnovícdteznseízglibokimiprimísnimirívnâmi AT otažonovsm stimulûvannâanomalʹnoífotonaprugipíddíêûzovníšnʹogoelektričnogopolâvnanokristalíčnihstrukturahnaosnovícdteznseízglibokimiprimísnimirívnâmi AT šmarovam stimulûvannâanomalʹnoífotonaprugipíddíêûzovníšnʹogoelektričnogopolâvnanokristalíčnihstrukturahnaosnovícdteznseízglibokimiprimísnimirívnâmi AT akbarovk stimulationanomalousphotoresistanceunderactionexternalelectricfieldinnanocrystallinestructurecdteznsewithdeepimpuritylevels AT abdulhamidova stimulationanomalousphotoresistanceunderactionexternalelectricfieldinnanocrystallinestructurecdteznsewithdeepimpuritylevels AT alimovn stimulationanomalousphotoresistanceunderactionexternalelectricfieldinnanocrystallinestructurecdteznsewithdeepimpuritylevels AT otažonovsm stimulationanomalousphotoresistanceunderactionexternalelectricfieldinnanocrystallinestructurecdteznsewithdeepimpuritylevels AT šmarovam stimulationanomalousphotoresistanceunderactionexternalelectricfieldinnanocrystallinestructurecdteznsewithdeepimpuritylevels |