Cover Image

Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями

Создана перспективная пара полупроводников CdTe-ZnSe, в которой, кроме прямой передачи световых сигналов, будет обеспечено накопление зарядов. Фотодетектор данного типа будет работать без внешнего источника, если поликристаллический слой CdTe будет обладать аномально большим фотонапряжением (АФН). П...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2008
Main Authors: Акбаров, К., Абдулхамидов, А., Алимов, Н., Отажонов, С.М., Шмарова, М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7860
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями / К. Акбаров, А. Абдулхамидов, Н. Алимов, С.М. Отажонов, М. Шмарова // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items