The low energy ribbon ion beam source and transport system

The ribbon ion beam can be used in the commercial ion implanters in order to enlarge the beam current. The Bernas type ion source and periodical system of electrostatic lenses (electrostatic undulator) are proposed for high intensity ion implanter design. The ribbon ion source and transport system...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2006
Автори: Masunov, E.S., Polozov, S.M., Kulevoy, T.V., Pershin, V.I.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2006
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78872
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:The low energy ribbon ion beam source and transport system / E.S. Masunov, S.M. Polozov, T.V. Kulevoy, V.I. Pershin // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 2. — С. 123-125. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:The ribbon ion beam can be used in the commercial ion implanters in order to enlarge the beam current. The Bernas type ion source and periodical system of electrostatic lenses (electrostatic undulator) are proposed for high intensity ion implanter design. The ribbon ion source and transport system for such beam are discussed. Ленточные ионные пучки могут быть применены в коммерческих ионных имплантерах для увеличения тока пучка. Для создания сильноточного имплантора предлагается использовать ионный источник Берна и периодическую систему электростатических линз (электростатический ондулятор). Обсуждаются выбор источника ленточного ионного пучка и система его транспортировки. Стрічкові іонні пучки можуть бути застосовані в комерційних іонних імплантерах для збільшення струму пучка. Для створення потужнострумового імплантора пропонується використати іонне джерело Берна й періодичну систему електростатичних лінз (електростатичний ондулятор). Обговорюються вибір джерела стрічкового іонного пучка й система його транспортування.
ISSN:1562-6016