Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
На основании результатов исследований процессов дефектообразования в кремнии и арсениде галлия при внедрении протонов и перестройки дефектной системы кристаллов в результате последующих термообработок получены оптимальные режимы этих обработок для формирования приборных структур микро- и оптоэлектро...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7891 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий / Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, А.М. Миронов, А.И. Купчишин // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 142-150. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862570700722667520 |
|---|---|
| author | Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Миронов, А.М. Купчишин, А.И. |
| author_facet | Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Миронов, А.М. Купчишин, А.И. |
| citation_txt | Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий / Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, А.М. Миронов, А.И. Купчишин // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 142-150. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | На основании результатов исследований процессов дефектообразования в кремнии и арсениде галлия при внедрении протонов и перестройки дефектной системы кристаллов в результате последующих термообработок получены оптимальные режимы этих обработок для формирования приборных структур микро- и оптоэлектроники. Представлен ряд разработок, доведенных до технологического исполнения, позволяющих получать уникальные структуры с использованием протонных пучков: создание структур кремний-на-изоляторе, создание внутренних геттерирующих слоев в кремнии и формирование межприборной изоляции на полупроводниках А^3В^5.
На підставі результатів досліджень процесів дефектоутворення в кремнії та арсеніді галію при впровадженні протонів і перебудови дефектної системи кристалів у результаті наступних термообробок отримані оптимальні режими цих обробок для формування приладових структур мікро- і оптоелектроніки. Представлено ряд розробок, доведених до технологічного виконання, які дозволяють одержувати унікальні структури мікро- і оптоелектроніки з використанням протонних пучків.
On the basis of results of researches of processes of defect formation in silicon and arsenide of gallium at introduction of protons and alteration of the imperfect system of crystals as a result of subsequent heat treatments the optimum modes of these treatments are got for forming of device structures micro- and optoelectronics. A few important implementations of proton beams to produce unique structures of microelectronics and optoelectronics are presented.
|
| first_indexed | 2025-11-26T02:45:06Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-7891 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T02:45:06Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Миронов, А.М. Купчишин, А.И. 2010-04-20T12:57:23Z 2010-04-20T12:57:23Z 2008 Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий / Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, А.М. Миронов, А.И. Купчишин // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 142-150. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7891 621.384:621.382 На основании результатов исследований процессов дефектообразования в кремнии и арсениде галлия при внедрении протонов и перестройки дефектной системы кристаллов в результате последующих термообработок получены оптимальные режимы этих обработок для формирования приборных структур микро- и оптоэлектроники. Представлен ряд разработок, доведенных до технологического исполнения, позволяющих получать уникальные структуры с использованием протонных пучков: создание структур кремний-на-изоляторе, создание внутренних геттерирующих слоев в кремнии и формирование межприборной изоляции на полупроводниках А^3В^5. На підставі результатів досліджень процесів дефектоутворення в кремнії та арсеніді галію при впровадженні протонів і перебудови дефектної системи кристалів у результаті наступних термообробок отримані оптимальні режими цих обробок для формування приладових структур мікро- і оптоелектроніки. Представлено ряд розробок, доведених до технологічного виконання, які дозволяють одержувати унікальні структури мікро- і оптоелектроніки з використанням протонних пучків. On the basis of results of researches of processes of defect formation in silicon and arsenide of gallium at introduction of protons and alteration of the imperfect system of crystals as a result of subsequent heat treatments the optimum modes of these treatments are got for forming of device structures micro- and optoelectronics. A few important implementations of proton beams to produce unique structures of microelectronics and optoelectronics are presented. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий Формування ізолюючих і гетеруючих шарів у напівпровідниках з використанням імплантації протонів середніх енергій The formation of isolating and gettering layers in semiconductors with use of medium energy proton implantation Article published earlier |
| spellingShingle | Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Миронов, А.М. Купчишин, А.И. |
| title | Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий |
| title_alt | Формування ізолюючих і гетеруючих шарів у напівпровідниках з використанням імплантації протонів середніх енергій The formation of isolating and gettering layers in semiconductors with use of medium energy proton implantation |
| title_full | Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий |
| title_fullStr | Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий |
| title_full_unstemmed | Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий |
| title_short | Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий |
| title_sort | формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7891 |
| work_keys_str_mv | AT komarovff formirovanieizoliruûŝihigetteriruûŝihsloevvpoluprovodnikahsispolʹzovaniemimplantaciiprotonovsrednihénergii AT milʹčaninov formirovanieizoliruûŝihigetteriruûŝihsloevvpoluprovodnikahsispolʹzovaniemimplantaciiprotonovsrednihénergii AT mironovam formirovanieizoliruûŝihigetteriruûŝihsloevvpoluprovodnikahsispolʹzovaniemimplantaciiprotonovsrednihénergii AT kupčišinai formirovanieizoliruûŝihigetteriruûŝihsloevvpoluprovodnikahsispolʹzovaniemimplantaciiprotonovsrednihénergii AT komarovff formuvannâízolûûčihígeteruûčihšarívunapívprovídnikahzvikoristannâmímplantacííprotonívseredníhenergíi AT milʹčaninov formuvannâízolûûčihígeteruûčihšarívunapívprovídnikahzvikoristannâmímplantacííprotonívseredníhenergíi AT mironovam formuvannâízolûûčihígeteruûčihšarívunapívprovídnikahzvikoristannâmímplantacííprotonívseredníhenergíi AT kupčišinai formuvannâízolûûčihígeteruûčihšarívunapívprovídnikahzvikoristannâmímplantacííprotonívseredníhenergíi AT komarovff theformationofisolatingandgetteringlayersinsemiconductorswithuseofmediumenergyprotonimplantation AT milʹčaninov theformationofisolatingandgetteringlayersinsemiconductorswithuseofmediumenergyprotonimplantation AT mironovam theformationofisolatingandgetteringlayersinsemiconductorswithuseofmediumenergyprotonimplantation AT kupčišinai theformationofisolatingandgetteringlayersinsemiconductorswithuseofmediumenergyprotonimplantation |