Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
На основании результатов исследований процессов дефектообразования в кремнии и арсениде галлия при внедрении протонов и перестройки дефектной системы кристаллов в результате последующих термообработок получены оптимальные режимы этих обработок для формирования приборных структур микро- и оптоэлектро...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7891 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий / Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, А.М. Миронов, А.И. Купчишин // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 142-150. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-7891 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| fulltext |
|
| spelling |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78912025-02-09T13:16:09Z Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий Формування ізолюючих і гетеруючих шарів у напівпровідниках з використанням імплантації протонів середніх енергій The formation of isolating and gettering layers in semiconductors with use of medium energy proton implantation Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Миронов, А.М. Купчишин, А.И. На основании результатов исследований процессов дефектообразования в кремнии и арсениде галлия при внедрении протонов и перестройки дефектной системы кристаллов в результате последующих термообработок получены оптимальные режимы этих обработок для формирования приборных структур микро- и оптоэлектроники. Представлен ряд разработок, доведенных до технологического исполнения, позволяющих получать уникальные структуры с использованием протонных пучков: создание структур кремний-на-изоляторе, создание внутренних геттерирующих слоев в кремнии и формирование межприборной изоляции на полупроводниках А^3В^5. На підставі результатів досліджень процесів дефектоутворення в кремнії та арсеніді галію при впровадженні протонів і перебудови дефектної системи кристалів у результаті наступних термообробок отримані оптимальні режими цих обробок для формування приладових структур мікро- і оптоелектроніки. Представлено ряд розробок, доведених до технологічного виконання, які дозволяють одержувати унікальні структури мікро- і оптоелектроніки з використанням протонних пучків. On the basis of results of researches of processes of defect formation in silicon and arsenide of gallium at introduction of protons and alteration of the imperfect system of crystals as a result of subsequent heat treatments the optimum modes of these treatments are got for forming of device structures micro- and optoelectronics. A few important implementations of proton beams to produce unique structures of microelectronics and optoelectronics are presented. 2008 Article Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий / Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, А.М. Миронов, А.И. Купчишин // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 142-150. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7891 621.384:621.382 ru application/pdf Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
На основании результатов исследований процессов дефектообразования в кремнии и арсениде галлия при внедрении протонов и перестройки дефектной системы кристаллов в результате последующих термообработок получены оптимальные режимы этих обработок для формирования приборных структур микро- и оптоэлектроники. Представлен ряд разработок, доведенных до технологического исполнения, позволяющих получать уникальные структуры с использованием протонных пучков: создание структур кремний-на-изоляторе, создание внутренних геттерирующих слоев в кремнии и формирование межприборной изоляции на полупроводниках А^3В^5. |
| format |
Article |
| author |
Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Миронов, А.М. Купчишин, А.И. |
| spellingShingle |
Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Миронов, А.М. Купчишин, А.И. Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий |
| author_facet |
Комаров, Ф.Ф. Мильчанин, О.В. Миронов, А.М. Купчишин, А.И. |
| author_sort |
Комаров, Ф.Ф. |
| title |
Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий |
| title_short |
Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий |
| title_full |
Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий |
| title_fullStr |
Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий |
| title_full_unstemmed |
Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий |
| title_sort |
формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2008 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7891 |
| citation_txt |
Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий / Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, А.М. Миронов, А.И. Купчишин // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 142-150. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT komarovff formirovanieizoliruûŝihigetteriruûŝihsloevvpoluprovodnikahsispolʹzovaniemimplantaciiprotonovsrednihénergij AT milʹčaninov formirovanieizoliruûŝihigetteriruûŝihsloevvpoluprovodnikahsispolʹzovaniemimplantaciiprotonovsrednihénergij AT mironovam formirovanieizoliruûŝihigetteriruûŝihsloevvpoluprovodnikahsispolʹzovaniemimplantaciiprotonovsrednihénergij AT kupčišinai formirovanieizoliruûŝihigetteriruûŝihsloevvpoluprovodnikahsispolʹzovaniemimplantaciiprotonovsrednihénergij AT komarovff formuvannâízolûûčihígeteruûčihšarívunapívprovídnikahzvikoristannâmímplantacííprotonívseredníhenergíj AT milʹčaninov formuvannâízolûûčihígeteruûčihšarívunapívprovídnikahzvikoristannâmímplantacííprotonívseredníhenergíj AT mironovam formuvannâízolûûčihígeteruûčihšarívunapívprovídnikahzvikoristannâmímplantacííprotonívseredníhenergíj AT kupčišinai formuvannâízolûûčihígeteruûčihšarívunapívprovídnikahzvikoristannâmímplantacííprotonívseredníhenergíj AT komarovff theformationofisolatingandgetteringlayersinsemiconductorswithuseofmediumenergyprotonimplantation AT milʹčaninov theformationofisolatingandgetteringlayersinsemiconductorswithuseofmediumenergyprotonimplantation AT mironovam theformationofisolatingandgetteringlayersinsemiconductorswithuseofmediumenergyprotonimplantation AT kupčišinai theformationofisolatingandgetteringlayersinsemiconductorswithuseofmediumenergyprotonimplantation |
| first_indexed |
2025-11-26T02:45:06Z |
| last_indexed |
2025-11-26T02:45:06Z |
| _version_ |
1849819247227699200 |