Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
На основании результатов исследований процессов дефектообразования в кремнии и арсениде галлия при внедрении протонов и перестройки дефектной системы кристаллов в результате последующих термообработок получены оптимальные режимы этих обработок для формирования приборных структур микро- и оптоэлектро...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7891 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий / Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, А.М. Миронов, А.И. Купчишин // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 142-150. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |