Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
The study of radiation defects in silicon single crystals of different orientation is carried out by means of methods of internal friction (IF) and electrical resistance. At the mechanical damping measurement a strategy of low-frequency flexible oscillations (f ~ 5 Hz) was used during the process of...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79390 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals / V.D. Ryzhikov, N.Ya. Rokhmanov, S.N. Galkin, A.K. Gnap // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 2. — С. 180-182. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862636211988856832 |
|---|---|
| author | Ryzhikov, V.D. Rokhmanov, N.Ya. Galkin, S.N. Gnap, A.K. |
| author_facet | Ryzhikov, V.D. Rokhmanov, N.Ya. Galkin, S.N. Gnap, A.K. |
| citation_txt | Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals / V.D. Ryzhikov, N.Ya. Rokhmanov, S.N. Galkin, A.K. Gnap // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 2. — С. 180-182. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | The study of radiation defects in silicon single crystals of different orientation is carried out by means of methods of internal friction (IF) and electrical resistance. At the mechanical damping measurement a strategy of low-frequency flexible oscillations (f ~ 5 Hz) was used during the process of irradiation with α-particles. The descending
curves and anomalous inverted hysteresis effect of IF versus amplitude of cyclic deformation were observed. The
results were explained by the processes of ionization by induced infra-red radiation and charged dislocation-point
defects association interaction.
Методом внутрішнього тертя та електричного опору вивчене утворення радіаційних дефектів в
монокристалах кремнію різної орієнтації. При механічному дослідженні застосовували метод
низькочастотного (f~5 Гц) пружного впливу на зразки, що опромінювалися α-частками. Були виявлені
спадаючі криві й аномальний інвертований ефект гістерезису зворотної амплітуди циклічної деформації.
Результати можна пояснити процесами взаємодії інфрачервоних променів із зарядженими дислокаційноточковими асоціатами.
Методом внутреннего трения и электрического сопротивления изучено образование радиационных дефектов в монокристаллах кремния различной ориентации. При механическом исследовании применяли метод низкочастотного (f~5 Гц) упругого воздействия на образцы, облучаемые α-частицами. Были обнаружены убывающие кривые и аномальный инвертированный эффект гистерезиса обратной амплитуды циклической деформации. Результаты можно объяснить процессами взаимодействия инфракрасных лучей с заряженными дислокационно-точечными ассоциатами.
|
| first_indexed | 2025-11-30T21:43:43Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-79390 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-30T21:43:43Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ryzhikov, V.D. Rokhmanov, N.Ya. Galkin, S.N. Gnap, A.K. 2015-03-31T19:21:08Z 2015-03-31T19:21:08Z 2004 Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals / V.D. Ryzhikov, N.Ya. Rokhmanov, S.N. Galkin, A.K. Gnap // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 2. — С. 180-182. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 25.60.Dz https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79390 The study of radiation defects in silicon single crystals of different orientation is carried out by means of methods of internal friction (IF) and electrical resistance. At the mechanical damping measurement a strategy of low-frequency flexible oscillations (f ~ 5 Hz) was used during the process of irradiation with α-particles. The descending
 curves and anomalous inverted hysteresis effect of IF versus amplitude of cyclic deformation were observed. The
 results were explained by the processes of ionization by induced infra-red radiation and charged dislocation-point
 defects association interaction. Методом внутрішнього тертя та електричного опору вивчене утворення радіаційних дефектів в
 монокристалах кремнію різної орієнтації. При механічному дослідженні застосовували метод
 низькочастотного (f~5 Гц) пружного впливу на зразки, що опромінювалися α-частками. Були виявлені
 спадаючі криві й аномальний інвертований ефект гістерезису зворотної амплітуди циклічної деформації.
 Результати можна пояснити процесами взаємодії інфрачервоних променів із зарядженими дислокаційноточковими асоціатами. Методом внутреннего трения и электрического сопротивления изучено образование радиационных дефектов в монокристаллах кремния различной ориентации. При механическом исследовании применяли метод низкочастотного (f~5 Гц) упругого воздействия на образцы, облучаемые α-частицами. Были обнаружены убывающие кривые и аномальный инвертированный эффект гистерезиса обратной амплитуды циклической деформации. Результаты можно объяснить процессами взаимодействия инфракрасных лучей с заряженными дислокационно-точечными ассоциатами. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Применение ускоренных пучков Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals Радіаційне руйнування і внутрішнє тертя в монокристалах кремнію Радиационное разрушение и внутреннее трение в монокристаллах кремния Article published earlier |
| spellingShingle | Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals Ryzhikov, V.D. Rokhmanov, N.Ya. Galkin, S.N. Gnap, A.K. Применение ускоренных пучков |
| title | Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals |
| title_alt | Радіаційне руйнування і внутрішнє тертя в монокристалах кремнію Радиационное разрушение и внутреннее трение в монокристаллах кремния |
| title_full | Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals |
| title_fullStr | Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals |
| title_full_unstemmed | Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals |
| title_short | Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals |
| title_sort | radiation destruction and internal friction in silicon single crystals |
| topic | Применение ускоренных пучков |
| topic_facet | Применение ускоренных пучков |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79390 |
| work_keys_str_mv | AT ryzhikovvd radiationdestructionandinternalfrictioninsiliconsinglecrystals AT rokhmanovnya radiationdestructionandinternalfrictioninsiliconsinglecrystals AT galkinsn radiationdestructionandinternalfrictioninsiliconsinglecrystals AT gnapak radiationdestructionandinternalfrictioninsiliconsinglecrystals AT ryzhikovvd radíacíineruinuvannâívnutríšnêtertâvmonokristalahkremníû AT rokhmanovnya radíacíineruinuvannâívnutríšnêtertâvmonokristalahkremníû AT galkinsn radíacíineruinuvannâívnutríšnêtertâvmonokristalahkremníû AT gnapak radíacíineruinuvannâívnutríšnêtertâvmonokristalahkremníû AT ryzhikovvd radiacionnoerazrušenieivnutrenneetrenievmonokristallahkremniâ AT rokhmanovnya radiacionnoerazrušenieivnutrenneetrenievmonokristallahkremniâ AT galkinsn radiacionnoerazrušenieivnutrenneetrenievmonokristallahkremniâ AT gnapak radiacionnoerazrušenieivnutrenneetrenievmonokristallahkremniâ |